肖雪芳
- 作品数：23 被引量：20H指数：3
- 供职机构：厦门理工学院更多>>
- 发文基金：福建省教育厅A类人文社科/科技研究项目厦门市科技计划项目福建省教育厅资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 面向移动云计算的关键技术研究被引量：1
- 2012年
- 介绍了移动云计算的应用现状,分析了移动云计算发展所面临的主要问题,针对这些问题提供了一些技术方案。最后指出了移动云计算的发展方向。
- 肖雪芳雷国伟
- 关键词：移动云计算虚拟机
- 一种平面InGaAs/InP APD光电探测器的制备方法
- 本发明提出了一种平面InGaAs/InP APD光电探测器的制备方法，采用二次刻蚀的方法形成扩散主窗口的双台阶结构，以及2个保护环窗口的单台阶结构，可以更好的抑制边缘提前击穿。主窗口的击穿均匀性较好，光敏面直径达到80μ...
- 肖雪芳
- 一种可变型多用途微型移动平台
- 本发明提出了一种可变型多用途微型移动平台，包括支撑架，所述支撑架的一端两侧均设置有驱动轮，所述支撑架的另一端两侧均设置有第一从动轮，所述驱动轮与第一从动轮之间连接有第一履带；连接架，所述连接架与支撑架转动连接，所述连接架...
- 左石凯陈铖颖王尘肖雪芳林峰蔡艺军黄新栋
- 基于System Generator的ECC加解密系统设计
- 2012年
- 根据椭圆曲线密码体制的几种关键算法,采用Modelsim仿真工具设计相应的算法模块。然后将各模块代码通过System Generator生成对应的系统模块,再将这些模块搭建成完整的ECC系统。最后对整个ECC系统进行仿真,实验数据进一步验证了该设计的正确性。
- 肖雪芳苏航雷国伟
- 关键词：SYSTEMGENERATOR有限域
- 基于USB通信的数据自动获取与保存
- 2010年
- 由于USB接口越来越广泛应用于各类PC机外设,高容量数据通信给有限的外设存储空间带来了压力。基于USB通信协议,设计了一套应用软件,能够实现图片、影像等各类数据的自动获取与保存,从而缓解众多电子产品存储空间有限的问题。该实验成果有望在视频监控无人值守方面缓解数码影像存储空间的压力。
- 雷国伟陈浩肖雪芳
- 关键词：USB通信协议数据保存
- 天线相关性对多天线系统信道容量的影响被引量：3
- 2016年
- 基于多天线系统的容量等效公式,从空间因素着手,计算多天线系统中天线数量、天线间距、角度扩展与信道容量之间的最优值,并通过数值模拟验证,分析3个空间因素产生的天线相关性对多天线系统信道容量的影响.结果显示,增加发射天线数或者接收天线数都能显著地增加系统的信道容量,其中增加接收天线数比增加发射天线数效果更好.但是在有限的空间一味增加天线数量又会减小天线间距,从而增加天线之间的相关性,进而降低信道容量.因此,在设计多天线工程时,可在一定天线间距和角度扩展情况下,尽可能地增加天线数量,以达到信道容量的最优值.
- 肖雪芳林烽雷国伟
- 关键词：多天线系统信道容量
- 利用密封石英玻璃管实现不同材料晶片键合的方法
- 一种利用改造的液相外延炉实现不同材料晶片键合的方法，包括如下步骤：a)晶片的清洗与表面处理；b)键合所用的夹具的实现；c)在夹具底部使用压电陶瓷片实现键合压力的测量；d)将所需晶片固定在键合夹具中，然后放在高纯石英玻璃管...
- 杨国华孙永伟何国荣肖雪芳
- 文献传递
- 平面型InP/InGaAs雪崩光电二极管多级台阶结构研究
- 2009年
- 平面型雪崩光电二极管(APD)在结弯曲处具有更高的电场,易导致结边缘的提前击穿。运用FEMLAB软件对多级台阶结构的平面型InP/InGaAs APD的电场分布进行了二维有限元模拟,在表面电荷密度为5×1011cm-2时分析了台阶级数、台阶高度等因素对边缘提前击穿特性的抑制程度。通过理论研究对平面InP/InGaAs APD进行了优化。
- 肖雪芳
- 关键词：雪崩光电二极管
- Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物快速热退火扩Zn方法研究
- 2010年
- 以GaAs和InP材料为例,对化合物半导体材料中的快速热退火扩Zn可行性进行比较分析,研究表明,化合物半导体材料中快速热退火扩Zn可行性与化合物半导体材料的分解温度有着密切关系。化合物半导体材料分解温度越低,对扩散源、帽层和阻挡层要求越高。针对InP材料高于360℃就分解、低温Zn扩散困难的特点,提出了直接溅射Zn层在410℃低温扩散的方法。对InP快速热退火扩散结果进行分析,初步分析表明其掺杂机理是形成合金结。
- 肖雪芳谢生陈朝
- 关键词：化合物半导体快速热退火砷化镓磷化铟
- InGaAs／InPAPD探测器光电特性检测被引量：4
- 2008年
- 建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151nA,在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性良好。提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法,只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器,就可以获得开始倍增时的光电流,从而得到APD的倍增因子。通过该方法得到的InGaAs/InPAPD器件最大倍增因子的典型值在10～100量级。
- 肖雪芳杨国华归强王国宏马晓宇陈朝陈良惠
- 关键词：雪崩光电二极管
