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栗敏

作品数:3 被引量:7H指数:2
供职机构:上海大学理学院物理系更多>>
发文基金:上海市教育委员会创新基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇溅射
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇衍射仪
  • 1篇英文
  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇射频
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇透明导电
  • 1篇透明导电氧化...
  • 1篇纳米硅
  • 1篇纳米硅薄膜
  • 1篇减反射膜
  • 1篇溅射法
  • 1篇溅射法制备
  • 1篇溅射压强
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇SI
  • 1篇X射线衍射仪

机构

  • 3篇上海大学
  • 1篇上海交通大学

作者

  • 3篇栗敏
  • 2篇马忠权
  • 2篇赵占霞
  • 1篇孙铁囤
  • 1篇徐飞
  • 1篇詹颜
  • 1篇王德明
  • 1篇缪存星

传媒

  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
磁控溅射SiC/SiN薄膜用作减反射膜的研究与在线磁控溅射设备方案设计
利用太阳能电池发电是解决能源问题和环境问题的重要途径之一,目前80%以上的太阳能电池是由晶体硅材料制备成的,太阳能电池制备工艺中,在硅片上做一层减反射薄膜是很重要的一道工序,它可以很大程度上提高电池的转换效率。目前工业生...
栗敏
关键词:磁控溅射X射线衍射仪原子力显微镜
文献传递
射频溅射法制备的纳米硅薄膜的能带结构和I-V特性(英文)被引量:2
2009年
用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间。Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料。结合实验数据,在HQD理论基础上,给出了这种薄膜的能带结构图,并在理论和实验上分别对薄膜的I-V特性进行了研究。
赵占霞栗敏詹颜王德明马忠权孙铁囤
关键词:纳米硅薄膜
沉积压强对Sc掺杂ZnO薄膜性能的影响被引量:5
2010年
利用射频磁控溅射方法,采用Sc2O3掺杂(质量百分比2%)ZnO为靶材在石英玻璃上制备透明导电ZnO:Sc(SZO)薄膜。用X射线衍射仪、分光光度计及霍尔测试仪等对样品进行表征,分析了沉积压强从0.3Pa到2.0Pa的变化对SZO薄膜的微结构及光学特性的影响。XRD研究结果表明所有样品都是六角密堆积结构,而且溅射压强对SZO薄膜的微结构有着显著的影响。所有SZO薄膜的透过率在可见光区域均大于85%,近紫外区域由于吸收,透射率大大降低。
缪存星赵占霞栗敏徐飞马忠权
关键词:射频磁控溅射溅射压强透明导电氧化物
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