毕臻
- 作品数：19 被引量：24H指数：2
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：河南省杰出人才创新基金国家教育部博士点基金陕西省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺更多>>
- 一种垂直结构的ZnO紫外光电导探测器的制备方法
- 本发明公开了一种制备高性能垂直结构的ZnO紫外光电导探测器的方法。该方法利用在蓝宝石或石英衬底上依次沉积ITO薄膜和ZnO薄膜；再对薄膜在氧气氛中对ZnO薄膜进行400℃热处理，改善了ZnO薄膜的光电响应特性；然后将Zn...
- 张景文毕臻边旭明侯洵王东
- 文献传递
- ZnO的激光分子束外延法制备及X射线研究被引量：11
- 2008年
- 利用激光分子束外延(L-MBE)技术在α-Al2O3(0001)衬底上生长出了沿C轴高度择优取向的ZnO外延薄膜,并采用Philips四晶高分辨X射线衍射仪(Philip′s X′Pert HR-MRD)对ZnO薄膜的表面及结构特性进行了研究.应用小角度X射线分析方法(GIXA)对ZnO薄膜的表面以及ZnO/Al2O3界面状况进行了定量表征.X射线反射率(XRR)曲线出现了清晰的源于良好表面及界面特性的Kiessig干涉振荡峰,通过对其精确拟合求得ZnO薄膜的表面及界面粗糙度分别为0.34nm和1.12nm.ZnO薄膜与α-Al2O3(0001)衬底的XRD在面(in-plane)Φ扫描结果表明形成了单一的平行畴(Alignedin-plane Oriented Domains),其在面外延关系为ZnO[1010]||Al2O3[1120].XRDω-2θ扫描以及ω摇摆曲线半峰宽分别为0.12度和1.27度,这一结果表明通过形成平行畴及晶格驰豫过程,ZnO薄膜中的应力得到了有效的释放,但同时也引入了螺位错.
- 杨晓东张景文毕臻贺永宁侯洵
- 关键词：氧化锌激光分子束外延
- L-MBE法生长ZnO薄膜的退火研究被引量：11
- 2008年
- 研究了空气退火对于激光分子束外延(L-MBE)法制备的ZnO薄膜光学及结构特性的影响,报道了采用小角度X射线分析(GIXA)技术对于ZnO薄膜退火前后的表面及界面状况的定量分析结果.RHEED衍射图样表明,薄膜经过380℃及600℃原位退火后,其表面仍然较为粗糙.而XRD在面(in-plane)Φ扫描结果显示出经过800℃空气退火之后,薄膜具有更好的外延取向性.GIXA分析结果表明,800℃退火后ZnO薄膜的表面方均根粗糙度从退火前的1.13nm下降为0.37nm;同时ZnO/Al2O3界面粗糙度从2.10nm上升为2.59nm.ZnO室温PL结果显示,退火后薄膜紫外近带边发光强度比退火前增大了40倍,并出现了源于电子-空穴等离子体(EHP)复合的N带受激发射峰,激发阈值约为200kW/cm2.
- 杨晓东张景文王东毕臻侯洵
- 关键词：氧化锌激光分子束外延退火光致发光
- 背照式ZnO基紫外成像固态焦平面探测阵列及其制备
- 本发明涉及背照式ZnO基紫外成像固态焦平面探测阵列及制备，在双面抛光的蓝宝石(0001)基底上利用激光分子束外延生长Al重掺杂的Mg<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1-x</Sub>O(Be<Sub>x</Sub>...
- 张景文毕臻边旭明侯洵杨晓东韩峰
- 文献传递
- 一种高性能ZnO MSM型紫外光电导探测器的制备方法
- 本发明公开了一种制备高性能ZnO MSM型紫外光电导探测器的方法。该方法利用在气压为9.0×10<Sup>4</Sup>Pa～1.0×10<Sup>5</Sup>Pa的纯氧气氛中对ZnO薄膜进行热处理，改善了ZnO薄膜的...
- 张景文毕臻边旭明徐庆安杨晓东侯洵
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- 一种ZnO MSM结构的紫外光电导探测器
- 本实用新型公开了一种高性能ZnO MSM结构的紫外光电导探测器，该结构包括一衬底，该衬底上沉积有ZnO薄膜层，在ZnO薄膜层上刻有作为欧姆接触的叉指电极图形，所述的叉指电极的对数为30～50，叉指电极的间距和指宽分别为1...
- 张景文边旭明毕臻徐庆安杨晓东侯洵
- 文献传递
- LMBE法生长Mg_(0.2)Zn_(0.8)O及MSM型紫外探测器的制备
- 2007年
- 采用激光分子束外延(LMBE)方法在蓝宝石(0001)面生长了高质量的Mg0.2Zn0.8O薄膜,并对薄膜在空气中900℃进行了1h的退火处理,然后采用剥离方法在薄膜表面制作了Al叉指电极,制备出MSM型Mg0.2Zn0.8O光电导紫外探测器.对响应时间的测试表明,探测器的上升时间仅为14.3ns,下降时间为6.5μs.
- 毕臻张景文边旭明王东张新安侯洵
- 关键词：紫外探测器
- 一种氨气掺杂制备增强型ZnO沟道层薄膜晶体管的方法
- 本发明公开了一种利用氨气掺杂制备增强型ZnO沟道层薄膜晶体管的方法，该方法在氧气和氨气的混合气氛中沉积氮掺杂ZnO沟道层薄膜，氨气掺杂可以在较低的温度下沉积高阻ZnO沟道层薄膜，少量氮离子的掺入降低了n型载流子浓度，同时...
- 张景文张新安侯洵王东毕臻边旭明
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- 以ZnO为沟道层的薄膜晶体管制备研究被引量：2
- 2008年
- 采用光刻剥离工艺和射频磁控溅射法分别在(100)硅片和ITO玻璃衬底上制备了以氧化锌为沟道层的底栅式薄膜晶体管(ZnO-TFT)。用X射线衍射仪、原子力显微镜对生长在绝缘层上的ZnO薄膜进行了表征。在硅衬底ZnO-TFT中,热氧化生长的二氧化硅薄膜作为绝缘层,金属铝用作源漏电极,该器件工作在N沟道增强模式,其阈值电压为8V,电流开关比为5×103,电子的场迁移率达到0.61cm2/(V.s)。在以ITO玻璃为衬底的透明ZnO-TFT中,分别采用了SiO2、Al2O3、SiNx、PbTiO3薄膜作为绝缘层,实验表明生长在不同绝缘层上的ZnO薄膜都有很高的c轴择优取向,透明ZnO-TFT在可见光波段的平均透过率达到85%。
- 张新安张景文张伟风王东毕臻张杰侯洵
- 关键词：ZNO薄膜薄膜晶体管绝缘层
- 一种垂直结构的ZnO紫外光电导探测器的制备方法
- 本发明公开了一种制备高性能垂直结构的ZnO紫外光电导探测器的方法。该方法利用在蓝宝石或石英衬底上依次沉积ITO薄膜和ZnO薄膜；再对薄膜在氧气氛中对ZnO薄膜进行400℃热处理，改善了ZnO薄膜的光电响应特性；然后将Zn...
- 张景文毕臻边旭明侯洵王东
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