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林虹

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇混晶
  • 2篇ALGAAS
  • 1篇深能级
  • 1篇施主
  • 1篇能级
  • 1篇SN
  • 1篇TE

机构

  • 2篇厦门大学

作者

  • 2篇林虹
  • 2篇黄启圣
  • 2篇康俊勇
  • 1篇陈朝

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇厦门大学学报...

年份

  • 1篇1992
  • 1篇1991
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
AlGaAs混晶中的Sn施主深能级
1991年
用DLTS(深能级瞬态谱)及光照DLTS方法研究了不同组分(x=0.26、0.40、0.53)的 Al_xGa_(1-x)As:Sn材料。所有实验样品的DLTS谱都出现两个多子谱峰A和B。在光照下,低温处的A峰更为明显。实验分别测量了A、B能级的发射及俘获的瞬态过程,用混晶无序引起能级展宽模型拟合了实验数据,得到它们的发射激活能,俘获势垒及其组分关系。分析表明,A 及B能级同属于Sn替位施主杂质,并证明DX中心深能级的复杂性。
康俊勇林虹黄启圣
关键词:ALGAASSN深能级
AlGaAs混晶中Te施主能级
1992年
用低温光致发光光谱,暗条件及光照条件下的深能级瞬态谱方法,对组分范围为x=0.23-0.77的掺Te的AlGaAs混晶的杂质能级进行了研究.结果表明,Te杂质形成包括多个施主能级的复杂能级结构.本文对实验结果作了讨论.
康俊勇黄启圣林虹陈朝唐文国李自元
关键词:TE
共1页<1>
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