您的位置： 专家智库 > >

杨旭

作品数：9 被引量：12H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇亚微米
  • 3篇深亚微米
  • 3篇锗
  • 2篇电路
  • 2篇钝化
  • 2篇信号串扰
  • 2篇亚微米工艺
  • 2篇氧化层
  • 2篇栅氧化
  • 2篇栅氧化层
  • 2篇深亚微米工艺
  • 2篇耦合电容
  • 2篇微米工艺
  • 2篇金属
  • 2篇集成电路
  • 2篇寄生参数
  • 2篇寄生参数提取
  • 2篇N型半导体
  • 2篇超大规模集成
  • 2篇超大规模集成...

机构

  • 9篇中国科学院微...

作者

  • 9篇杨旭
  • 4篇王盛凯
  • 4篇孙兵
  • 4篇黄令仪
  • 4篇刘洪刚
  • 4篇赵威
  • 4篇常虎东
  • 2篇韩乐
  • 2篇刘桂明
  • 2篇蒋见花
  • 2篇叶青
  • 2篇周玉梅
  • 2篇陈守顺

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2014
  • 1篇2005
  • 2篇2004
  • 2篇2003
共 9 条 记 录，以下是 1-9
全选 清除 导出
排序方式：
PAE效应的分析与解决被引量：1
2003年
PAE效应是芯片在加工过程中,静电对栅氧化层的破坏性击穿效应。本文分析了PAE的成因,提出了几种估量PAE效应的算法,并提出了解决PAE的方法。所提供的计算及解决方法成功地应用在“龙芯-I CPU”的设计中,保证了芯片的加工过程没有PAE效应出现。
杨旭黄令仪叶青周玉梅
关键词：芯片栅氧化层
一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法
本发明公开了一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法，该方法包括：清洗n型半导体单晶锗片；利用含硫的钝化液对该n型半导体单晶锗片的表面进行钝化；以及在该钝化后的n型半导体单晶锗片表面沉积金属作为源漏接触。本发明提供的制作...
刘洪刚龚著靖王盛凯韩乐杨旭常虎东孙兵赵威刘桂明
文献传递
浮点分裂基快速傅立叶变换的ASIC实现
分裂基傅立叶快速变换算法以其具有最少的乘法次数、加法次数和良好的算法结构,成为目前最好的针对N=2<'M>的FFT算法.该论文用ASIC半定制的方式实现了32复数点的分裂基快速傅立叶变换,并通过调整Booth-Walla...
杨旭
关键词：快速傅立叶变换BOOTH编码WALLACE树高速乘法器
一种对锗片进行清洗及表面钝化的方法
本发明公开了一种对锗片进行清洗及表面钝化的方法，包括：选择锗片，将锗片置于丙酮和乙醇溶液中分别进行超声清洗，去除锗片表面的有机污染物；采用盐酸溶液和去离子水对锗片进行清洗，去掉残留在锗片表面的不规整的本征氧化锗薄膜和金属...
王盛凯杨旭刘洪刚孙兵常虎东赵威
文献传递
一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法
本发明公开了一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法，该方法包括：清洗n型半导体单晶锗片；在该清洗后的锗片上沉积NiSn合金；以及在氮气的氛围下进行退火合金化，形成NiSnGe合金，从而得到NiSnGe与n型半导体锗的源...
刘洪刚龚著靖王盛凯韩乐杨旭常虎东孙兵赵威刘桂明
文献传递
消除深亚微米工艺中连线耦合电容造成的信号串扰的方法
本发明一种消除深亚微米工艺中连线耦合电容造成的信号串扰的方法，包括如下步骤：详细布线：为制作超大规模集成电路的制作工艺作准备；寄生参数提取：分析耦合电容对芯片的影响；标准延迟文件产生：为了产生不含信号上升或下降的最小源电...
黄令仪陈守顺杨旭蒋见花左红军
文献传递
一种臭氧钝化高k/Ge界面同时改善高k栅介质的方法
本发明提供一种臭氧钝化高k/Ge界面及改善高k栅介质的制造方法，该方法包括以下步骤：提供一个衬底，其中所述衬底为Ge衬底或者含有Ge薄膜表面的晶片；对所述衬底交替进行高k栅介质生长与臭氧处理，在所述衬底上形成高k/GeO...
刘洪刚杨旭王盛凯龚著靖孙兵常虎东赵威
文献传递
消除深亚微米工艺中连线耦合电容造成的信号串扰的方法
本发明一种消除深亚微米工艺中连线耦合电容造成的信号串扰的方法，包括如下步骤：详细布线：为制作超大规模集成电路的制作工艺作准备；寄生参数提取：分析耦合电容对芯片的影响；标准延迟文件产生：为了产生不含信号上升或下降的最小源电...
黄令仪陈守顺杨旭蒋见花左红军
文献传递
深亚微米设计中天线效应的消除被引量：12
2004年
分析了 PAE效应 (process antenna effect)的成因 ,并在此基础上提出了几种在深亚微米 ASIC设计中消除PAE效应的方法 .其方法应用于“龙芯 - I CPU”的后端设计 。
杨旭黄令仪叶青周玉梅
关键词：等离子栅氧化层可靠性EEACC
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0