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王文君

作品数：2 被引量：4H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇砷化镓
  • 1篇电路
  • 1篇电子器件
  • 1篇纳电子器件
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米电子
  • 1篇纳米电子器件
  • 1篇抗辐射
  • 1篇集成电路
  • 1篇辐照效应
  • 1篇GAAS集成...

机构

  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇天津大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 2篇王文君
  • 1篇周均铭
  • 1篇张豫黔
  • 1篇赵振波
  • 1篇杨中月
  • 1篇田国平
  • 1篇牛萍娟
  • 1篇魏碧华
  • 1篇郭维廉
  • 1篇梁惠来
  • 1篇张世林

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2002
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
GaAs集成电路辐照效应试验研究被引量：1
2010年
GaAs集成电路因其良好的电性能和抗辐射能力,广泛应用于各领域,尤其是航天航空方面。电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,因此对3 bit GaAs加权相加电路进行了全面的辐照效应试验技术研究,主要对该电路进行中子、γ总剂量和γ剂量率辐照试验研究,对GaAs集成电路的耐辐照性进行了探讨,为建立中等规模耐辐射GaAs IC的电路设计、工艺制造和测试技术平台奠定了基础。
王文君田国平
关键词：砷化镓集成电路抗辐射
纳电子器件谐振隧道二极管的研制被引量：3
2002年
采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构 ,然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管 (RTD) ,有相当好的 I- V特性 .对于 5μm× 5μm的 RTD器件 ,在室温条件下 ,测得其峰谷比最大可到 7.6∶ 1,最高振荡频率大于 2 6
梁惠来赵振波郭维廉张世林牛萍娟杨中月郝景臣张豫黔王文君魏碧华周均铭王文新
关键词：纳米电子器件砷化镓
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共1页<1>
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