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蔡树军: 作品数：123 被引量：116H指数：7; 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术经济管理更多>>

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X波段大功率GaN HEMT的研制: 2008年; 在研制了AlGaN/GaN HEMT外延材料的基础上,采用标准工艺制作了2.5mm大栅宽AlGaN/GaNHEMT。直流测试中,Vg=0V时器件的最大饱和电流Ids可达2.4A,最大本征跨导Gmax为520mS,夹断电压Voff为-5V;通过采用带有绝缘层的材料结构及离子注入的隔离方式,减小了器件漏电,提高了击穿电压,栅源反向电压到-20V时,栅源漏电在10-6A数量级;单胞器件测试中,Vds=34V时,器件在8GHz下连续波输出功率为16W,功率增益为6.08dB,峰值功率附加效率为43.0%;2.5mm×4四胞器件,在8GHz下,连续波输出功率42W,功率增益8dB,峰值功率附加效率34%。; 宋建博冯震王勇张志国李亚丽冯志宏蔡树军杨克武; 关键词：X波段输出功率功率增益功率附加效率

等平面化SiC MESFET的研制被引量：2: 2008年; 在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨导提高1.5mS/mm。2GHz下测试,微波功率附加效率提高10%左右,增益平均提高了2dB,在VDS=60V的条件下单管功率输出达到了86.5W。经过内匹配和功率合成研制成大功率的SiC脉冲功率管的综合性能较好,在250W的输出功率下,器件仍然保持高达10.5dB的高增益,功率附加效率30%。台阶仪和扫描电镜观测表明,台阶高度已经大大降低,侧壁得到了钝化,尖锐突起和凹坑都已经变得平缓。; 杨霏陈昊潘宏菽默江辉商庆杰李亮闫锐冯震杨克武蔡树军姚素英; 关键词：高增益功率附加效率大功率

S波段系列SiC MESFET器件研制被引量：8: 2008年; SiC材料具有宽禁带、高电子饱和漂移速度、高击穿电压、高热导率和相对低的介电常数等优点，使SiC MESFET在微波功率等方面的应用得到了快速发展。采用国产SiC外延片，解决了欧姆接触、干法刻蚀及损伤修复等一系列工艺难题；针对不同应用背景，研制出总栅宽分别为1、5、15、20mm系列SiCMESFET样管。在2GHz脉冲状态下，300μs脉宽、10％占空比、20mm栅宽器件单胞输出功率超过80W，功率密度大于4W／mm；15mm栅宽器件在3．1～3．4GHZ频带脉冲功率输出超过30W。该研究结果为SiC器件的实用化奠定了基础。; 李亮潘宏菽默江辉陈昊冯震杨克武蔡树军; 关键词：碳化硅 S波段功率器件金属-半导体场效应晶体管功率密度

X波段高输出功率凹栅AlGaN/GaN HEMT被引量：4: 2007年; 使用自主研制的SiC衬底GaN HEMT外延材料,研制出高输出功率AlGaN/GaN HEMT,优化了器件研制工艺,比接触电阻率小于1.0×10-6Ω.cm2,电流崩塌参量小于10%,击穿电压大于80V.小栅宽器件工作电压达到40V,频率为8GHz时输出功率密度大于10W/mm.栅宽为2mm单胞器件,工作电压为28V,频率为8GHz时,输出功率为12.3W,功率增益为4.9dB,功率附加效率为35%.四胞内匹配总栅宽为8mm器件,工作电压为27V时,频率为8GHz时,输出功率为33.8W,功率增益为6.3dB,功率附加效率为41.77%,单胞器件和内匹配器件输出功率为目前国内该器件输出功率的最高结果.; 冯震张志国王勇默江辉宋建博冯志红蔡树军杨克武; 关键词：A1GAN/GAN HEMT 高输出功率

20W X波段GaN MMIC的研究被引量：2: 2009年; 张志国王民娟冯志红周瑞胡志富宋建博李静强蔡树军; 关键词：MMIC 微波单片集成电路 X波段微波功率器件微带电路电路形式

一种微波器件测试用压紧装置: 本发明公开了一种微波器件测试用压紧装置，涉及半导体器件测试工具技术领域。包括压块和通过压块上的螺钉孔能与测试平台紧固的螺钉，所述压块绝缘材料构成，压块底面设有微波器件端脚压紧凸起和微波器件适配的器件凹槽。本发明能够保证微...; 默江辉杨中月李亮崔玉兴付兴昌蔡树军杨克武; 文献传递

微波器件可靠性测试装置及其测试方法: 本发明公开了一种微波器件可靠性测试装置及其测试方法，涉及测量电变量的装置或方法技术领域。所述方法包括以下步骤：选择微波器件的滤波电容；将所述滤波电容烧结在管壳内；将微波器件管芯烧结在管壳内；将滤波电容键合在管壳输入端子上...; 李亮默江辉崔玉兴付兴昌蔡树军杨克武; 文献传递

S-Band 1mm SiC MESFET with 2W Output on Semi-Insulated SiC Substrate被引量：7: 2006年; A SiC MESFET structure is successfully prepared on a semi-insulated 50mm SiC substrate using a hotwall SiC reactor. The doping concentration for the channel layer is about 1.7 × 10^17 cm^-3 , and the thickness is about 0.35μm. An unintentionally n-doped buffer layer is employed between the substrate and the channel layer. A cap layer for Ohmic contact is doped to 10^19cm^-3. MESFET devices are fabricated using inductively coupled plasma etching and other conventional tools. Power devices with a 1mm gate width are measured and a 2W output at 2GHz is obtained.; 蔡树军潘宏菽陈昊李亮赵正平; 关键词：MESFET

Si衬底上5.1W/mm功率密度的GaN HEMT被引量：1: 2007年; 利用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长了高质量的GaNHEMT材料.1μm厚GaN外延层XRD(002)摇摆曲线半高宽573″,(102)摇摆曲线半高宽668″.通过插入层技术实现2μm厚GaNHEMT材料无裂纹,室温二维电子气迁移率1350cm2/(V.s),方块电阻328Ω/□.1mm栅宽GaN微波功率器件饱和电流大于0.8A/mm,跨导大于250mS/mm,2GHz下最大连续波输出功率5.1W,增益9.1dB,附加效率达到35%.; 冯志宏尹甲运袁凤坡刘波梁栋默江辉张志国王勇冯震李效白杨克武蔡树军; 关键词：SI衬底 GAN HEMT 功率密度

高功率、高效率GaN MMIC的研究: 本文使用国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料实现了大功率、高效率的GaN HEMT和GaN MMIC。研制的小栅宽器件在频率为8GHz时效率达到60％，利用该器件采用高工作电压，多偏置点提取器件参数技术，建立了基于M...; 张志国王民娟崔玉兴马杰李静强宋建博冯志红付兴昌蔡树军; 关键词：电路设计