王向展
- 作品数：139 被引量：118H指数：7
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取
- MOSFET热载流子可靠性物理，并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔI＜，ds＞/I＜，ds0＞、I＜，sub＞等实测数据的拟合处理，本文发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化/寿命参数提取模型；进而由自动测试ATE...
- 于奇王向展陈勇刘玉奎肖兵杨沛锋方朋杨谟华谭超元
- 一种基于吸水树脂的物理自毁器件封装结构
- 本发明公开了一种基于吸水树脂的物理自毁器件封装结构，该器件封装结构包括：陶瓷封装管壳、涤纶网纱、吸水树脂、带尖角的硬金属薄层、氧化铝陶瓷基板和芯片。所述的带尖角的硬金属薄层的硬度比氧化铝陶瓷基板的硬度大，同时有韧性、不易...
- 王向展夏好松
- 电流舵型DAC毛刺理论及改进设计
- 本文分析了高速电流舵型数模转换器中毛刺产生的原因,提出这样一个理论:开关对的栅信号转换速度不一致是产生毛刺的主要原因.并基于这一理论解释了输出的三个现象,做了三方面的改进,大幅减小了毛刺,减小了建立时间,改善了动态参数....
- 刘卫平杨谟华王向展宁宁兰中文
- 关键词：数模转换寄生电容电路设计
- 文献传递
- 两倍增益10位100 MSPS CMOS采样/保持电路被引量：1
- 2006年
- 提出了一种两倍增益高线性、高速、高精度采样/保持电路。该采样/保持电路通过对输入信号实现两倍放大,改善了高频非线性失真;一种新型的消除衬底偏置效应的采样开关,有效地提高了采样的线性度;高增益和宽带宽的折叠共源共栅运算放大器保证了采样/保持电路的精度和速度。整个电路以0.35μm AMS Si CMOS模型库验证。模拟结果显示,在输入信号为49.21875MHz正弦波,采样频率为100 MHz时,增益误差为70.9μV,SFDR可达到84.5 dB。
- 王浩娟吴霜毅宁宁于奇王向展范龙
- 关键词：非线性
- 开态电流增强的纵向隧穿场效应晶体管
- 本发明涉及小尺寸隧穿场效应晶体管技术。本发明解决了现有TFET器件性能不佳的问题，提供了一种开态电流增强的纵向隧穿场效应晶体管，其技术方案可概括为：开态电流增强的纵向隧穿场效应晶体管，与现有技术的区别在于在源区与埋氧层之...
- 王向展陆世丁曹雷李竞春于奇
- 纵向环栅非均匀掺杂锗硅沟道CMOS器件
- 本发明提供的一种纵向环栅非均匀掺杂锗硅沟道CMOS器件，其特征是它包括：n－SiGe隔离层10、渐变n<Sup>+</Sup>→n<Sup>－</Sup>掺杂SiGe层11、δ型分布p<Sup>+</Sup>掺杂SiGe...
- 于奇杨洪东王向展李竞春杨谟华
- 文献传递
- 一种MOS晶体管局部应力的引入技术
- 一种MOS晶体管局部应力的引入技术，属于半导体器件领域，尤其涉及关于在MOS晶体管栅极下面的沟道区引入局部应力的新技术。它的特征是先将在侧墙形成工艺步骤之后的MOS器件的栅极和侧墙用氮化硅薄膜覆盖，然后在MOS器件的源漏...
- 王向展秦桂霞罗谦王微李竞春
- 文献传递
- HRXRD研究SiN盖帽层在Si中引入的应变
- 2010年
- 为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了Si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系。研究发现,盖帽层厚度低于300nm时,应变量与厚度呈近线性关系,随后增加趋缓,最终达到一饱和值;同时,应变在不同晶向表现出明显的各向异性,表层应变Si与未应变Si衬底在(004)晶面上的衍射峰重叠在一起,而(111)晶面的2个衍射峰可明显地被分离,且倾角对Si衬底衍射峰半高宽具有明显的展宽。
- 杨洪东于奇王向展李竞春罗谦姬洪
- 关键词：氮化硅
- 一种具有表面应力调制结构的应变NMOSFET器件
- 本发明涉及半导体技术，具体为一种具有表面应力调制结构的应变NMOSFET器件。本发明通过两个绝缘介质层分别紧靠设置于源区和漏区外侧表面，并且位于浅槽隔离区的正上方，在栅两侧到绝缘介质层之间的源区和漏区上方区域分别形成两个...
- 罗谦 孟思远 檀长桂王向展于奇
- 新型分段多分搜索算法高速A/D转换方案被引量：1
- 2008年
- 针对比较器、子DAC和残差放大器单元对高速ADC面积与功耗的制约,从基准区间搜索过程入手,提出了分段多分搜索算法和基于该算法的新型模数A/D转换方案,从而实现了速度与功耗的优化。并采用SMIC0.35μmCMOS工艺模型实验设计了芯片面积仅为1.0mm×0.8mm的8位250MSPsADC。模拟验证表明,其功耗仅85mW,无杂散动态范围达64.92dB,INL和DNL均小于±0.5LSB。
- 王向展宁宁于奇
- 关键词：高速ADC低功耗
