孙世滔
- 作品数：4 被引量：7H指数：2
- 供职机构：合肥工业大学仪器科学与光电工程学院更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 基于背景对消的微波活体目标探测与定位
- 2013年
- 研究微波对活体目标的探测与定位,为提高活体目标的探测精度和定位的准确性,文中提出并验证了两种不同消除背景回波的方法,一种是把某一时刻的数据作为背景干扰,其他各时刻数据依次减去作为背景干扰的数据,此方法适用于活体目标相对静止的情况,即目标除了呼吸心跳外其他身体部位没有运动;另一种是间隔一个固定时间两个时刻的数据,间隔时间后面的数据减去间隔时间前的数据,此方法适用于活体目标走动或肢体摆幅较大情况。通过实验验证了不同方法适合不同的活体目标的状态。
- 李川孙世滔吕国强尹治平
- 关键词：频率步进雷达
- 宽带射频功放晶体管非线性输出电容研究被引量：4
- 2015年
- 分析了Ga N（氮化镓）HEMT（高电子迁移率晶体管）非线性输出电容C out与宽带功放效率的关系。通过建立非线性电路模型分析得出,利用C out控制漏极端电压电流波形能减轻对谐波阻抗的精确要求,使高效率阻抗区域扩大化,从而使宽带功放匹配变为可能。选用Ga N HEMT器件设计2~3 GHz频段射频功率放大器,实测结果为该放大器最高漏极效率（DE）为81.7%,功率附加效率（PAE）78.3%,功率为40.75 d Bm。在1 GHz带宽内PAE也可达65%以上。实测结果验证了原理分析的可靠性,提出的方法不仅可用于宽带Ga N功率放大器设计,对其他类型的微波功放设计同样有借鉴作用。
- 於建生桑磊孙世滔王华
- 关键词：宽带
- GaN HEMT非线性输出电容寄生参数研究被引量：1
- 2013年
- 分析了GaN(氮化镓)HEMT(高电子迁移率晶体管)非线性输出电容寄生参数C out与功率放大器效率的关系。通过建立非线性电路模型分析得出,C out与外部合适的匹配电路结合能产生类似电压半正弦波,电流方波的最优效率波形。选用GaN HEMT器件设计S频段射频功率放大器,实测结果显示该放大器最高漏极效率(DE)为81.7%,功率附加效率(PAE)78.56%,功率为41.16 dBm,在100 M带宽内PAE也可达74.49%以上,并且结构简单。实测结果验证了原理分析的可靠性。
- 孙世滔蔡斐李川吕国强
- 关键词：功率放大器GANHEMT
- GaN高效率功率放大器研究
- 射频功率放大器在无线通信系统的信号发射机中扮演着非常重要的角色，它占据了整个系统85/%左右的能耗，其工作带宽也在很大程度上决定了系统的工作带宽。随着现代通信数据的爆发式增长和人们对移动终端的依赖性使用，如何提高效率，延...
- 孙世滔
- 关键词：射频功率放大器宽带化
- 文献传递
