刘金虎
- 作品数：5 被引量：33H指数：3
- 供职机构：北京交通大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程动力工程及工程热物理更多>>
- 叠层钝化及一种高效太阳能电池的研究
- 随着能源问题的恶化，发展和利用太阳能电池技术成为现今世界的主流，目前单晶和多晶太阳能电池仍然占据市场的主要份额，如何提高此类太阳能电池的效率是当前我们必须面临的主要问题。论文结合生产研究SiO2和SiNx叠层钝化对单晶太...
- 刘金虎
- 关键词：双层膜氮化硅少子寿命太阳能电池电池性能
- 磷浆法制备选择性发射极单晶硅太阳电池的研究被引量：3
- 2013年
- 改变常规单晶硅太阳电池生产工艺,制备了选择性发射极太阳电池。主要方法是扩散之前,在电极区域印刷一层磷浆作为磷源对电极区域进行重扩散;与此同时,在非电极区域采用POCl3作为磷源轻扩散。以此方法制备了选择性发射极高效太阳电池,且与常规工艺电池片进行对比测试。经过测试,转换效率比常规工艺电池片高0.6%。
- 韩允赵谡玲徐征俎云燕海博刘金虎刘志平
- 关键词：太阳电池选择性发射极丝网印刷
- 硅太阳电池扩散方阻与栅线宽度匹配的研究被引量：2
- 2012年
- 研究了扩散方块电阻及印刷栅线宽度变化对太阳电池电性能的影响,根据初步实验结果提出假设,通过进一步实验进行验证。结果表明:适当地提高扩散方阻、降低栅线宽度,有利于短路电流及效率的提升。但受限于串联电阻的增大,方阻及线宽存在一个最优值,通过Matlab软件建立模型进行模拟,求出最优解。证明了扩散方阻需要与栅线宽度很好地匹配才能达到理想的效果。
- 王庆伟徐征赵谡玲张春萍俞健胡盛华钟思华刘金虎张鹏
- 关键词：太阳电池最优值
- 晶体硅太阳电池扩散工艺研究被引量：6
- 2012年
- 作为晶体硅太阳电池制作的心脏环节,扩散的效果也就是扩散后方块电阻的均匀性显得尤为重要。影响方块电阻均匀性的主要因素有:大小氮的流量、O2的流量、通源时间、再分布时间和中心温度。通过逐一改变这些因素,分析所得数据,得到一个能有效控制方块电阻大小、使方块电阻均匀性达到最佳的规律:大小氮流量的变化共同影响方块电阻均匀性;方块电阻大小的改变主要靠温度、时间、小氮的流量的改变来调节。通过以上实验规律的研究,便于常规工艺的调试和高方块电阻工艺中高方块电阻的制备和极差的优化。
- 刘金虎徐征赵谡玲刘志平李栋才
- 关键词：方块电阻均匀性
- PECVD沉积氮化硅膜的工艺研究被引量：22
- 2011年
- 采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SiH_4/NH_3比、总气体流量及时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及钝化效果的影响。在温度为450℃、NH_3/SiH_4=8:1、总气体流量为4320sccm、压力为170Pa、沉积时间为720s的条件下生长出平均膜厚为75nm、折射率为2.05、少子寿命相对较高的氮化硅膜,且应用于单晶整舟为168片的管式PECVD设备,片间膜厚级差在5nm以内,而折射率级差在0.3以内,少子寿命可提高约30%。
- 刘志平赵谡玲徐征刘金虎李栋才
- 关键词：PECVD氮化硅镀膜工艺少子寿命
