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王泽恒

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 4篇源极
  • 4篇HEMT器件
  • 3篇导体
  • 3篇异质结
  • 3篇增强型
  • 3篇半导体
  • 2篇电荷
  • 2篇电路
  • 2篇电压
  • 2篇阳极
  • 2篇栅控
  • 2篇隧穿
  • 2篇阻断电压
  • 2篇肖特基
  • 2篇漏极
  • 2篇禁带
  • 2篇宽禁带
  • 2篇宽禁带半导体
  • 2篇二极管
  • 2篇反向电压

机构

  • 13篇电子科技大学

作者

  • 13篇王泽恒
  • 10篇张波
  • 9篇周琦
  • 8篇陈万军
  • 7篇刘丽
  • 4篇李建
  • 4篇施媛媛
  • 4篇张安邦
  • 2篇姚远哲
  • 2篇陈博文
  • 1篇张争光
  • 1篇赵莹
  • 1篇陈楚雄

传媒

  • 1篇成才之路

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 3篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种调制Ⅲ族氮化物半导体增强型器件阈值电压的方法
本发明属于半导体材料技术领域，具体的说是涉及一种调制Ⅲ族氮化物半导体增强型器件阈值电压的方法。本发明的方法，主要步骤为：在Ⅲ族氮化物半导体材料上淀积栅氧化层介质后，进行有机清洗；将清洗后的Ⅲ族氮化物半导体材料置于快速退火...
周琦胡官昊靳旸陈博文王泽恒刘丽陈万军张波
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一种集成SBD的增强型HEMT
本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种集成SBD的增强型HEMT。本发明中源极为肖特基接触而非一般器件的欧姆接触，且源极分为两部分，一部分由源极金属形成，用以提供较高的电压阻断能力，另一部分由金属形成，用以提供更好的...
陈万军王泽恒刘丽胡官昊李建周琦张波
文献传递
一种具有栅控结构的GaN异质结功率二极管
本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种具有栅控结构的GaN异质结功率二极管。本发明的二极管的阳极由两部分构成，一部分肖特基金属淀积在全刻蚀形成的凹槽中，形成肖特基金属-二维电子气(2DEG)接触；另一部分肖特基金属淀...
周琦李建王泽恒施媛媛张安邦刘丽张波
文献传递
一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法
本发明属于功率半导体器件领域，具体的涉及一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。本发明所提出的新型逆导型绝缘栅双极晶体管，其创新之处是将结终端阳极区域的P型掺杂替换为N型掺杂，这样在元胞区的N型阳极区可以做的比较短，从而...
陈万军陈楚雄娄伦飞唐血锋陶宏胡官昊王泽恒张波
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人才培养视域下理工科院校人文素质教育初探
2014年
国内理工科院校中，有的人文教育缺失较为严重。要认识到人文教育的必要性、重要意义，研究存在的主要问题与实际困难。在理工科院校开展中医文化教育，可以提升学生人文素养，提高学生心理素质、社会适应能力和道德水准，更好地促进学生成长成才。
姚远哲赵莹王泽恒张争光
关键词：院校人文素质教育
一种增强型HEMT器件
本发明属于半导体技术领域，涉及一种增强型HEMT器件。本发明提供的栅控增强型HMET器件，与常规的凹槽栅-增强型AlGaN/GaN？HEMT器件不同的是，本发明中源极金属与半导体之间的接触是肖特基接触而不是常规结构中的欧...
陈万军施宜军王泽恒胡官昊刘丽周琦张波
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一种GaN基隧穿FinFET器件及其制造方法
本发明提供一种GaN基隧穿FinFET器件及其制造方法，器件包括：衬底、叠层、栅绝缘介质层以及栅金属层，叠层包括GaN层、XN层、源极金属层，XN层上方设有漏极金属层，制造方法步骤为：原始材料为具有XN/GaN外延层的晶...
周琦张安邦陈博文靳旸施媛媛王泽恒李建张波
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立体多槽栅增强型HEMT器件及其制备方法
本发明提供一种立体多槽栅增强型HEMT器件及其制造方法，包括衬底、衬底上方的异质结、栅极、源极和漏极，栅极设有多个U型槽构成的立体多槽栅结构，该立体多槽栅结构通过刻蚀异质结形成，在漏极至源极方向相邻U型槽之间的距离依次减...
周琦张安邦施媛媛刘丽王泽恒陈万军张波
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一种集成SBD的增强型HEMT
本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种集成SBD的增强型HEMT。本发明中源极为肖特基接触而非一般器件的欧姆接触，且源极分为两部分，一部分由源极金属形成，用以提供较高的电压阻断能力，另一部分由金属形成，用以提供更好的...
陈万军王泽恒刘丽胡官昊李建周琦张波
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一种HEMT器件
本发明属于半导体器件技术领域，涉及一种HEMT器件。与常规器件不同的是，本发明中自嵌位结构为在栅极的漏极一侧与AlGaN势垒层形成的凹槽型肖特基接触金属，并与源极之间进行电气连接。在器件工作时，是由肖特基接触金属部分和A...
陈万军王泽恒信亚杰施宜军胡官昊周琦张波
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