缪庆元
- 作品数：21 被引量：29H指数：3
- 供职机构：武汉大学电子信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划湖北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学交通运输工程机械工程更多>>
- 兼顾增益与折射率变化的低偏振量子点材料研究
- 2020年
- 对比分析了InGaAs/InGaAsP柱状量子点材料TE模和TM模增益谱及其折射率变化谱随点区材料组分、垒区材料组分和量子点高宽比的变化特性,并剖析了其中的物理机理。进一步联合考虑点区和垒区组分变化对兼顾增益与折射率变化以及偏振相关性的影响,提出了一种多参数调配方法,并据此设计出在1550nm通信波段(1540~1560nm)内兼顾增益与折射率变化的低偏振量子点材料In0.97Ga0.03As/In0.76Ga0.24As0.52P0.48。最后通过分析,选定合适的工作载流子浓度。当载流子浓度为0.6×10^24 m^-3时,TE模和TM模的3dB谱宽交叠区面积分别为8.66×10^3和7.55×10^3nm/cm,增益和折射率变化的偏振相关性分别在3%和10%以内。研究结果有助于未来全光网络中关键器件的优化设计。
- 缪庆元吴子涵
- 关键词：量子点增益折射率变化
- 基于半导体光放大器交叉偏振调制的波长转换分析被引量：4
- 2003年
- 对半导体光放大器 (SOA)中光偏振态发生改变的原因和交叉偏振调制型波长转换进行了探讨和分析 .如果SOA具有偏振不灵敏增益 ,则波长转换效果与泵浦光的偏振态无关 ,而只与探测光的偏振态有关 ,而且当入射探测光的偏振与TE模振动方向成 4 5°夹角时 ,交叉偏振调制的效果最明显 .为了使转换效果更好 ,宜采用反相波长转换 ,SOA的自发辐射耦合因子
- 黄黎蓉黄德修缪庆元
- 关键词：半导体光放大器波长转换交叉偏振调制
- 兼顾量子阱材料增益与折射率变化的研究被引量：2
- 2017年
- 对比分析了量子阱材料增益谱及其折射率变化谱随阱宽、应变和载流子浓度的变化特性,在此基础上以两谱线3dB谱宽交叠区面积为度量,分析了各因素对兼顾材料增益与折射率变化的影响,并剖析了其中的物理机理。研究表明,两谱线3dB谱宽交叠区面积随阱宽的变化过程中存在一个极大值;引入压应变有利于增大交叠区面积;交叠区面积随载流子浓度单调增加的过程中存在一个转折点,在转折点之前增加迅速,在转折点之后增加放缓。基于以上影响规律,选取适当的阱宽与压应变量,在载流子浓度为3.0×10^(24) m^(-3)时,设计出的In0.583Ga0.417As/In0.817Ga0.183As0.4P0.6量子阱在C波段内可恰当地兼顾增益与折射率变化,两谱线3dB谱宽交叠区面积为3.7×10~4 nm/cm。
- 缪庆元何秀贞
- 关键词：增益折射率变化
- 载流子导引的折射率变化偏振相关性研究
- 2012年
- 分析了载流子浓度、张应变量大小、量子阱阱宽和量子阱垒区材料组分对量子阱结构TE模和TM模折射率变化的影响.综合调配以上参数得到1530—1570 nm波长范围内同时具有大的折射率变化量(10^(-2)量级)和折射率变化低偏振相关(10^(-4)量级)的量子阱结构.研究表明,不同的调配参数组合可以得到同一波长范围内基本一致的折射率变化谱.
- 缪庆元崔俊胡蕾蕾何健何平安黄德修
- 关键词：折射率变化偏振相关
- 集成双波导半导体光放大器小信号放大纵向特性
- 2012年
- 为了研究集成双波导半导体光放大器（ITG-SOA）小信号放大纵向特性,运用ITG-SOA静态分析模型进行了分析。结果表明,小信号放大时,ITG-SOA有源和无源波导间能够实现周期性光功率转移和完全的功率交换;与半导体光放大器中载流子浓度沿纵向单调下降明显不同,ITG-SOA有源波导中的载流子浓度沿纵向周期性摆动,且摆动幅度沿纵向逐渐加大;有源波导归一化层厚度、有效折射率和纵向传播常数等特性参量亦呈现出特有的纵向分布。这一结果对于深刻理解ITG-SOA小信号放大时的工作机理是有帮助的。
- 缪庆元何健何平安王宝龙黄德修
- 关键词：集成光学静态分析模型
- 量子线材料折射率变化偏振相关性研究
- 2019年
- 有源区载流子浓度变化导引的折射率变化是许多新型光通信器件的工作机理,对量子线材料折射率变化偏振相关性的研究有利于改善器件的性能。首先分析了线区材料组分、垒区材料组分、柱状量子线直径和载流子浓度对量子线材料TE模和TM模折射率变化的影响。以此为基础,提出了一种实现量子线材料折射率变化低偏振相关的多参数调配方法,并设计出C波段(1 530~1 565 nm)内折射率变化低偏振相关(<1%)的InGaAs/InGaAsP量子线材料,表明该多参数调配方法对量子线材料折射率变化低偏振相关的设计具有指导作用。
- 周熠缪庆元何平安王宝龙
- 关键词：量子线折射率变化偏振相关
- 兼顾增益和折射率变化的低偏振混合应变多量子阱结构研究
- 2020年
- 对比分析了单量子阱TE模和TM模增益谱及其折射率变化谱随应变、阱宽的变化规律,同时分析了应变和阱宽对兼顾增益和折射率变化的影响。进一步考虑波导的光学限制因子及多量子阱阱间载流子浓度分布的不均匀性,提出一种多参数调配方法,据此设计出C波段内兼顾增益谱和折射率变化谱的低偏振混合应变多量子阱结构。最后,通过分析选定合适的载流子浓度。当载流子浓度为3.22×1024m-3时,TE模和TM模3 dB谱宽交叠区面积分别为84.81 nm/cm和74.50 nm/cm,增益偏振相关性和折射率偏振相关性分别保持在4%和6%以内。该研究结果有助于未来全光网络中相关器件的优化设计。
- 彭辉缪庆元
- 关键词：增益折射率变化
- 基于半导体光放大器的可扩展型光开关矩阵被引量：3
- 2003年
- 未来的高速和高度灵活的光分组交换网络要求开关速度达到纳秒量级且集成度高的大规模空间光开关矩阵。在分析了基于半导体光放大器的常用结构形式的光开关矩阵存在规模局限性的基础上 ,综述了新型的可实现大规模集成的基于半导体光放大器的光开关矩阵的基本原理和研究现状。
- 缪庆元胡振华王涛黄德修刘德明
- 关键词：半导体光放大器插入损耗载流子注入折射率变化
- 集成双波导SOA和可扩展型有源光开关矩阵的研究
- 由于半导体光放大器（SOA,Semiconductor Optical Amplifier）的体积小，可以用电流泵浦并有光集成的前景，因此人们对SOA的研究相当重视。要实现SOA与其它器件的单片集成，器件间必需高效地互相...
- 缪庆元
- 关键词：半导体光放大器光开关折射率折射率变化波长转换
- 文献传递
- 拉锥光纤耦合的光放大器组件光损耗分析
- 2002年
- 介绍了拉锥光纤耦合的SOA组件的结构特点 ,并针对该结构计算分析了光耦合损耗的最小值 .为了进一步减小SOA组件的光耦合损耗 ,提出了不对称形式的拉锥光纤耦合的SOA组件结构 .这在原有的制作工艺技术条件下 ,可以将整个组件的光耦合损耗降低 1dB .
- 孔小健黄德修刘德明缪庆元
- 关键词：半导体光放大器光损耗SOA光耦合光纤通信
