关辉
- 作品数：13 被引量：4H指数：1
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自然科学总论电气工程更多>>
- 真空微电子二极管及微位移传感器的研究被引量：1
- 1993年
- 首次用电荷模拟法计算了真空微电子二极管及真空微电子微位移传感器的场致发射阴极与阳极间的电场分布,进而计算了真空微电子二极管的电流一电压特性和微位移传感器的电流——位移(即阴、阳极间距)的关系曲线。模拟了两种结构的场致发射阴极:圆锥形和劈形。并用测试精度可达4nm 的水槽法模拟实验对计算结果进行了验证,理论计算与实验结果符合地很好。
- 朱长纯王海笑刘君华关辉李毓民
- 关键词：电荷模拟法微电子器件位置传感器
- 真空微电子器件制造中的无版光刻工艺
- 一种真空微电子器件制造中的无版光刻工艺，在已有阴极尖锥阵列的芯片表面制做一层绝缘层和一层栅金属层，使栅金属层按阴极尖锥形貌呈现凹凸不平的状态，然后在栅金属上涂一层光刻胶，彻底将凸起的栅金属埋入，使胶层表面光滑平整，接着整...
- 朱长纯关辉李天英刘君华陈海浪
- 文献传递
- 全硅化场致发射冷阴极真空微电子二极管实验研究
- 本文详细介绍了利用半导体硅制作的场致发射冷阴极,并在实验上获得了理想的场致发射二极管特性,为进一步利用半导体材料开发新型真空微电子器件提供了实验基础。
- 关辉朱长纯罗援
- 关键词：真空电子管真空微电子器件电子能级
- 文献传递
- 硅基场致发射光电探测器及硅锥阴极工艺研究
- 1993年
- 半导体硅锥的场致发射所具有的饱和特性可以用于制造一种新型的光电探测器,本文介绍了这种光电探测器的基本原理和构造,并对其光电阴极的核心部件——硅锥阴极的工艺进行了实验研究。
- 关辉朱长纯
- 关键词：场致发射光电探测器
- 真空微电子器件硅锥技术与栅极技术研究
- 关辉
- 真空微电子器件硅锥阴极的工艺研究被引量：1
- 1992年
- 本文介绍了利用半导体硅材料制作的真空微电子器件的核心部件,场致发射硅锥阴极,的工艺研究及实验结果。提出了两步腐蚀的工艺方案,制成了形状理想的锥体阴极。
- 关辉朱长纯刘君华
- 关键词：微电子器件
- 真空微电子器件的栅极制造技术
- 1996年
- 本文详细地介绍了真空微电子栅极工艺制造的自剥离与无版光刻技术，并用这两种方法分别制造出了符合要求的栅极结构．在现有的条件下进行了栅控场致发射特性的测试，并通过实验曲线计算出了栅控场致发射的三个参数．
- 朱长纯关辉李天英
- 关键词：真空微电子器件栅极
- 半导体场致发射的饱和特性及应用被引量：1
- 1992年
- 对p型半导体制作的硅锥阵列的场致发射的饱和特性进行了系统的研究,并讨论这种特性设计的新型高灵敏度低噪声的光电探测器的理论依据,为如何利用半导体场致发射开发新型结构器件提供新的启示.
- 朱长纯关辉罗援
- 关键词：硅场致发射半导体光电探测器
- 微型场致发射冷阴极的制作
- 1994年
- 我们利用微电子技术在硅片上制作了微型场致发射冷阴极,并对获得形貌一致的发射阵列尖锥的方法进行了讨论。
- 罗援朱长纯关辉
- 关键词：场致发射阴极冷阴极湿法刻蚀
- 真空微电子管的研究
- 1996年
- 综合了已有的真空微电子器件理论的研究成果，提出了真空微电子三极管优化模型，并且进行了初步计算，得到了真空微电子三极管优化模型的理论特性。同时，利用独创的无版光刻工艺制作了真空微电子三极管，进行了测试，并且与理论结果进行了比较。
- 关辉朱长纯陈宁张声良
- 关键词：计算机模拟真空器件微结构
