袁寿财
- 作品数：81 被引量：158H指数：6
- 供职机构：赣南师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江西省教育厅科学技术研究项目国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>
- 新型功率器件IGBT研制被引量：1
- 1997年
- 简述了ＩＧＢＴ的设计技术和制造工艺。对ＩＧＢＴ的Ｉ－Ｖ特性、开关特性及闩锁效应进行了系统的研究，结合实际工艺对ＩＧＢＴ的版图及工艺进行了优化设计。合作开发了适于制作ＩＧＢＴ的异型厚外延材料。成功地制作了１０Ａ／８００Ｖ、２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片。
- 袁寿财
- 关键词：IGBTVDMOS元胞功率器件
- 新颖的IGBT SPICE模型及非破坏参数提取和验证(英文)被引量：5
- 2003年
- 提出并优化了一种和现有 SPICE软件如 HSPICE完全兼容的 IGBT等效电路模型 .该模型摒弃了双极晶体管的所谓准静态假设而用精确的双极输运理论进行分析 ,更符合 IGBT的实际工作条件 .利用电压控制可变电阻模型等效 IGBT的 n- 外延层的电导调制效应 ,取得了很好的效果 .基于器件的非破坏实测参数以器件物理方程为基础的模型参数提取 ,计算依据正确 ,物理意义明确 .用该模型计算了 IGBT的 I- V特性、开关特性等 ,与实测符合较好 ,误差不超过 8% ,此结果比已报道的同类模型要好 ,且更为简单方便 .
- 袁寿财朱长纯
- 关键词：绝缘栅双极晶体管等效电路
- CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较被引量：3
- 2008年
- 为了克服传统功率MOS导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或CoolMOS,CoolMOS由一系列的P型和N型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p型和n型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p型和n型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS横向器件:Ron.A=C.V2B,对纵向器件:Ron.A=C.VB,与纵向DMOS导通电阻与击穿电压之间Ron.A=C.V2B.5的关系相比,CoolMOS的导通电阻降低了约两个数量级。
- 袁寿财刘亚媚
- 关键词：COOLMOS导通电阻击穿电压VDMOS
- 中子辐照对IGBT特性的影响被引量：1
- 1999年
- 简要分析了ＩＧＢＴ器件的工作机理，制作了２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片，给出了测试结果。对试制芯片进行了中子辐照实验，对比了辐照前后器件的关断特性。
- 袁寿财朱长纯单建安
- 关键词：绝缘栅双极晶体管元胞阈值电压开关时间
- 利用生物传感器对血吸虫尾蚴的快速检测技术研究
- ＜正＞血吸虫分布于我国长江流域的江河湖泊,对该地区人和家畜的健康构成威胁。本文设计制作了系列沟道尺寸的场效应生物传感芯片,用于对血吸虫尾蚴的快速检测。一系列重复检测结果表明,该
- 范小林王紫玉袁寿财李勋
- 关键词：血吸虫尾蚴
- 文献传递
- 提高IGBT开关速度的技术
- 1999年
- 简要分析了ＩＧＢＴ（绝缘栅双极晶体管）的工作机理，制作了２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片，给出了测试结果，并对试制样品中子辐照前后的关断特性作了详细的比较和讨论。
- 袁寿财朱长纯
- 关键词：绝缘栅双极晶体管开关时间辐照IGBT
- 新型功率器件IGBT研制
- 1996年
- 本文简述了IGBT的设计技术和制造工艺,对IGBT的I-V特性、开关特性及闩锁效应进行了系统的研究,结合实施工艺对IGBT的版图及工艺进行了优化设计.合作开发了适于制作IGBT的异型厚外延材料.成功地制作了10A/800V、20A/1050V的IGBT芯片,给出了试制样品的测试结果.
- 袁寿财
- 关键词：IGBTVDMOS半导体功率器件
- 混合模式与深亚微米设计面临的新挑战
- 2004年
- 基于硅的VLSI设计和制造技术在取得极大进展的同时面临纳米新材料新工艺的挑战,世界各大公司相继开发成功纳米晶体管和纳米器件制造工艺。可以说,模拟电路的设计和制造在电子学领域起着举足轻重的作用,它是大系统前端和后端信号处理和转换的关键部件。
- 袁寿财汪李明祝咏晨
- 关键词：深亚微米VLSI纳米晶体管模拟电路数字电路
- 一种具有静电单透镜的直流超快电子枪
- 本发明提供一种具有静电单透镜的直流光阴极超快电子枪，包括阴极、阳极、静电单透镜电极板、陶瓷支柱、单透镜支撑环，单透镜支架等。所述阳极为中心开有通孔、两表面光滑的圆盘。所述单透镜电极板为两表面光滑的双层盘面结构，包括圆形顶...
- 李梦超刘巧李小菊陈维黄骏王兴权荣垂才袁寿财郭勇卢秀圆
- 文献传递
- 一种中心频率可调节的高Q值微机械带通滤波器初探被引量：5
- 2003年
- 设计制作了一种中心频率可调节的高Q值微机械带通滤波器,其核心部分是一个电热激励/压敏电桥拾振的硅/二氧化硅微桥谐振器或微桥谐振器阵列.通过调节施加在压敏电桥上的电压大小来改变桥的平均温度和轴向应变,可调节滤波器的中心频率.理论研究表明:中心频率与电桥电压的平方成线性关系;中心频率的可调节范围可通过减小梁的宽度和压敏电桥的电阻来扩展.所制作的滤波器其频率可调节范围达5 45%,品质因数达8000以上.
- 韩建强朱长纯袁寿财刘君华卢文科
- 关键词：轴向应变滤波原理
