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陈树鹏

作品数：38 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 36篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 14篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 14篇总剂量
  • 11篇场效应
  • 11篇场效应管
  • 8篇抗辐照
  • 7篇总剂量辐照
  • 7篇阈值电压
  • 7篇阈值电压漂移
  • 7篇MOS场效应...
  • 6篇单粒子
  • 6篇电路
  • 6篇埋氧层
  • 6篇仿真
  • 5篇氧化层
  • 5篇栅氧化
  • 5篇栅氧化层
  • 5篇总剂量效应
  • 5篇掺杂
  • 4篇源区
  • 4篇隧穿
  • 4篇集成电路

机构

  • 38篇西安电子科技...

作者

  • 38篇陈树鹏
  • 36篇刘红侠
  • 32篇王树龙
  • 5篇张丹
  • 3篇张浩
  • 3篇李伟
  • 3篇刘永杰
  • 3篇赵东东
  • 2篇李星
  • 2篇汪星
  • 2篇韩涛
  • 2篇周伟
  • 2篇陈安
  • 1篇赵璐
  • 1篇李志强
  • 1篇杨建业
  • 1篇马兰
  • 1篇韩婷婷

年份

  • 4篇2024
  • 10篇2023
  • 7篇2022
  • 7篇2021
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2013
共 38 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于总剂量和强电磁脉冲耦合的FDSOI仿真方法
本发明适用于半导体技术领域，公开了一种基于总剂量和强电磁脉冲耦合的FDSOI器件仿真方法，包括：基于第一电学特性文件和第一物理特性文件，确定FDSOI器件；对FDSOI器件进行强电磁脉冲仿真，获得第一器件烧毁时间；对FD...
刘红侠李星王树龙陈树鹏
负电容L型栅隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种负电容L型栅隧穿场效应晶体管及其制备方法。包括：埋氧层、P<Sup>‑</Sup>衬底、N<Sup>+</Sup>型夹层、P<Sup>+</Sup>型源区、栅氧化层介质、铁电介质层...
陈树鹏张浩刘红侠王树龙
文献传递
一种D触发器和应用于抗辐射锁相环的鉴频鉴相器加固结构
本发明涉及一种D触发器和应用于抗辐射锁相环的鉴频鉴相器加固结构，该D触发器包括相互连接的时钟信号滤波电路、输入信号滤波电路、复位信号滤波电路和双锁存电路；该鉴频鉴相器加固结构包括D触发器和基于差分级联电压开关逻辑的基本门...
刘红侠向琦王树龙陈树鹏
基于65nm工艺的超陡倒掺杂抗辐照MOS场效应管
本发明公开了一种基于65nm工艺的超陡倒掺杂抗辐照MOS场效应管，主要解决传统65nm MOS场效应管在总剂量辐照环境下，关态漏电流增大、阈值电压漂移和亚阈值摆幅退化的问题。其包括P型衬底(1)，位于衬底上的外延层(2)...
刘红侠张丹陈树鹏陈安侯文煜
文献传递
一种制备基于65nm工艺的冗余掺杂抗辐照MOS场效应管的方法
本发明公开了一种基于65nm工艺的冗余掺杂抗辐照MOS场效应管，主要解决传统65nm MOS场效应管在总剂量辐照环境下，阈值电压漂移、亚阈值摆幅退化和关态漏电流退化的问题。其包括P型衬底(1)和位于衬底上的外延层(2)，...
刘红侠陈树鹏张丹陈煜海刘永杰王倩琼赵东东王树龙
文献传递
基于22nm工艺的抗辐照FDSOI场效应管及其制备方法
本发明公开了一种基于22nm工艺的抗辐照FDSOI场效应管及其制备方法，主要解决现有FDSOI场效应管抗辐照性能较差的问题，其结构有两个特征，一是在现有FDSOI场效应管的埋氧层(3)与单晶硅层(4)之间增设有氮化硅牺牲...
刘红侠范晓洋王树龙陈树鹏
抗单粒子翻转的SRAM单元加固电路
本发明公开了一种抗单粒子翻转的SRAM单元加固电路，涉及集成电路技术领域，包括：存储模块，存储模块包括第一节点和第二节点，存储模块用于存储第一节点和第二节点的电平数据；其中，第一节点和第二节点的电平数据包括第一节点和第二...
刘红侠刘长俊王树龙陈树鹏
新型隧穿晶体管的结构设计与特性研究
随着场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor，MOSFET)尺寸不断缩小，集成电路性能获得了巨大的提升。而随着晶体管尺寸进入纳米时代，由于传统CMOS...
陈树鹏
关键词：频率特性
集成肖特基二极管的分裂栅4H-SiC MOSFET功率器件及制备方法
本发明提供的一种集成肖特基二极管的分裂栅4H‑SiC MOSFET功率器件及制备方法，涉及功率半导体技术领域。该集成肖特基二极管的分裂栅4H‑SiC MOSFET功率器件，首先，通过在电流扩展层CSL10加入P型屏蔽区6...
刘红侠廖求兰王树龙陈树鹏
T型栅Ge/SiGe异质结隧穿场效应晶体管及制备方法
本发明公开一种T型栅Ge/SiGe异质结隧穿场效应晶体管。其包括：P<Sup>‑</Sup>衬底(1)、第一N<Sup>+</Sup>型夹层(2)、第一P<Sup>+</Sup>型源区(3)、栅氧化层介质(6)、栅区(7...
刘红侠韩涛李伟王树龙陈树鹏
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