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董成军

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：西南民族大学更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇缓冲层
  • 4篇溅射
  • 4篇靶材
  • 4篇常压
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 2篇合金
  • 2篇INN薄膜

机构

  • 4篇西南民族大学

作者

  • 4篇黄勤珍
  • 4篇董成军
  • 4篇芦伟
  • 4篇徐明

年份

  • 2篇2013
  • 2篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种采用双缓冲层技术制备AlInN薄膜的方法
一种采用双缓冲层技术制备AlInN薄膜的方法，其工艺步骤依次如下：(1)以Si(111)为衬底，在室温、常压下将衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；(2)将经步骤(1)处理过的衬底放入溅射室，以Al<Sub>0.25</S...
徐明芦伟董成军黄勤珍
文献传递
一种制备InN薄膜的磁控溅射方法
一种制备InN薄膜的磁控溅射方法，其工艺步骤依次如下：（1）以Si(111)为衬底，在室温、常压下将衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；（2）将经步骤（1）处理过的衬底放入溅射室，以Al为靶材，在真空条件下采用磁控溅射法在...
徐明董成军芦伟黄勤珍
文献传递
一种制备InN薄膜的磁控溅射方法
一种制备InN薄膜的磁控溅射方法，其工艺步骤依次如下：(1)以Si(111)为衬底，在室温、常压下将衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；(2)将经步骤(1)处理过的衬底放入溅射室，以Al为靶材，在真空条件下采用磁控溅射法在...
徐明董成军芦伟黄勤珍
一种采用双缓冲层技术制备AlInN薄膜的方法
一种采用双缓冲层技术制备AlInN薄膜的方法，其工艺步骤依次如下：(1)以Si(111)为衬底，在室温、常压下将衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；(2)将经步骤(1)处理过的衬底放入溅射室，以Al<Sub>0.25</S...
徐明芦伟董成军黄勤珍
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