- 多孔硅光致发光激发谱测量与机理分析被引量：3
- 1993年
- 对多孔硅光致发光光谱(PL)和光致发光激发谱(PLE)的研究可以获得许多有关多孔硅发光机理的信息。已有许多文章报道了多孔硅发光的光谱特性和多孔硅的制备条件以及后续处理之间的关系,并据此提出了不同的发光模型。也有人对多孔硅的发光特性和激发条件间的关系进行了研究,并提出多孔硅的发光和表面态或荧光中心有关。我们用不同波长的单色光作激发源,测量了多孔硅发光的光谱特性,并用连续变化波长的单色光作激发源。
- 郑祥钦杨海强阎锋鲍希茂
- 关键词：多孔硅光致发光量子限制效应硅
- 自然氧化和电子辐照对多孔硅结构有序度的影响被引量：2
- 1993年
- 多孔硅在空气中自然氧化形成Si—O—Si键,引起晶格畸变,导致有序度下降,氧化层用HF去除,有序度可恢复。大束流电子束辐照直接引起晶粒无序化,其有序度不能在HF浸泡中恢复。
- 官浩阎锋鲍希茂杨海强吴晓薇洪建明
- 关键词：多孔硅微结构电子束辐照
- 离子辐照对多孔硅性质的影响
- 1994年
- 本文首次报道离子注入对一系列多孔硅性质的影响．离子辐照引入多孔硅成孔中心，影响多孔硅的形成．随辐照剂量增加，ＰＬ谱峰波长红移，强度下降，半高宽变窄，使制备多孔硅发光图形成为可能．
- 杨海强阎锋官浩鲍希茂
- 关键词：多孔硅离子辐照离子注入
- 离子辐照与发光多孔硅
- 1995年
- 报道了离子辐照损伤对多孔硅的形成及其发光性质的影响,硅自注入后电化学腐蚀形成多孔硅。注入剂量增加,光荧光谱强度减弱,谱峰红移,半高宽减小,如果样品被非晶化将不发光,因此,为离子注入控制多孔硅发光图形的形成提供了物理依据,制成的图形分辨率达2μm。
- 鲍希茂杨海强阎锋
- 关键词：多孔硅光荧光离子注入光电子技术
- 用离子注入控制形成多孔硅发光图形
- 1993年
- 本文提出了一种形成多孔硅发光图形的方法。以淀积的Al作掩膜,通过硅自注入使样品选区非晶化。阳极处理使单晶区生成发光区,非晶区成为不发光区,形成多孔硅发光图形,分辨率达2μm。讨论了离子注入对多孔硅形成与发光的影响。
- 杨海强鲍希茂杨志锋洪建明
- 关键词：多孔硅离子注入发光
- 离子注入在多孔硅研究中的应用
- 杨海强
