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王泽恒
作品数:
13
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供职机构:
电子科技大学
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相关领域:
电子电信
文化科学
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合作作者
张波
电子科技大学
周琦
电子科技大学
陈万军
电子科技大学
刘丽
电子科技大学
张安邦
电子科技大学
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机构
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王泽恒
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张波
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周琦
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陈万军
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刘丽
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李建
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一种调制Ⅲ族氮化物半导体增强型器件阈值电压的方法
本发明属于半导体材料技术领域,具体的说是涉及一种调制Ⅲ族氮化物半导体增强型器件阈值电压的方法。本发明的方法,主要步骤为:在Ⅲ族氮化物半导体材料上淀积栅氧化层介质后,进行有机清洗;将清洗后的Ⅲ族氮化物半导体材料置于快速退火...
周琦
胡官昊
靳旸
陈博文
王泽恒
刘丽
陈万军
张波
文献传递
一种集成SBD的增强型HEMT
本发明属于半导体技术领域,具体的说涉及一种集成SBD的增强型HEMT。本发明中源极为肖特基接触而非一般器件的欧姆接触,且源极分为两部分,一部分由源极金属形成,用以提供较高的电压阻断能力,另一部分由金属形成,用以提供更好的...
陈万军
王泽恒
刘丽
胡官昊
李建
周琦
张波
文献传递
一种具有栅控结构的GaN异质结功率二极管
本发明属于半导体技术领域,具体的说涉及一种具有栅控结构的GaN异质结功率二极管。本发明的二极管的阳极由两部分构成,一部分肖特基金属淀积在全刻蚀形成的凹槽中,形成肖特基金属-二维电子气(2DEG)接触;另一部分肖特基金属淀...
周琦
李建
王泽恒
施媛媛
张安邦
刘丽
张波
文献传递
一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法
本发明属于功率半导体器件领域,具体的涉及一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。本发明所提出的新型逆导型绝缘栅双极晶体管,其创新之处是将结终端阳极区域的P型掺杂替换为N型掺杂,这样在元胞区的N型阳极区可以做的比较短,从而...
陈万军
陈楚雄
娄伦飞
唐血锋
陶宏
胡官昊
王泽恒
张波
文献传递
人才培养视域下理工科院校人文素质教育初探
2014年
国内理工科院校中,有的人文教育缺失较为严重。要认识到人文教育的必要性、重要意义,研究存在的主要问题与实际困难。在理工科院校开展中医文化教育,可以提升学生人文素养,提高学生心理素质、社会适应能力和道德水准,更好地促进学生成长成才。
姚远哲
赵莹
王泽恒
张争光
关键词:
院校
人文素质
教育
一种增强型HEMT器件
本发明属于半导体技术领域,涉及一种增强型HEMT器件。本发明提供的栅控增强型HMET器件,与常规的凹槽栅-增强型AlGaN/GaN?HEMT器件不同的是,本发明中源极金属与半导体之间的接触是肖特基接触而不是常规结构中的欧...
陈万军
施宜军
王泽恒
胡官昊
刘丽
周琦
张波
文献传递
一种GaN基隧穿FinFET器件及其制造方法
本发明提供一种GaN基隧穿FinFET器件及其制造方法,器件包括:衬底、叠层、栅绝缘介质层以及栅金属层,叠层包括GaN层、XN层、源极金属层,XN层上方设有漏极金属层,制造方法步骤为:原始材料为具有XN/GaN外延层的晶...
周琦
张安邦
陈博文
靳旸
施媛媛
王泽恒
李建
张波
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立体多槽栅增强型HEMT器件及其制备方法
本发明提供一种立体多槽栅增强型HEMT器件及其制造方法,包括衬底、衬底上方的异质结、栅极、源极和漏极,栅极设有多个U型槽构成的立体多槽栅结构,该立体多槽栅结构通过刻蚀异质结形成,在漏极至源极方向相邻U型槽之间的距离依次减...
周琦
张安邦
施媛媛
刘丽
王泽恒
陈万军
张波
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一种集成SBD的增强型HEMT
本发明属于半导体技术领域,具体的说涉及一种集成SBD的增强型HEMT。本发明中源极为肖特基接触而非一般器件的欧姆接触,且源极分为两部分,一部分由源极金属形成,用以提供较高的电压阻断能力,另一部分由金属形成,用以提供更好的...
陈万军
王泽恒
刘丽
胡官昊
李建
周琦
张波
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一种HEMT器件
本发明属于半导体器件技术领域,涉及一种HEMT器件。与常规器件不同的是,本发明中自嵌位结构为在栅极的漏极一侧与AlGaN势垒层形成的凹槽型肖特基接触金属,并与源极之间进行电气连接。在器件工作时,是由肖特基接触金属部分和A...
陈万军
王泽恒
信亚杰
施宜军
胡官昊
周琦
张波
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