金璐
- 作品数：13 被引量：18H指数：3
- 供职机构：浙江大学更多>>
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- 相关领域：一般工业技术化学工程理学电子电信更多>>
- 溅射的Ti薄膜热氧化形成的TiO_2薄膜与p^+-Si形成的异质结的电致发光被引量：2
- 2011年
- 利阿太磁控溅射法以不同条件在重掺硼硅片(p^+-Si)上制备Ti薄膜,经过一定条件下的热氧化转化为TiO_2薄膜,从而形成TiO_2/p^+ -Si异质结。研究表明:要使TiO_2/p^+ -Si异质结产生显著的电致发光,其中的TiO_2薄膜必须呈现单一的锐钛矿相,这就要求在较低的功率下溅射获得晶粒尺寸较小的Ti薄膜。此外,TiO_2的薄膜厚度需要控制在合理的范围。文中对上述结果的物理机制进行了探讨。
- 张安邦马向阳金璐杨德仁
- 关键词：异质结电致发光
- 银颗粒镶嵌钠钙玻璃的荧光淬灭
- 2013年
- 本文通过离子交换和后续热处理的方法在钠钙玻璃中引入银纳米颗粒,研究了银纳米颗粒的生成对掺杂玻璃荧光性质的影响。研究发现经过550℃高温热处理,离子交换钠钙玻璃的荧光发生了淬灭。导致荧光淬灭的原因来源于银纳米颗粒表面等离激元近场效应所导致的非辐射共振能量转移,以及表面电子传输机制,使得掺杂玻璃的荧光中心与银纳米颗粒之间发生了能量(或电子)的迁移。
- 贺喆吴晓雷金璐杨德仁李东升
- 关键词：离子交换银纳米颗粒荧光淬灭
- 基于银掺杂钠钙玻璃的荧光染料自发辐射增强
- 利用离子交换技术以及后续的热处理的方法能够方便地在玻璃基体中引入金属的纳米颗粒,由于金属纳米颗粒具有独特的光学性质,因此在众多光学领域具有许多新的现象及应用。本文通过离子交换和后续热处理的方法在钠钙玻璃中引入Ag纳米颗粒...
- 贺喆金璐杨德仁李东升
- 关键词：钠钙玻璃离子交换等离激元银掺杂
- 文献传递
- 湿化学法制备β-PVDF/NiZn铁氧体复合膜的微结构和介电性能被引量：3
- 2008年
- 采用溶液浸渍提拉法制备了β-PVDF/NiZn铁氧体复合膜。PVDF在60℃下恒温结晶时主要形成了极性的正交相β晶型,呈典型的球晶结构晶体,以较疏松颗粒堆积形式存在,膜的致密度较低,电容达到30～45pF,比未加NiZn铁氧体的单相PVDF膜提高了3～5倍;在100℃下恒温结晶主要形成非极性的单斜相α晶型,晶粒以二维生长为主,晶粒间紧密接触,膜较致密,电容为20～30pF。而当恒温结晶温度较低(50℃)时,PVDF结晶较差,呈非晶相存在,电容为10～15pF。
- 陈倩杜丕一金璐翁文剑韩高荣
- 关键词：NIZN铁氧体复合膜介电性能
- 我国地方政府行为对要素性收入分配的影响——以L县为例
- 收入分配问题是当今社会关注的热点话题，事关改革开放三十余年成果的分享问题。二次分配中，政府发挥着对收入分配差距的调节作用。初次分配中，地方政府自身行为对要素收入分配的影响的相关研究尚不充分。本文试图研究，在要素性收入分配...
- 金璐
- 关键词：地方政府行为收入分配资本要素
- 文献传递
- 湿化学法制备β-PVDF/NiZn铁氧体复合膜的微结构和介电性能
- 采用溶液浸渍提拉法制备了β-PVDF/NiZn铁氧体复合膜.PVDF在60℃下恒温结晶时主要形成了极性的正交相β晶型,呈典型的球晶结构晶体,以较疏松颗粒堆积形式存在,膜的致密度较低,电容达到30～45 pF,比未加Niz...
- 陈倩杜丕一金璐翁文剑韩高荣
- 关键词：铁氧体复合膜介电性能湿化学法
- 文献传递
- 基于银掺杂钠钙玻璃的荧光染料自发辐射增强被引量：2
- 2012年
- 本文通过离子交换和后续热处理的方法在钠钙玻璃中引入Ag纳米颗粒,并将Ag掺杂的钠钙玻璃作为衬底增强了钠钙玻璃和荧光染料罗丹明6G(R6G)的荧光辐射。Ag纳米颗粒的表面等离激元散射增强了掺杂玻璃的荧光,而R6G的增强荧光辐射则源于掺杂玻璃与荧光染料之间的辐射共振能量转移。
- 贺喆金璐李东升杨德仁
- 关键词：钠钙玻璃离子交换银纳米颗粒荧光增强
- 掺铒富硅氧化硅薄膜光学性能研究
- 硅基光子芯片结合了光电子和微电子的优点，不仅能以光子作为信息载体提高器件的传输速度、减小器件能耗，还能利用现有的硅集成电路工艺降低器件的制造成本，实现大规模的商业化应用，是国际研究的重要前沿领域。然而，可集成于芯片内部的...
- 金璐
- 关键词：纳米硅发光中心光学性能
- 硅纳米晶敏化铒硅化合物中铒离子的光致发光研究
- 本文运用电子束蒸发的方法制备了厚度约300nm的Er-Si-O薄膜，并且通过高温热处理将硅纳米晶和铒硅化合物颗粒引入到SiO2基质中，实现了硅纳米晶对铒硅化合物的敏化作用。卢瑟福背散射(RBS)分析表明Er—Si-O薄膜...
- 金璐项略略李东升杨德仁
- 关键词：硅纳米晶
- 一种在硅片上引入位错的方法
- 本发明公开了一种在硅片上引入位错的方法，采用足以破坏硅晶格的能量束对硅片表面进行辐照，在辐照的区域引入密度可控的位错，位错的密度受能量束的能量强度控制，能量越大，引入的位错密度越大，位错的位置既可在硅片表面也可位于硅片内...
- 杨德仁项略略李东升金璐
- 文献传递
