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叶林

作品数：40 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 39篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 12篇半导体
  • 11篇离子注入
  • 11篇锗
  • 10篇图形化
  • 9篇退火
  • 8篇晶格
  • 7篇单晶
  • 7篇位错
  • 7篇离子注入技术
  • 6篇单晶薄膜
  • 6篇叠层
  • 6篇叠层结构
  • 6篇湿法腐蚀
  • 6篇退火处理
  • 6篇埋氧层
  • 6篇晶格失配
  • 6篇绝缘
  • 6篇层结构
  • 5篇石墨
  • 5篇石墨烯

机构

  • 40篇中国科学院

作者

  • 40篇叶林
  • 40篇狄增峰
  • 36篇张苗
  • 27篇陈达
  • 22篇王刚
  • 18篇薛忠营
  • 16篇郭庆磊
  • 16篇母志强
  • 6篇许宝建
  • 6篇蔡奇
  • 4篇金庆辉
  • 4篇王曦
  • 4篇赵建龙
  • 4篇丁古巧
  • 4篇谢晓明
  • 3篇刘林杰
  • 2篇高晓强
  • 2篇郑晓虎
  • 2篇赵清太
  • 2篇董林玺

年份

  • 1篇2018
  • 5篇2017
  • 7篇2016
  • 9篇2015
  • 11篇2014
  • 4篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 40 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
绝缘体上锗GOI结构的制备方法
本发明提供一种GOI结构的制备方法，至少包括以下步骤：S1：提供一SOI衬底，在所述顶层硅表面形成一SiO<Sub>2</Sub>保护层；S2：从所述SiO<Sub>2</Sub>保护层正面进行离子注入，注入深度到达所述...
张苗陈达薛忠营王刚郭庆磊叶林狄增峰
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一种锗纳米线场效应晶体管及其制备方法
本发明提供一种锗纳米线场效应晶体管的制备方法，包括步骤1）提供SGOI衬底结构；2）刻蚀SiGe层，形成SiGe纳米线阵列；3）对步骤2）的结构进行锗浓缩，得到表面被SiO<Sub>2</Sub>层包裹的锗纳米线阵列；4...
狄增峰叶林许宝建蔡奇王刚张苗
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一种锗材料表面稳定钝化的方法
本发明涉及一种锗材料表面稳定钝化的方法，其特征在于利用Ge与含长碳链硫醇，在特定条件下反应，通过调整反应体系的成份和温度，实现Ge表面氧化层的有效去除，实现Ge表面的稳定钝化保护，所述的长碳链硫醇为CH<Sub>3</S...
许宝建蔡奇金庆辉赵建龙叶林狄增峰
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一种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法
本发明提供一种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法，包括步骤：1）于SOI的顶硅层表面形成C掺杂SiGe调制层；2）于所述C掺杂SiGe调制层表面形成SiGe材料层；3）于所述SiGe材料层表面形成Si帽层...
张苗陈达狄增峰薛忠营叶林王刚母志强
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一种厚度可控的绝缘体上半导体材料的制备方法
本发明提供一种厚度可控的绝缘体上半导体材料的制备方法，包括步骤：1）于第一衬底表面外延一掺杂的单晶薄膜；2）依次外延一重掺杂单晶层及一顶层半导体材料；3）将剥离离子注入至单晶薄膜下方的第一衬底预设深度的位置；4）提供表面...
张苗陈达狄增峰薛忠营王刚刘林杰母志强叶林
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一种GOI晶片结构的制备方法
本发明提供一种GOI晶片结构的制备方法，该方法首先利用Smart-Cut技术制作出SGOI晶片结构，然后对SGOI晶片结构进行锗浓缩，从而得到GOI晶片结构。由于利用Smart-Cut技术制作的SGOI在SGOI/BOX...
张苗叶林狄增峰薛忠营
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一种锗材料表面稳定钝化的方法
本发明涉及一种锗材料表面稳定钝化的方法，包括：采用不同试剂对锗片表面进行清洗，有效除去锗表面污物以及表层氧化层，实现锗表面的初步氯化；然后采用乙醇和水的混合液配制硫醇试剂，采用适当加热的钝化条件在锗表面得到自组装膜。本发...
许宝建蔡奇金庆辉赵建龙叶林狄增峰
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一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法
本发明提供一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法，包括以下步骤：S1：提供一sSOI衬底，在张应变顶层硅表面外延生长一预设Ge组分的单晶SiGe薄膜；所述张应变顶层硅的晶格长度与所述单晶SiGe薄膜的晶格长度相等；S2：在所...
张苗陈达狄增峰叶林王刚郭庆磊母志强
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一种制备直接带隙Ge薄膜的方法
本发明涉及一种制备直接带隙Ge薄膜的方法，包括提供一GeOI衬底；对所述顶层锗纳米薄膜进行图形化处理，开出若干与底部所述埋氧层贯通的腐蚀窗口；湿法腐蚀直至埋氧层被彻底腐蚀掉，使得所述图形化的顶层锗纳米薄膜与硅衬底虚接触；...
狄增峰郭庆磊张苗卞剑涛叶林陈达
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应力可调的悬浮应变薄膜结构及其制备方法
本发明提供一种应力可调的悬浮应变薄膜结构及其制备方法，该方法包括以下步骤：S1：提供一自上而下依次包括顶层应变半导体层、埋氧层及半导体衬底的半导体结构，刻蚀顶层应变半导体层形成预设图形微结构及基座；所述微结构包括一对平板...
狄增峰孙高迪陈达郭庆磊叶林董林玺张苗
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