王晓亮
- 作品数：286 被引量：149H指数：6
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学理学经济管理更多>>
- GaN外延层的拉曼散射研究
- 李国华段树琨王晓亮
- 关键词：纳米X射线衍射拉曼光谱
- 用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法
- 一种用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)选择一衬底；2)在衬底上采用分子束外延法生长一层氮化层，使得蓝宝石表面形成生长氮化物的浸润层；3)升高衬底的温度；4)在氮化层上生长一层成核层，...
- 王保柱王晓亮王晓燕王新华肖红领王军喜刘宏新
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- 具有n-p-n结构背势垒的高电子迁移率晶体管及其制作方法
- 本发明公开了一种具有n‑p‑n结构背势垒的高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中，该电子迁移率晶体管包括：衬底；成核层，位于衬底之上；高阻缓冲层，位于成核层之上；背势垒缓冲层，位于高阻缓冲层之上，为n型掺杂区、p型掺杂区和...
- 王晓亮陈昌禧王权徐健凯冯春姜丽娟肖红领王茜
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- 可调节的感应线圈装置
- 本发明公开了一种可调节的感应线圈装置，包括：N匝感应线圈，N为正整数；陶瓷盘，与感应线圈所在平面平行设置；螺栓和螺母，用于连接并固定N匝感应线圈和陶瓷盘，通过螺栓和螺母的配合使得各匝感应线圈沿着垂直于线圈平面方向上的高度...
- 王晓亮冯春王权姜丽娟肖红领李巍
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- 极化诱导AlxGa1-xN/GaN HEMT结构材料及器件性能研究
- Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN HEMT材料具有更大的自发极化强度和更大的压电极化系数,由于自发极化和压电极化效应的影响,Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN HEMT结构材料可产生的二维电子气浓度可大于10<...
- 王晓亮孙殿照王军喜胡国新刘宏新刘成海曾一平李晋闽林兰英
- 关键词：自发极化压电极化二维电子气HEMT器件
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- 双异质结构GaN HEMT研究进展
- 基于宽禁带氮化镓(GaN)基材料的高电子迁移率晶体管(HEMT)击穿电压高、频率和效率高、输出功率大、抗辐射、耐高温,是理想的微波、毫米波功率器件.随着GaN基微波功率器件的频率从微波到毫米波并逐渐提高,器件的尺寸不断缩...
- 王翠梅肖红领王晓亮
- 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
- 一种宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一高温氮化铝成核层，该高温氮化铝成核层制作在衬底的上面；一铝(铟)镓氮超晶格缓冲层，该铝(铟)镓氮超晶格缓冲层制作在高温氮化铝成核层的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓...
- 王晓亮马志勇胡国新肖红领冉军学王翠梅罗卫军
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- 用于金属有机化合物化学气相沉积设备反应室的进气顶盘
- 本发明提供了一种用于金属有机化合物化学气相沉积设备反应室的进气顶盘。该进气顶盘包括：上层进气盘和下层匀气盘，下层匀气盘为三层台阶盘体，在上层进气盘和下层匀气盘之间形成三个独立的进气腔-第一进气腔、第二进气腔和第三进气腔，...
- 王晓亮殷海波肖红领姜丽娟冯春
- 蓝宝石衬底上单晶InN薄膜的MOCVD生长
- 采用非掺GaN为缓冲层,利用金属有机物气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN薄膜.用光学显微镜观察得到的InN薄膜,表面无铟滴生成.InN (0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半峰宽为9....
- 肖红领王晓亮杨翠柏胡国新冉军学王翠梅张小宾李建平李晋闽
- 关键词：MOCVD生长气相沉积晶体质量
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- 阶梯型混合栅p-GaN氮化镓基晶体管结构及制作方法
- 本公开提供了一种阶梯型混合栅p‑GaN氮化镓基晶体管结构及制作方法，其阶梯型混合栅p‑GaN氮化镓基晶体管结构自下而上顺次包括：衬底、成核层、高阻层、高迁移率层和势垒层；还包括：p型GaN帽层、源极、漏极、绝缘介质层和栅...
- 王晓亮牛迪王权李巍肖红领冯春姜丽娟王茜刘宏新
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