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刘伯飞

作品数：27 被引量：8H指数：2
供职机构：南开大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电气工程电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇会议论文
  • 10篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 10篇电气工程
  • 6篇电子电信
  • 5篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程

主题

  • 20篇电池
  • 14篇太阳电池
  • 11篇薄膜太阳电池
  • 6篇微晶硅
  • 5篇非晶硅
  • 4篇带隙
  • 4篇叠层
  • 4篇光电
  • 4篇ZNO
  • 3篇速率
  • 3篇高速率
  • 3篇锗
  • 3篇衬底
  • 2篇电化学
  • 2篇电化学电池
  • 2篇阳极
  • 2篇氧化锌
  • 2篇有机化学
  • 2篇微球
  • 2篇金属

机构

  • 27篇南开大学
  • 5篇光电信息技术...
  • 1篇河北工业大学

作者

  • 27篇刘伯飞
  • 21篇张晓丹
  • 20篇赵颖
  • 18篇白立沙
  • 17篇魏长春
  • 10篇孙建
  • 7篇侯国付
  • 7篇张德坤
  • 6篇赵慧旭
  • 5篇王广才
  • 5篇黄茜
  • 5篇陈新亮
  • 5篇梁俊辉
  • 4篇许盛之
  • 4篇倪牮
  • 4篇王宁
  • 2篇张鹤
  • 2篇王利
  • 2篇任慧志
  • 2篇郑新霞

传媒

  • 5篇物理学报
  • 5篇第13届中国...
  • 3篇太阳能学报
  • 3篇第十四届中国...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇科技资讯
  • 1篇第十一届中国...

年份

  • 1篇2018
  • 4篇2016
  • 5篇2015
  • 4篇2014
  • 9篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
非晶硅锗单结电池本征层指数型带隙梯度设计以及其对电池性能的影响
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术，对用于三叠层中间电池的非晶硅锗P/I/N型单结电池进行研究。针对本征层锗含量提高造成其缺陷密度增大，电池的开路电压和填充因子随之下降的问题，通过对吸收层带隙梯度进...
刘伯飞白立沙赵慧旭魏长春孙建张晓丹
引入微晶硅底电池的PIN型三结Si基薄膜太阳电池的制备被引量：1
2011年
为充分利用太阳光谱能量,在玻璃衬底的PIN型a-Si/a-SiGe电池中直接引入了微晶硅(μc-Si:H)底电池。从透明导电氧化物(TCO)衬底的光透过率估算了PIN型a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池实现高转化效率的可行性。通过调整μc-Si:H底电池厚度考察三结电池的性能变化,结果发现,受中间电池的限制,该系列电池性能无显著变化。μc-Si:H电池量子效率(QE)测试结果表明,ZnO背反射层(BR)主要辅助800 nm以上波长光吸收。初步制备的a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池的转换效率(Eff)约为6.5%(Isc=4.75 mA/cm2,Voc=2V,FF=0.71)。
张鹤郑新霞张晓丹刘伯飞林泉樊正海魏长春孙建耿新华赵颖
非晶硅锗电池性能的调控研究被引量：1
2013年
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,研究了非晶硅锗薄膜太阳电池.针对非晶硅锗薄膜材料的本身特性,通过调控硅锗合金中硅锗的比例,实现了对硅锗薄膜太阳电池中开路电压和短路电流密度的分别控制.借助于本征层硅锗材料帯隙梯度的设计,获得了可有效用于多结叠层电池中的非晶硅锗电池.
刘伯飞白立沙魏长春孙建侯国付赵颖张晓丹
关键词：短路电流密度开路电压
非晶硅界面缓冲层对非晶硅锗电池性能的影响被引量：3
2013年
针对非晶硅锗电池本征层高锗含量时界面带隙失配以及高界面缺陷密度造成电池开路电压和填充因子下降的问题,通过在PI界面插入具有合适带隙的非晶硅缓冲层,不仅有效缓和了带隙失配,降低界面复合,同时也通过降低界面缺陷密度改善内建电场分布,从而提高了电池的收集效率.进一步引入IN界面缓冲层以及对非晶硅锗本征层进行能带梯度设计,在仅采用Al背电极时,单结非晶硅锗电池转换效率达8.72%.
刘伯飞白立沙张德坤魏长春孙建侯国付赵颖张晓丹
关键词：带隙
非晶硅锗单结电池长波响应提升的初步研究
射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对用于中间电池的非晶硅锗P/I/N 型单结电池进行研究.针对中间电池需要较高的长波响应,以实现太阳光谱的合理分配的问题,采用各种工艺优化手段来提升非晶硅锗电池的长波响...
刘伯飞张晓丹白立沙王利魏长春孙建侯国付赵颖
关键词：射频
微晶硅单结电池本征层梯度设计及其对电池性能的影响
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备高速率微晶硅太阳电池,针对微晶硅材料在生长过程中存在纵向不均匀性而导致的电池光电性能随之下降的问题,通过对吸收层采用氢稀释梯度设计来调整本征层材料纵向结构,...
白立沙刘伯飞陈泽黄茜张德坤魏长春孙建赵颖张晓丹
关键词：光电性能
文献传递
超薄高速率单结微晶硅薄膜电池及其叠层电池被引量：3
2015年
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,基于优化表面形貌及光电特性的溅射后腐蚀ZnO:Al衬底,将通过调控工艺参数获得的器件质量级高速微晶硅(μc-Si:H)材料(沉积速率达10.57?/s)应用到微晶硅单结电池中,获得了初始效率达7.49%的高速率超薄微晶硅单结太阳电池(本征层厚度为1.1μm).并提出插入n型微晶硅和p型微晶硅的隧穿复合结,实现了非晶硅顶电池和微晶硅底电池之间的低损电连接,由此获得了初始效率高达12.03%(Voc=1.48 eV,Jsc=11.67 m A/cm2,FF=69.59%)的非晶硅/微晶硅超薄双结叠层电池(总厚度为1.48μm),为实现低成本生产太阳电池奠定了基础.
白立沙李天天刘伯飞黄茜李宝璋张德坤孙建魏长春赵颖张晓丹
关键词：超薄高速率
电光结构调制的非晶硅锗电池与非晶硅/非晶硅锗/微晶硅三结叠层太阳电池的研究
硅基三结叠层电池因其高效率高稳定性潜力而成为进一步提升硅基薄膜太阳电池性能的重要途径，而非晶硅锗薄膜材料(a-SiGe∶H)因其高吸收系数及可适配的光学带隙等光学特性则成为其中间子电池本征层材料的首选。然其随锗掺杂而劣化...
刘伯飞
关键词：太阳电池
文献传递
一种氧化锌光阳极薄膜及其制备方法和应用
一种氧化锌光阳极薄膜，利用金属有机化学气性沉积技术在沉积有FTO的衬底上制备氧化锌光阳极，并通过改变沉积时间和B<Sub>2</Sub>H<Sub>6</Sub>掺杂流量来改善光阳极的光电化学性能，将MOCVD-ZnO作...
张晓丹王宁梁俊辉刘伯飞魏长春赵颖
文献传递
基于光管理和带隙梯度的高效非晶硅锗电池光电结构设计
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对用于中间电池的非晶硅锗P/I/N型单结电池进行研究.通过优化溅射后腐蚀ZnO:Al衬底的横纵向尺寸,改善其光散射特性,有效提升了非晶硅锗电池的长波响应.针对恒定...
刘伯飞张晓丹白立沙张德坤魏长春孙建黄茜陈新亮王广才赵颖
关键词：优化设计光电性能
文献传递
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