陈志标
- 作品数：15 被引量：18H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 微光电子集成灵巧象素器件被引量：5
- 2000年
- 我们采用 MBE生长出大周期 Ga As/ Al Ga As多量子阱 (MQW)外延材料 ,研制了适用于倒装焊结构的自电光效应器件 (SEED)列阵 ,并与 Si CMOS电路通过倒装焊工艺集成为微光电子集成灵巧象素器件。通过对光电特性测试表明 ,器件具有良好的光探测和光调制性能。
- 陈弘达曾庆明李献杰陈志标杜云周革华锋黄永箴吴荣汉
- 关键词：光电子器件
- 多量子阱光开关器件的激子吸收及光调制特性
- 2000年
- 我们分析了 Ga As/Al Ga As半导体多量子阱 (MQW)光开关器件的室温激子吸收行为及光调制特性 ,优化设计了多量子阱结构 ,研制出常通型和常关型两种类型光开关器件 ,并对器件的光调制特性进行了测量与研究。实验得出的结论与理论计算相符合 ,常通型器件对比度约为 10∶ 1;常关型器件对比度约为 4∶ 1。
- 陈弘达陈志标杜云黄永箴吴荣汉
- 关键词：多量子阱光调制器光开关器件
- 量子阱非对称法布里-珀罗腔调制器电折变模式蓝移
- 1997年
- 对于从实验中观察到的GaAs／GaAlAs多量子讲非对称法布里一哨罗腔调制器中电致折射率变化引起的模式蓝移现象，从理论上予以讨论．利用等效光程方法分析了电致折射引起的模式的移动特性，实验和理论符合较好．
- 陈志标陈弘达吴荣汉
- 关键词：蓝移砷化镓光调制器
- CMOS-SEED多芯片集成光电子灵巧象素
- 陈弘达陈志标
- 关键词：电路优化设计
- 选择腐蚀确定垂直腔面发射激光器生长偏差对模式波长的影响被引量：2
- 1998年
- 本文提出一种可在垂直腔面发射激光器外延生长后准确确定其模式生长偏差的简便方法．利用选择性湿法腐蚀，分别测出器件各主要部分的微区光反射谱，通过模拟计算得到这些部分的厚度偏差及其对模式波长偏移的影响，使调整后再生长的器件模式位置大为改善。
- 张益潘钟杜云陈志标郑联喜吴荣汉
- 关键词：VCSEL激光器
- 多量子阱非对称法布里珀罗光调制器的模式波长调整被引量：1
- 1998年
- 本文计算了不同折射率膜层下，非对称法布里珀罗腔模式波长随膜层厚度的变化．分析了在膜层折射率较低时，模式波长随层厚的增加反而减小的机理，并在实验中研究这种现象．利用湿法腐蚀的方法移动模式波长，补偿由生长误差引入的模式波长偏差，从而做到模式波长可控，获得高消光比的器件．同时利用湿法腐蚀方法将模式波长调整到不同位置。
- 吴荣汉陈志标陈弘达高文智赵军
- 关键词：多量子阱半导体光电器件
- 多量子阱空间光调制器二维列阵被引量：4
- 1997年
- 用MBE技术生长GaAs／AlGaAs多量子阱材料，研制出8×8独立寻址反射型空间光调制器列阵，对列阵的光反射谱、光电流谱、电场调制特性及电学特性进行了全面的测试，并对列阵的均匀性进行了分析．
- 陈弘达吴荣汉高文智陈志标杜云
- 关键词：多量子阱空间光调制器
- 倒装焊SEED灵巧象素的多量子阱结构
- 陈弘达陈志标张益杜云吴荣汉
- 关键词：倒装焊SEED量子阱结构
- SEED器件及智能象元研究
- 该文对智能象元中的光器件,主要为多量子阱光调制开关器件(我们一律统一称之为SEED器件),电路和列阵光纤制备作了比较系统的,具有一定创新性的研究,主要内容如下.量子限制Stark效应是SEED器件的物理基础,它表现为量子...
- 陈志标
- 关键词：STARK效应吸收谱折射率
- GaAs/AlGaAs多量子阱FET-SEED灵巧象元
- 1998年
- 将GaAs／AlGaAs多量子阱光探测器、光调制器与GaAs场效应晶体管（FET）混合集成,构成FET-SEED灵巧象元。光探测器和光调制器均为反射型自电光效应器件（SEED）,光源为骨子阱半导体激光器。测出的光输出Pout／光输入Pin特性表明,光输入信号对光输出信号有明显的调制作用,光输入信号较小的变化可以导致光输出信号较大的变化。
- 陈弘达郭维廉吴荣汉陈志标高文智
- 关键词：多量子阱砷化镓
