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郑宜钧

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：无锡微电子科研中心更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇离子注入
  • 2篇电路
  • 2篇电路技术
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇介质
  • 2篇介质薄膜
  • 2篇集成电路
  • 2篇集成电路技术
  • 2篇硅衬底
  • 2篇反应离子
  • 2篇衬底
  • 1篇工艺技术
  • 1篇光刻
  • 1篇硅

机构

  • 3篇无锡微电子科...

作者

  • 3篇郑宜钧
  • 1篇王明善
  • 1篇洪海燕
  • 1篇贾永华

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2003
  • 2篇2001
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
深硅槽工艺技术
本发明涉及集成电路技术,尤其是指一种制作深硅槽的工艺。该工艺包括a、氧化,在硅衬底上氧化一层几百纳米到1微米厚的介质薄膜;b、涂胶,在介质薄膜层上涂一层尽可能厚的光刻胶,以常规方法光刻、湿法腐蚀介质薄膜,至露出硅衬底窗口...
郑宜钧
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一种新的深硅槽工艺技术被引量：2
2001年
提出采用离子注入方法提高主掩膜光刻胶的耐干法腐蚀和腐蚀窗口磋的腐蚀速率，实现了在比较简陋的干法腐蚀设备上采用反应离子腐蚀模式进行深／浅硅槽工艺。
郑宜钧王明善贾永华洪海燕
关键词：离子注入光刻
深硅槽工艺技术
本发明涉及集成电路技术，尤其是指一种制作深硅槽的工艺。该工艺包括a、氧化，在硅衬底上氧化一层几百钠米到1微米厚的介质薄膜；b、涂胶，在介质薄膜层上涂一层尽可能厚的光刻胶，以常规方法光刻、湿法腐蚀介质薄膜，至露出硅衬底窗口...
郑宜钧
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