韩平
- 作品数：342 被引量：234H指数：8
- 供职机构：南京大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 湿法化学腐蚀研究GaN薄膜中的位错
- 2008年
- 采用湿法化学腐蚀结合扫描电子显微镜、阴极荧光谱仪手段对GaN(0001)/Al2O3中的位错进行了研究。实验以熔融的浓度比为1∶1的KOH-NaOH溶液加入质量分数为10%的MgO,对样品进行腐蚀处理,得出优化腐蚀温度400℃、腐蚀时间2.5min。通过对GaN样品表面及剖面的扫描电子显微镜(SEM)图像和阴极荧光CL谱线图、影像图的分析,获得了GaN薄膜中存在的螺位错、刃位错和混合位错的分布特性及密度,并发现薄膜中的位错自衬底沿生长方向延伸,且随薄膜厚度的增加而密度减少。实验还研究了腐蚀前后GaN光学性质的改变,发现造成影像图中位错被明亮的六角坑包围的原因是应力自衬底沿生长方向逐步释放影像,致使逐层腐蚀后薄膜的CL谱带边发光峰红移,且发光强度增强。
- 赵红韩平梅琴刘斌陆海谢自力张荣郑有炓
- 关键词：氮化镓位错扫描电子显微镜
- 采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究
- 2008年
- 利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2(100)面上采用金属有机化学气相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、横向和垂直关联长度等,由此得到螺位错和刃位错密度。考虑到m面GaN的各向异性,将〈0001〉晶向定义为0°方向,与之垂直的方向为90°方向,分别按0°和90°两个不同方向进行X射线衍射的研究。0°方向和90°方向螺位错密度分别为1.97×1010、7.193×109cm-2,0°方向螺位错密度较大;0°和90°方向刃位错密度分别为3.23999×1010、7.35068×1010cm-2,90°方向刃位错密度较大,显示了非极性GaN薄膜各向异性的特征。
- 宋黎红谢自力张荣刘斌李弋傅德颐张曾崔影超修向前韩平施毅郑有炓
- 关键词：GAN位错X射线衍射
- Si_(1-x)Ge_x:C缓冲层的生长温度对Ge薄膜外延生长的影响
- 2009年
- 用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-xGex:C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)、拉曼(Raman)衍射光谱等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xGex:C缓冲层生长温度对样品结构特征的影响。结果表明:Si1-xGex:C缓冲层中的Ge原子浓度沿表面至衬底方向逐渐降低,其平均组分随着生长温度的升高而降低,这与较高生长温度(760～820℃)所导致的原子扩散效应相关;在Si1-xGex:C缓冲层上外延生长的Ge薄膜具有单一的晶体取向,薄膜的晶体质量随着温度的升高而降低。
- 葛瑞萍韩平吴军王荣华俞斐赵红俞慧强谢自力张荣郑有炓
- 关键词：化学气相淀积生长温度
- AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延被引量：1
- 2009年
- 利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量。XRD测量结果显示得到的SiC薄膜的晶体取向单一;室温CL结果表明所得SiC薄膜为4H-SiC,且随着生长温度的升高,SiC薄膜的CL发光效率提高。生长温度、反应气源中C/Si比等工艺参数对SiC薄膜的外延生长及其性质影响的研究表明在AlN/Si(111)复合衬底上外延4H-SiC的最佳衬底温度为1230～1270℃比通常4H-SiC同质外延所需的温度低200～300℃;较为合适的C/Si比值为1.3。
- 吴军王荣华韩平葛瑞萍梅琴俞斐赵红谢自力张荣郑有炓
- 关键词：化学气相淀积
- MOCVD生长温度对InGaN薄膜性质的影响
- 本文使用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术生长在蓝宝石(α-A1_2O_3)衬底上的未掺杂六方In_xGa_(1-x)N/GaN双层薄膜,其生长温度在780℃至830℃之间递变。In_xGa_(1-x)N外延层生长在...
- 滕龙郑有蚪张荣谢自力刘斌陶涛张曌李烨操陈鹏韩平
- GaN薄膜的太赫兹光谱研究
- 太赫兹(Terahenz,THz)光谱技术是基于飞秒技术的远红外波段光谱测量新方法。太赫兹时域光谱技术在很多领域具有广阔的应用前景。本文采用太赫兹时域光谱(THz-TDs)技术测量了非故意掺杂的GaN薄膜在0.4～1.0...
- 方贺男张荣谢自力刘斌修向前陆海韩平郑有炓
- 关键词：氮化镓薄膜时域光谱太赫兹光谱金属有机物化学汽相淀积
- 文献传递
- GaN纳米柱发光特性
- 由于GaN纳米材料具有不同于体材料的独特性质及其在电子学、光子学、超高密度存储等方面的广泛的应用前景,近年来关于GaN纳米结构的研究越来越受到人们的关注,一种新的GaN纳米结构的制备方法迅速跃入人们的视野:用自组织的镍纳...
- 杨华谢自力修向前赵红陈鹏张荣施毅韩平郑有炓
- 氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算被引量：1
- 2008年
- 采用两种不同的方法分别确定了在c面蓝宝石上用氢化物气相外延(HVPE)法生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度。首先,利用选择性化学腐蚀方法研究了GaN膜中的晶体缺陷,研究区分了位错的不同类型,发现在HVPEGaN贯通位错占主导地位。由腐蚀后形成的腐蚀坑数量可以直接来确定膜中的位错密度。此外,研究了用特定的X射线衍射峰半峰宽数据计算得到位错密度的方法。结果表明,HVPE生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度为109～1010cm-2,而且两种方法所得到的结果相符合。
- 刘战辉修向前张荣谢自力颜怀跃施毅顾书林韩平郑有炓
- 关键词：位错氮化镓氢化物气相外延X射线衍射
- 利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法
- 利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法，利用MOCVD方法在蓝宝石(0001)衬底上催化合成生长InN纳米点材料，蓝宝石(0001)衬底放入生长室，预先用MOCVD生长技术在衬底表面形成金属纳米点，生长室温度在...
- 谢自力张荣修向前毕朝霞刘斌于英仪俞慧强郑有炓顾书林沈波江若琏施毅韩平朱顺明胡立群
- 文献传递
- 极细沟道NMOSFET中的大幅度随机电报信号噪声被引量：3
- 2000年
- 研究了极细沟道 NMOSFET器件的随机电报信号噪声 ( RTS)的特征 .首次在室温下观测到了大幅度 (大于 60 % )的 RTS,发现当器件工作在弱反型区时 ,RTS幅度基本与温度和栅压无关 .对 RTS的动力学机制的分析及数值模拟表明 ,载流子数涨落与迁移率涨落引起的 RTS的幅度随着沟道宽度的减小而增加 ,当沟道宽度减小至 40 nm以下时 ,由荷电陷阱对沟道载流子散射而产生的迁移率涨落对细沟道中 RTS幅度的影响起主导作用 .
- 卜惠明施毅顾书林袁晓利吴军韩平张荣郑有炓
- 关键词：噪声NMOSFET
