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王志军
作品数:
3
被引量:1
H指数:1
供职机构:
河北工业大学材料研究中心
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
张维连
河北工业大学材料科学与工程学院
孙军生
河北工业大学材料研究中心
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供职机构
相关作者
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机构
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文献类型
3篇
中文期刊文章
领域
3篇
电子电信
主题
2篇
中子嬗变
1篇
单晶
1篇
载流子
1篇
直拉硅
1篇
直拉硅单晶
1篇
退火
1篇
区熔
1篇
中子嬗变掺杂
1篇
吸除
1篇
硅单晶
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分凝系数
1篇
辐照缺陷
1篇
辐照损伤
1篇
高温退火
1篇
NTDCZS...
1篇
氧
1篇
锗
1篇
CZSI
1篇
掺锗
机构
3篇
河北工业大学
作者
3篇
王志军
3篇
张维连
1篇
孙军生
传媒
1篇
电子学报
1篇
功能材料
1篇
河北工业大学...
年份
1篇
1998
2篇
1996
共
3
条 记 录,以下是 1-3
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相关度排序
被引量排序
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高温退火时NTDFZSi中产生的过剩载流子
1996年
为了消除辐照损伤,获得准确的目标电阻率,中子嬗变掺杂区熔硅(NTDFZSi)通常采用750~850℃-2h的退火工艺。实践中发现,采用上述工艺退火后的NTDFZSi在大于1150℃-5h退火时,会出现电阻率下降的现象,下降幅度在10%~30%左右。不中照的FZSi则没有观察到这种现象。这表明,在1150℃以上长时间退火时,NTDFZSi中产生了过剩载流子,本文研究了这种现象产生的机理及其与辐照通量和原始晶体质量的关系。实验表明原始晶体微缺陷密度越高,辐照通量越大,电阻率偏离的程度越明显。本文认为多余载流子的产生来源于中子辐照造成的晶格损伤缺陷,并与原始单晶缺陷有关。
张维连
王志军
关键词:
辐照损伤
中子嬗变
载流子
退火
掺锗直拉硅单晶中锗杂质的纵向分布
1996年
测量了掺锗CZSi中锗的纵向分布形式,发现硅中锗的分布是头部低尾部高,其有效分凝系数Ke≈0.66±0.01.
张维连
王志军
间淑霞
冀志江
关键词:
直拉硅
分凝系数
锗
单晶
NTDCZSi中氧的沉淀与吸除
被引量:1
1998年
在适当温度退火时,中子嬗变掺杂(NTD)的CZSi中产生的大量亚稳态辐照缺陷在退火过程中会增强氧的外扩散与沉淀。根据CZSi中热施主与电阻率的关系,利用扩展电阻(SR-100C)法测量了硅片退火后氧的纵向分布形式,发现辐照缺陷的存在影响了硅中氧的扩散与沉淀行为。
张维连
王志军
孙军生
张颖怀
张恩怀
关键词:
中子嬗变掺杂
辐照缺陷
CZSI
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