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张恩霞: 作品数：46 被引量：20H指数：2; 供职机构：上海工程技术大学材料工程学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金上海市教育委员会重点学科基金更多>>; 相关领域：电子电信理学金属学及工艺一般工业技术更多>>

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抗辐射加固的特殊体接触绝缘体上硅场效应晶体管及制备方法: 本发明涉及抗辐射加固的特殊体接触的SOIMOSFET及源漏极的注入方法。其特征在于在绝缘体上硅场效应晶体管结构中，源和漏的结深不同，漏极深度与顶层硅膜厚度一致，源极的结深小于顶层硅膜的厚度，体从源极下面与器件末端的体接触...; 张恩霞张正选王曦陈静孙佳胤; 文献传递

提高金属氧化物半导体器件场区抗总剂量的加固方法: 本发明涉及提高MOS晶体管场区抗总剂量辐射的加固方法，属于微电子与固体电子学中、半导体集成电路加工技术领域。本发明的特征在于在金属氧化物半导体器件制备工艺流程的刻蚀硅岛、场注入、去胶清洗、场氧化之后，以及预栅氧之前，在场...; 张恩霞张正选王曦林成鲁林梓鑫钱聪贺威; 文献传递

基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法: 本发明涉及一种提高基于绝缘体上的硅材料的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)抗总剂量辐射的场区加固方法，属于微电子技术领域。由此可见，其特征在于所述的场效应晶管制作的工艺过程进行体注入时，采用先进行高浓度深注...; 张恩霞张正选王曦孙佳胤钱聪贺威; 文献传递

IC塑封模内压力监测控制产品质量的工艺监控设备: 本实用新型涉及半导体器件领域，具体地是一种IC塑封模内压力监测控制产品质量的工艺监控设备，数据记录控制系统的输出端连接数据处理系统，数据处理系统的输出端分别连接压力控制器、监视显示屏，其特征在于：在IC塑封模具的每个型腔...; 曹阳根张恩霞; 文献传递

不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究被引量：1: 2006年; 研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应。实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作。研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置。通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α。; 钱聪张恩霞贺威张正选张峰林成鲁王英民王小荷赵桂茹恩云飞罗宏伟师谦; 关键词：总剂量辐照效应

不锈钢胶带卡子连续模的设计与制造被引量：2: 2008年; 3042B不锈钢的弯曲回弹量较大,成形精度的控制有较高的难度。本文设计了用这种不锈钢生产家用空调室内机出风口胶带卡子的冲压工艺、排样方案和模具结构,成功地解决了该卡子的冲压回弹问题。冲压过程采用十三工位连续模设计,含有冲孔、压棱、弯曲、整形等多种工序。模具制造后投入了大批量生产,冲压精度可以控制在0.1 mm之内,实现了100万件的年产量。; 曹阳根汪闻涛张恩霞刘方忠; 关键词：不锈钢连续模冲压工艺

部分耗尽环栅CMOS/SOI总剂量辐射效应研究: 2006年; 采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)材料进行改性,在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅CMOS/SOI反相器,并对其进行60Coγ射线总剂量辐照试验。结果表明,受到同样总剂量辐射后,改性材料制作的反相器与标准SIMOX材料制作的反相器相比,转换电压漂移小的多,亚阈漏电也得到明显改善,具有较高的抗总剂量辐射水平。; 贺威张恩霞钱聪张正选; 关键词：注氧隔离总剂量辐射效应

氧氮共注入提高SIMOX材料抗辐射性能研究: 本文采用不同的注N剂量、不同的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料.采用二次离子质谱(SIMS)分析了材料退火之后的离子分布,结果发现退火之后氮原子大多数聚集在SiO<,2>/Si界面处;为了分析材料的抗辐照加...; 张恩霞钱聪张正选王曦张国强李宁郑中山刘忠立; 关键词：离子注入辐照加固; 文献传递

Effects of Si Ion Implantation on the Total-Dose Radiation Properties of SIMOX SOI Materials: 2007年; To improve the total-dose radiation hardness,silicon-on-insulator （SOI） wafers fabricated by the separation-by-implanted-oxygen （SIMOX） method are modified by Si ion implantation into the buried oxide with a post anneal. The ID- VG characteristics can be tested with the pseudo-MOSFET method before and after radiation. The results show that a proper Si-ion-implantation method can enhance the total-dose radiation tolerance of the materials.; 杨慧张恩霞张正选; 关键词：SIMOX SOI

一种绝缘体上硅的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法: 本发明涉及一种绝缘体上硅(SOI)的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法，更明确地说是涉及一种用汞探针测试系统表征SOI材料的埋层氧化物电荷密度的方法，属于微电子学与固体电子学领域。该方法采用汞探针测试系统，通过比对腐蚀顶层...; 孙佳胤王曦陈静张恩霞; 文献传递