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高关胤

作品数:8 被引量:4H指数:1
供职机构:中国科学技术大学信息科学技术学院合肥微尺度物质科学国家实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇氧化物
  • 3篇外延膜
  • 3篇锰氧化物
  • 2篇低场
  • 2篇剪切应力
  • 2篇磁致电阻
  • 1篇导体
  • 1篇氧化物薄膜
  • 1篇自旋
  • 1篇自旋电子学
  • 1篇自旋极化
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格畸变
  • 1篇晶格结构
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇
  • 1篇CVD
  • 1篇LA0.67...
  • 1篇磁阻

机构

  • 3篇中国科学技术...
  • 1篇郑州大学
  • 1篇合肥微尺度物...

作者

  • 5篇高关胤
  • 2篇吴文彬
  • 1篇马丙现
  • 1篇杨仕娥
  • 1篇张兵临
  • 1篇吴文彬
  • 1篇姚宁

传媒

  • 1篇无机材料学报
  • 1篇帕纳科第12...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2008
  • 1篇2004
8 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
利用X射线倒易空间图对La0.67Ca0.33MnO3/NdGaO3(110)Or薄膜中正交晶格畸变的观察
利用脉冲激光沉积技术在NdGaO3(11O)Or(NGO)单晶基片上制备了La0.67Ca0.33MnO3(LCMO)外延薄膜.在完全弛豫状态下,LCMO薄膜和NGO类似具有的正交结构的赝立方钙钛矿结构,即其a轴和c轴的...
高关胤殷志珍黄振金绍维吴文彬
关键词:半导体薄膜晶格结构
文献传递
(La<,1-x>Ca<,x>)MnO<,3>外延膜的应力与厚度效应研究
自从二十世纪九十年代在钙钛矿锰氧化物薄膜中发现巨磁电阻效应以来,由于它们表现出来的低场磁阻效应以及高自旋极化率等特点,在高密度存储器件、磁随机存储和传感器以及自旋极化的全氧化物器件等方面具有广阔的应用前景,因此受到人们广...
高关胤
关键词:氧化物薄膜磁阻效应自旋极化自旋电子学外延膜
铜基体上CVD金刚石厚膜的制备被引量:2
2004年
用MWCVD方法在无预处理铜基体上获得了金刚石薄膜和厚膜。所得金刚石膜从基体上自动脱落,但形貌分析和Ramman分析表明,所得金刚石膜具有较好的质量。因此铜是制备金刚石厚膜的理想基体材料。
马丙现姚宁杨仕娥高关胤张兵临
关键词:CVD
一种低场超大磁致电阻锰氧化物外延膜及其制备方法
一种低场超大磁致电阻锰氧化物外延膜,包括La<Sub>0.67</Sub>Ca<Sub>0.33</Sub>MnO<Sub>3</Sub>外延膜和NdGaO<Sub>3</Sub>单晶基片,其特征在于:在边长为3-5mm...
高关胤吴文彬
文献传递
一种低场超大磁致电阻锰氧化物外延膜及其制备方法
一种低场超大磁致电阻锰氧化物外延膜,包括La<Sub>0.67</Sub>Ca<Sub>0.33</Sub>MnO<Sub>3</Sub>外延膜和NdGaO<Sub>3</Sub>单晶基片,其特征在于:在边长为3-5mm...
高关胤吴文彬
文献传递
共1页<1>
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