您的位置： 专家智库 > >

王国全

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：沈阳大学更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电阻
  • 1篇损伤层
  • 1篇离子注入
  • 1篇扩展电阻
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱分析
  • 1篇红外
  • 1篇红外光
  • 1篇红外光谱
  • 1篇红外光谱分析
  • 1篇N^+
  • 1篇硅

机构

  • 1篇大连大学
  • 1篇沈阳大学

作者

  • 1篇王国全
  • 1篇解英艳

传媒

  • 1篇大连大学学报

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
N^+和N_2^+离子注入硅的材料性能研究
2005年
本文应用X射线衍射方法、红外光谱分析方法、扩展电阻测量方法研究了N+和N+2注入硅的应变、损伤度、扩展电阻率随注入剂量、注入深度变化的规律,形成Si3N4非晶层的条件.建立了多层的物理模型和胁变函数的数学模型,利用计算机和曲线拟合等手段,得出了合理的结论.
王国全解英艳
关键词：损伤层扩展电阻N^+红外光谱分析
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0