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张钢刚

作品数：106 被引量：15H指数：2
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家大学生创新性实验计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 92篇专利
  • 12篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 32篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 2篇电气工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 50篇电路
  • 18篇电压
  • 15篇集成电路
  • 14篇反相器
  • 13篇ESD保护
  • 11篇电流
  • 11篇功耗
  • 10篇漏极
  • 9篇低功耗
  • 9篇氧化层
  • 9篇半导体
  • 9篇ESD保护电...
  • 9篇触发器
  • 8篇时钟
  • 8篇晶体管
  • 8篇MOS器件
  • 7篇源极
  • 7篇偏置
  • 6篇电流镜
  • 6篇电容

机构

  • 106篇北京大学

作者

  • 106篇张钢刚
  • 73篇贾嵩
  • 71篇王源
  • 68篇张兴
  • 29篇何燕冬
  • 10篇张雪琳
  • 9篇陆光易
  • 8篇洪杰
  • 7篇徐鹤卿
  • 7篇刘黎
  • 6篇吴峰锋
  • 6篇吉利久
  • 5篇梁雪
  • 5篇刘俐敏
  • 5篇孟庆龙
  • 4篇李宏义
  • 4篇艾雷
  • 4篇张鹏
  • 4篇杜刚
  • 3篇徐越

传媒

  • 7篇北京大学学报...
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇航空计算技术
  • 1篇中国集成电路
  • 1篇第九届北京学...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 8篇2017
  • 1篇2016
  • 13篇2015
  • 18篇2014
  • 19篇2013
  • 20篇2012
  • 16篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 4篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2004
  • 1篇2002
共 106 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
栅氧化层界面陷阱密度测试结构及测试方法
本发明涉及MOS器件质量及可靠性研究领域，公开了一种栅氧化层界面陷阱密度测试结构及方法。本发明使得n型和p型MOS器件的栅氧化层界面陷阱密度测试可以在同一测试结构上完成，不仅可以缩短一半的测量的时间，而且由于本测试方法是...
何燕冬张钢刚刘晓彦张兴
文献传递
高性能的标准单元库设计被引量：2
2007年
从仿真和流片两个方面对标准单元库的验证方法进行了研究。在仿真方面,提出了采用静态时序分析工具和SPICE仿真工具对单元的估算值和仿真结果进行比较分析的方法来验证,同时还给出了具体的操作步骤实例。在流片验证中,提出了一种非常有效的电路结构。这种电路结构不但能够准确验证时序,还能极大地减少PAD数量;最重要的特点是:该电路能够完全避免PAD和非被测单元的引入带来的额外延迟,从而得到准确的被测单元延迟。
卢俊贾嵩王源张钢刚
关键词：标准单元库静态时序分析流片
低电压静态随机存储器单元、存储器和写操作方法
本发明公开了一种低电压静态随机存储器单元、存储器和写操作方法，涉及存储器领域。该低电压静态随机存储器单元包括写字线、读位线、读字线、第一写位线、第二写位线、NMOS管mn0～mn3、PMOS管mp0、反相器inv1～in...
贾嵩刘俐敏李夏禹王源张钢刚
文献传递
ESD电源箝位电路
本发明公开了一种ESD电源箝位电路，涉及半导体集成芯片的ESD保护技术领域。该电路包括电源管脚VDD、接地管脚VSS、及连接至所述电源管脚VDD与接地管脚VSS之间的静电放电检测结构及箝位器件，所述静电放电检测结构进一步...
张雪琳王源贾嵩张钢刚张兴
一种LDMOS ESD器件
本发明涉及集成电路的静电放电保护技术领域，尤其涉及一种LDMOS ESD器件。本发明的LDMOS ESD器件在源漏区的下方引入P+掺杂区，使得在LDMOS ESD器件获得更高的二次击穿电流。当ESD冲击发生时，寄生的晶体...
王源张立忠陆光易贾嵩张钢刚张兴
文献传递
用于检测MOS器件晶向相关性的可靠性测试结构及方法
本发明公开了一种用于检测MOS器件晶向相关性的可靠性测试结构及方法，该结构包括：两个MOS器件，所述两个MOS器件的源极、漏极分别连接，形成两个器件共同的源极和共同的漏极，所述两个MOS器件具有不同的晶向，且沟道宽度为W...
何燕冬张钢刚刘晓彦张兴
用于测试氧化层击穿可靠性的结构及方法
本发明公开了一种用于测试氧化层击穿可靠性的结构及方法，该结构包括具有不同面积的多个氧化层电容，多个氧化层电容共享同一个栅极，每个氧化层电容包括一个衬底，且各个氧化层电容的衬底相互分离。本发明的测试结构不仅可以使用常规的半...
何燕冬张钢刚刘晓彦张兴
文献传递
折叠器、折叠插值型模/数转换器
本发明公开一种折叠器、折叠插值型模/数转换器。其中，折叠器包括折叠放大电路和输出负载电路，所述折叠放大电路包括奇数个折叠块，所述折叠块由N型MOS管折叠块和P型MOS管折叠块交错排列连接，其中，所述多个N型MOS管折叠块...
刘振贾嵩王源张钢刚张兴
文献传递
Sigma-Delta调制器及包括该调制器的Sigma-Delta模数转换器
本发明为一种能增大输入信号范围提高精度的低线路敏感性Sigma-Delta调制器，包括：第一模拟减法器、第一增益单元、至少一个辅助量化器、第二增益单元、第二模拟减法器、内部Sigma-Delta调制模块、移位寄存器、数字...
李宏义王源贾嵩张钢刚张兴
高速CML锁存器
本发明公开了一种高速CML锁存器，所述CML锁存器在传统的CML锁存器的基础上增加一个NMOS晶体管，利用晶体管来提升锁存支路的偏置电流，从而使锁存支路达到更高的放大增益，起到提升电路速度的作用。本发明的高速CML锁存器...
王源张雪琳贾嵩张钢刚张兴
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