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汪世林

作品数:6 被引量:38H指数:4
供职机构:西北工业大学理学院应用物理系更多>>
发文基金:陕西省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇理学

主题

  • 2篇电离
  • 2篇预电离
  • 2篇双交换作用
  • 2篇自旋
  • 2篇纳秒
  • 2篇纳秒放电
  • 2篇光响应
  • 2篇LA
  • 2篇MNO
  • 1篇电特性
  • 1篇电子自旋
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇射频磁控溅射...
  • 1篇双掺杂
  • 1篇准分子
  • 1篇自旋系统
  • 1篇氯化氙
  • 1篇脉宽
  • 1篇类金刚石

机构

  • 5篇西北工业大学
  • 1篇华中科技大学
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 5篇汪世林
  • 4篇陈长乐
  • 4篇宋宙模
  • 4篇金克新
  • 4篇王永仓
  • 4篇王跃龙
  • 4篇袁孝
  • 3篇任韧
  • 1篇徐进

传媒

  • 2篇光子学报
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2004
  • 1篇2003
  • 2篇2002
6 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3薄膜光响应特性研究被引量:6
2002年
实验测量了在不同温度和电场下 ,超巨磁电阻CMR (colossalmagnetoresistance )薄膜材料La0 .67Sr0 .33MnO3(LSMO)的光响应特性 发现样品被激光照射后 ,具有光诱导电阻变化的特性 在温度小于居里点Tc时 ,电阻随温度升高而增大 ,在Tc以上时 ,电阻则随温度升高而减小 通过对样品的光脉冲响应和偏置电场的关系分析 。
陈长乐王跃龙汪世林金克新王永仓宋宙模袁孝
关键词:光响应自旋系统双交换作用
La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3薄膜的光致电阻率变化特性被引量:23
2004年
射频磁控溅射法制备了La2 3Ca1 3MnO3纳米薄膜 (LCMO) .该薄膜发生FM PM相变的转变点温度为Tc≈ 30 8K(近似为电阻峰值温度Tp) ;在不同温度下的光电导性质实验表明所制备的LCMO薄膜在连续激光作用时低温段(T 0 ,并在R T曲线拐点附近取得极大值 ,(ΔR R) max=4 3 5 % ;当T>Tc 时 ,ΔR R <0 ,即光电导效应 .调制激光脉冲光响应实验发现 ,光致信号强度和温度及偏置电流之间存在非线性关系 :光致电阻率增大信号极大值为偏置电流的二次函数 ,而极大值对应的温度和偏置电流成线性关系 ,同时 ,光响应有一个截止温度 ,并且存在最佳光响应偏置电流和温度条件 .
汪世林陈长乐王跃龙金克新王永仓任韧宋宙模袁孝
关键词:光响应电子自旋射频磁控溅射法
双掺杂CMR薄膜的结构和光电特性研究
依次用固相反应法和射频磁控溅射法成功制备了双掺杂钙钛矿CMR锰氧化物La<,2/3>(Ca<,1-x>Sr<,x>)<,1/3>MnO<,3>系列(x=0,1/3,2/3和1)块状晶体和薄膜,XRD测试表明两种方法制备的...
汪世林
关键词:磁电阻效应钙钛矿结构双交换作用
文献传递
用于薄膜沉积的XeCl激基激光器研制被引量:5
2002年
以镀制半导体薄膜、巨磁薄膜、金刚石及其它薄膜 ,外延生长及后续的光刻 ,激光与物质的相互作用、等离子体研究为目的 ,设计、研制了脉冲放电激励的XeCl激基激光器 试验结果表明 :激光脉宽 1 8ns,单脉冲能量 1 5 0mJ ,矩形光斑大小 2cm× 1cm ,束散角 3mrad ,最高重复频率 5HZ 与同类激光器相比 ,具有结构简单、造价低廉。
任韧陈长乐金克新王跃龙汪世林王永仓宋宙模袁孝
关键词:XECL准分子预电离辉光放电纳秒放电氯化氙
基于类金刚石沉积的短脉宽XeCl激光设计及脉宽分析被引量:1
2004年
在气体配比HCl:Xe:He=0.12%:1%:98.88%实现了大功率短脉冲XeCl准分子激光器,以纳米异质结构、微观量子阱、表面微小尺度薄膜沉积,镀制金刚石薄膜、半导体薄膜、巨磁薄膜,及外延生长及后续的光刻、激光与物质的相互作用、等离子体研究为目的,设计了高能量、短脉宽脉冲放电激励的XeCl准分子激光器新型结构,完成了脉冲波形测试。试验结果表明:激光脉宽最短13ns,单脉冲能量450mJ,矩形光斑大小2cm×1cm,束散角3mrad,最高重复频率5 Hz。验证了激光器结构、动力学速率方程、总结出了饱和增益、脉宽规律。产生的短脉宽激光热融蚀效应小,类金钢石材料对基底形成了良好的等离子溅射羽辉。
任韧陈长乐徐进金克新王永仓王跃龙汪世林宋宙模袁孝
关键词:XECL激光纳秒放电预电离
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