刘晓梅
- 作品数：4 被引量：38H指数：3
- 供职机构：山东大学计算机科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学动力工程及工程热物理更多>>
- ZnO-SnO_2透明导电膜的低温制备及性质被引量：18
- 2004年
- 在室温下 ,采用射频磁控溅射法在 70 5 9玻璃衬底上制备出 Zn O- Sn O2 透明导电薄膜 .制备的薄膜为非晶结构 ,并且薄膜的电阻率强烈地依赖于溅射气体中的氧分压 .薄膜的最小电阻率为 7.2 7× 10 - 3Ω· cm,载流子浓度为4 .3× 10 1 9cm- 3、霍尔迁移率为 2 0 .5 cm2 / (V· s) ,在可见光范围内的平均透过率达到了 90 % .
- 黄树来马瑾刘晓梅马洪磊孙征张德恒
- 关键词：透明导电膜射频磁控溅射
- 射频磁控溅射有机衬底SnO_2∶Sb透明导电膜性能的研究
- 2003年
- 采用射频磁控溅射法在聚丙烯己二酯有机薄膜(polypropyleneadipate,PPA)衬底上低温制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2∶Sb)透明导电膜。研究了薄膜的厚度效应对SnO2∶Sb薄膜的结构、光学和电学特性的影响。制备薄膜为多晶膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构。载流子浓度和迁移率随着薄膜厚度的增加而增大,电阻率随着薄膜厚度的增加而减小,最低电阻率为2×10-3Ω·cm。
- 张士勇马瑾刘晓梅马洪磊郝晓涛
- 关键词：射频磁控溅射光电性质
- GaN薄膜的研究进展被引量：14
- 2004年
- 由于GaN薄膜有希望应用在紫外或蓝光发光器件、探测器以及高速场效应晶体管、高温电子器件,GaN材料是当前研究的一个焦点。本文简要介绍了GaN薄膜的制备、衬底选择、掺杂、缓冲层、发光机制和表征等方面的最新进展,指出GaN材料进一步发展需要解决的关键技术问题。
- 马洪磊杨莺歌刘晓梅刘建强马瑾
- 关键词：GAN薄膜发光机制
- 低温磁控溅射SnO_2:Sb透明导电膜的结构与导电性能被引量：6
- 2004年
- 采用射频磁控溅射法在7059玻璃衬底上低温制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2:Sb)透明导电膜,对薄膜的结构和电学性质进行了研究。制备薄膜为多晶膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构,而且具有明显的(110)择优取向。最低电阻率为2×10-3Ω·cm,载流子浓度和迁移率分别为1 65×1020cm-3和19 0cm2·v-1·s-1。
- 马瑾刘晓梅张士勇郝晓涛马洪磊
- 关键词：磁控溅射
