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任芳芳

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：武汉理工大学更多>>
相关领域：理学经济管理电子电信机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇经济管理
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 8篇偏振
  • 6篇电子束刻蚀
  • 6篇刻蚀
  • 6篇超材料
  • 4篇电子束蒸发
  • 4篇谐振器
  • 4篇光学
  • 4篇光学器件
  • 4篇波长
  • 2篇电介质
  • 2篇顶面
  • 2篇短波长
  • 2篇亚波长
  • 2篇亚波长结构
  • 2篇氧化硅
  • 2篇能量损失
  • 2篇自然材料
  • 2篇自然光
  • 2篇狭缝
  • 2篇线偏振

机构

  • 11篇武汉理工大学

作者

  • 11篇任芳芳
  • 10篇李政颖
  • 8篇陈志伟
  • 4篇王原丽
  • 4篇田宇

年份

  • 1篇2023
  • 6篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2012
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
光波段非对称超材料偏振调控器及其制造方法
本发明公开了一种光波段非对称超材料偏振调控器，它包括从上至下依次采用电子束蒸发沉积及电子束刻蚀工艺制备的图形化的金属微结构顶层、第一SiO<Sub>2</Sub>绝缘介质层、图形化的金属微结构中间层、第二SiO<Sub>...
杜庆国田宇李政颖任芳芳
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蓝光波段非对称超材料偏振调控器及其制造方法
本发明公开了一种蓝光波段非对称超材料偏振调控器，它的硅基层的顶面通过电子束蒸发沉积法和电子束刻蚀工艺制备第二金属光栅层，第二金属光栅层的顶面通过电子束蒸发沉积法制备第二低折射率介电材料层，第二低折射率介电材料层的顶面通过...
杜庆国陈志伟李政颖任芳芳
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宽带高透过非对称超材料偏振调控器及其制造方法
本发明涉及一种宽带高透过非对称超材料偏振调控器，所述偏振调控器包括采用电子束蒸发沉积及电子束刻蚀工艺制备的图形化的金属微纳结构底层、在图形化的金属微纳结构底层顶面采用电子束蒸发沉积制备的绝缘介质层、在绝缘介质层顶面采用电...
杜庆国田宇陈志伟李政颖任芳芳
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近红外非对称超表面偏振调控器及其制作方法
本发明涉及光学器件技术领域，具体涉及一种近红外非对称超表面偏振调控器及其制作方法。包括双杆谐振器、绝缘介质层单体和光栅条单体，双杆谐振器包括第一谐振器杆和第二谐振器杆，双杆谐振器固设于绝缘介质层单体顶部，光栅条单体固设于...
杜庆国陈志伟王原丽李政颖任芳芳
光波段非对称超材料偏振调控器及其制造方法
本发明公开了一种光波段非对称超材料偏振调控器，它包括从上至下依次采用电子束蒸发沉积及电子束刻蚀工艺制备的图形化的金属微结构顶层、第一SiO<Sub>2</Sub>绝缘介质层、图形化的金属微结构中间层、第二SiO<Sub>...
杜庆国田宇李政颖任芳芳
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企业合并会计准则实施的经济后果研究
企业合并一直是备受关注的课题之一。企业合并使用的会计处理方法不同，会使得企业合并财务报表反映出不同的财务状况和经营成果，影响到企业的资产价值及合并双方的直接经济利益，进而影响到其他相关方利益及社会资源的优化配置，即会计方...
任芳芳
关键词：企业合并会计准则财务报表经济后果
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蓝光波段非对称超材料偏振调控器及其制造方法
本发明公开了一种蓝光波段非对称超材料偏振调控器，它的硅基层的顶面通过电子束蒸发沉积法和电子束刻蚀工艺制备第二金属光栅层，第二金属光栅层的顶面通过电子束蒸发沉积法制备第二低折射率介电材料层，第二低折射率介电材料层的顶面通过...
杜庆国陈志伟李政颖任芳芳
宽带高透过非对称超材料偏振调控器及其制造方法
本发明涉及一种宽带高透过非对称超材料偏振调控器，所述偏振调控器包括采用电子束蒸发沉积及电子束刻蚀工艺制备的图形化的金属微纳结构底层、在图形化的金属微纳结构底层顶面采用电子束蒸发沉积制备的绝缘介质层、在绝缘介质层顶面采用电...
杜庆国田宇陈志伟李政颖任芳芳
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基于磷化硼材料的全电介质偏振调控器及其制作方法
本发明涉及光学器件技术领域，具体涉及一种基于磷化硼材料的全电介质偏振调控器及其制作方法。包括双杆谐振器和绝缘介质层单体，所述双杆谐振器包括第一谐振器杆和第二谐振器杆，双杆谐振器固设于所述绝缘介质层单体顶部，第一谐振器杆和...
杜庆国陈志伟王原丽李政颖任芳芳
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近红外非对称超表面偏振调控器及其制作方法
本发明涉及光学器件技术领域，具体涉及一种近红外非对称超表面偏振调控器及其制作方法。包括双杆谐振器、绝缘介质层单体和光栅条单体，双杆谐振器包括第一谐振器杆和第二谐振器杆，双杆谐振器固设于绝缘介质层单体顶部，光栅条单体固设于...
杜庆国陈志伟王原丽李政颖任芳芳
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