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王志军

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：河北工业大学材料研究中心更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇中子嬗变
  • 1篇单晶
  • 1篇载流子
  • 1篇直拉硅
  • 1篇直拉硅单晶
  • 1篇退火
  • 1篇区熔
  • 1篇中子嬗变掺杂
  • 1篇吸除
  • 1篇硅单晶
  • 1篇分凝系数
  • 1篇辐照缺陷
  • 1篇辐照损伤
  • 1篇高温退火
  • 1篇NTDCZS...
  • 1篇氧
  • 1篇锗
  • 1篇CZSI
  • 1篇掺锗

机构

  • 3篇河北工业大学

作者

  • 3篇王志军
  • 3篇张维连
  • 1篇孙军生

传媒

  • 1篇电子学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇河北工业大学...

年份

  • 1篇1998
  • 2篇1996
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
高温退火时NTDFZSi中产生的过剩载流子
1996年
为了消除辐照损伤，获得准确的目标电阻率，中子嬗变掺杂区熔硅（ＮＴＤＦＺＳｉ）通常采用７５０～８５０℃－２ｈ的退火工艺。实践中发现，采用上述工艺退火后的ＮＴＤＦＺＳｉ在大于１１５０℃－５ｈ退火时，会出现电阻率下降的现象，下降幅度在１０％～３０％左右。不中照的ＦＺＳｉ则没有观察到这种现象。这表明，在１１５０℃以上长时间退火时，ＮＴＤＦＺＳｉ中产生了过剩载流子，本文研究了这种现象产生的机理及其与辐照通量和原始晶体质量的关系。实验表明原始晶体微缺陷密度越高，辐照通量越大，电阻率偏离的程度越明显。本文认为多余载流子的产生来源于中子辐照造成的晶格损伤缺陷，并与原始单晶缺陷有关。
张维连王志军
关键词：辐照损伤中子嬗变载流子退火
掺锗直拉硅单晶中锗杂质的纵向分布
1996年
测量了掺锗ＣＺＳｉ中锗的纵向分布形式，发现硅中锗的分布是头部低尾部高，其有效分凝系数Ｋｅ≈０．６６±０．０１．
张维连王志军间淑霞冀志江
关键词：直拉硅分凝系数锗单晶
NTDCZSi中氧的沉淀与吸除被引量：1
1998年
在适当温度退火时，中子嬗变掺杂（NTD）的CZSi中产生的大量亚稳态辐照缺陷在退火过程中会增强氧的外扩散与沉淀。根据CZSi中热施主与电阻率的关系，利用扩展电阻（SR－100C）法测量了硅片退火后氧的纵向分布形式，发现辐照缺陷的存在影响了硅中氧的扩散与沉淀行为。
张维连王志军孙军生张颖怀张恩怀
关键词：中子嬗变掺杂辐照缺陷CZSI
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共1页<1>
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