李苗苗
- 作品数：7 被引量：12H指数：3
- 供职机构：河南师范大学物理与信息工程学院更多>>
- 发文基金：河南省科技攻关计划河南省教育厅自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程理学自然科学总论文化科学更多>>
- 溅射功率及压强对磁控溅射Mo薄膜电学性能和表面形貌的影响被引量：4
- 2011年
- 采用直流磁控溅射的方法在普通玻璃衬底上沉积Mo薄膜,研究了工作压强、溅射功率对Mo薄膜的电学性能、表面形貌的影响.实验表明,在我们所使用的压强范围内(0.2~2.0 Pa),溅射压强低时,沉积速率较快,制备出的薄膜导电性能亦较好;0.4 Pa时达到最佳值,电阻率为1.22×10-4Ω.cm,且扫描电镜(SEM)图显示薄膜具有致密、平整的表面形貌;在压强固定时(0.2 Pa),沉积速率随溅射功率(50~150 W)基本呈线性增加,且随溅射功率的增加,制备的Mo薄膜更加致密,显示出连续降低的电阻率;148 W时,电阻率为7.6×10-5Ω.cm.
- 王天兴夏存军李超李苗苗杨海刚宋桂林常方高
- 关键词：直流磁控溅射溅射功率表面形貌
- CuIn_(1-x)Ga_xSe_2/CuIn_(1-x)Al_xSe_2电子结构与光学特性的第一性原理计算
- 2011年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似的PBE平面波超软赝势方法计算了CuIn1-xGaxSe2(CIGS)和CuIn1-xAlxSe2(CIAS)的电子结构及光学性质.计算结果表明黄铜矿型CIGS和CIAS都是直接带隙半导体材料,禁带宽度分别为1.34 eV,1.50 eV.计算并对比分析了CIGS和CIAS的态密度,吸收系数,反射率,复介电函数和折射指数随光子能量的变化关系.结果表明CIAS的禁带宽度偏大,导致了它的吸收光谱和复介电函数虚部相对于CIGS发生了蓝移,并且反射率较低.
- 李超李苗苗戴宪起常方高
- 关键词：CIGS第一性原理能态密度光学特性
- CIGS薄膜太阳能电池的干法制备及光电特性
- 利用磁控溅射技术，干法制备了Cu(In，Ga)Se2(CIGs)薄膜太阳能电池的鉬电极、吸收层、缓冲层、窗口层和上透明电极。用XRD、SEM对薄膜的晶体结构和表面形貌进行了袁征，用台阶仪测量薄膜的厚度，对薄膜材料的I-V...
- 夏存军李超李苗苗王天兴杨海刚宋桂林常方高
- 关键词：磁控溅射干法制备光谱响应太阳能电池光电特性表面形貌
- 文献传递
- Cu_2ZnSnS_4/Cu_2ZnSnSe_4电子结构与光学特性的第一性原理计算被引量：4
- 2012年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法,计算Cu2ZnSnS4(CZTS)和Cu2ZnSnSe4(CZTSe)的电子结构和光学特性。计算并系统对比分析CZTS和CZTSe的态密度、吸收系数、复介电函数、复折射率、反射率、复电导率和能量损失函数随光子能量的变化关系。结果表明,锌黄锡矿型CZTS和CZTSe都是直接带隙半导体材料。CZTS和CZTSe的态密度和光学特性的曲线非常相似,但CZTS的禁带宽度比CZTSe的偏大,导致CZTS的各个光学特性曲线相对于CZTSe的略微向高能方向移动。
- 李苗苗王天兴夏存军宋桂林常方高
- 关键词：CZTS能态密度光学特性
- Al,Ga掺杂ZnO电子结构和光电特性的第一性原理计算被引量：4
- 2011年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法,计算了本征ZnO,Al掺杂ZnO(ZnAlO)和Ga掺杂ZnO(ZnGaO)的能带结构、态密度、复介电函数和复电导率.其中Al或Ga是以替位杂质的形式进入ZnO晶格.计算结果表明纤锌矿型ZnO,ZnAlO和ZnGaO都是直接带隙半导体材料,掺杂后ZnO的带隙变小,且ZnAlO的带隙略大于ZnGaO.掺杂后ZnO)的电子结构发生变化,费米能级由本征态时位于价带顶上移进入导带,ZnO表现为n型掺杂半导体材料,掺杂后在导带底出现大量由掺杂原子贡献的自由载流子—电子,明显提高了电导率和介电函数,改善了ZnO的导电性能,并且ZnAlO的导电性能要略好于ZnGaO.
- 王天兴李苗苗宋桂林常方高
- 关键词：ZNON型掺杂密度泛函光学特性
- Cu(In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>)Se<sub>2</sub>和Cu<sub>2</sub>ZnSn（S/Se）<sub>4</sub>太阳能电池薄膜的实验与理论研究
- Cu(In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>)Se2和Cu<sub>2</sub>ZnSn（S/Se）<sub>4</sub>太阳能电池是多元化合物半导体材料中最具代表性的光伏器件，它们具有成本低、...
- 李苗苗
- 关键词：CIGS电学性质
- Cu(In_(0.7)Ga_(0.3))Se_2薄膜太阳电池的研究
- 2014年
- 采用直流溅射方法研究Cu(In0.7Ga0.3)Se(CIGS)薄膜太阳电池的背电极Mo薄膜、吸收层CIGS薄膜、缓冲层ZnS薄膜以及窗口层ZnO:Al(ZAO)薄膜的制备条件,并利用XRD、AFM和SEM对薄膜表面形貌进行表征。根据实验结果制备了性能良好的CIGS薄膜电池,并初步研究了电池的I-V特性,研究发现制备的太阳电池的填充因子大概为36%,并分析影响填充因子的原因。通过反复研究CIGS薄膜电池的制备条件,为制备高效CIGS薄膜电池奠定了基础。
- 朱美玲张项安胡筱王鹏李苗苗
- 关键词：Ⅰ-Ⅴ特性电学性能
