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文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇等离子体
  • 2篇氧化铟
  • 2篇射频磁控
  • 2篇射频磁控溅射
  • 2篇溅射
  • 2篇表面等离子体
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇等离子体共振
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇氧化物薄膜
  • 1篇氧化锌薄膜
  • 1篇荧光
  • 1篇荧光增强
  • 1篇射线衍射
  • 1篇离子
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光

机构

  • 3篇浙江大学
  • 1篇浙江工业大学...

作者

  • 3篇万正芬
  • 1篇吴惠桢
  • 1篇张莹莹
  • 1篇邱东江
  • 1篇徐天宁
  • 1篇原子健
  • 1篇王雄
  • 1篇朱夏明
  • 1篇杜滨阳

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 2篇2010
  • 1篇2009
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
氧化铟薄膜制备及其特性研究被引量:2
2010年
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备氧化铟薄膜,通过测试原子力显微镜、X射线衍射、X射线光电子谱、紫外可见分光光度计以及霍尔效应,研究了氧化铟薄膜的结构和光、电特性.实验发现,氧化铟薄膜表面粗糙度随着生长温度的升高而增大.X射线衍射结果表明薄膜为立方结构的多晶体,并且随着生长温度的升高,可以看到氧化铟薄膜的晶粒变大以及半高宽减小,这也说明结晶质量的改善.在可见光范围的透射率超过90%.同时,在氩气氛围下制备的薄膜迁移率最大,其电阻率、霍尔迁移率和电子浓度分别达到了0.31Ω.cm、9.69 cm2/(V.s)和1×1018cm-3.退火处理可以改善氩氧氛围下制备的薄膜的电学性能.
原子健朱夏明王雄张莹莹万正芬邱东江吴惠桢杜滨阳
关键词:氧化铟射频磁控溅射表面形貌X射线衍射电学特性
ZnO薄膜光致发光的表面等离子体增强效应
采用S(i100)做衬底、射频磁控溅射技术制备ZnO薄膜。利用激发光直接正面入射Ag/ZnO薄膜,研究了ZnO薄膜的荧光增强。发现ZnO荧光强度和Ag膜厚度密切相关,当Ag的厚度为7nm时ZnO薄膜光致发光增强了20倍。...
万正芬徐天宁吴惠桢原子健邱东江
关键词:ZNO薄膜表面等离子体荧光增强光致发光
文献传递
以表面等离子体为媒介的氧化物薄膜光致发光增强研究
表面等离子体共振已经成为一种增强材料和器件发光的有效方法。利用金属表面自由电子振荡与材料发光的相互作用,产生共振从而实现材料发光增强。氧化锌(ZnO)是一种Ⅱ-Ⅵ族直接、宽带隙化合物半导体材料,常温下ZnO的禁带宽度为3...
万正芬
关键词:氧化铟氧化锌薄膜表面等离子体共振射频磁控溅射
文献传递
共1页<1>
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