费玖海
- 作品数：8 被引量：18H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十五研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 太阳能晶硅电池片印刷工艺及工艺物化初步研究被引量：1
- 2012年
- 对丝网印刷工作原理、工艺过程和产品质量检测等进行了分析,同时也对设备工艺物化和具体技术进行了简要阐述。
- 赵立华易辉费玖海吕磊张建亮任晓庆
- 关键词：印刷工艺
- 集成电路工艺中减薄与抛光设备的现状及发展被引量：4
- 2014年
- 晶圆加工是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,为了得到更稳定的硅片,提高其平整度和表面洁净度,国内外技术人员越来越注重减薄与抛光设备的研究与改进。介绍了针对硅片平坦化工艺的减薄设备及现阶段加工过程中防止碎片的技术方法;介绍了化学机械抛光设备的技术发展现状以及针对硅片抛光的后清洗工艺。
- 费玖海杨师周志奇
- 关键词：集成电路硅片减薄
- 用于晶圆刷洗的同心卡接机构设计
- 2017年
- 在CMP后清洗工艺过程中,往往需要对机刷进行快速更换。针对以上需求,设计了一种用于晶圆刷洗的同心卡接机构,很好地解决了机刷更换过程同心度存在偏差及更换不便的问题,改善了晶圆表面清洗的效果。
- 陶利权熊朋蒲继祖李嘉浪费玖海
- 半导体制造设备排气通风设计及仿真被引量：2
- 2021年
- 从设计标准、性能标准、测试方法等方面介绍了SEMI S6标准,并以CMP后清洗设备为例介绍了排气通风设计中的一些注意事项。以CMP后清洗设备中的清洗槽为例,介绍了利用流体仿真软件对排气通风设计的有效性进行验证的方法,对设备排气通风的设计具有指导意义。
- 史霄杨师杨元元费玖海
- PG-510型单面抛光机的研制被引量：4
- 2010年
- 介绍了针对蓝宝石衬底表面纳米级抛光工艺而研制的PG-510单面抛光机的主要结构及其性能特点,简要论述了抛光过程中各工艺参数的控制方案,并通过实验验证了设备的主要性能指标,能够满足蓝宝石衬底表面纳米级抛光的工艺要求。
- 刘涛高慧莹罗杨费玖海
- 关键词：蓝宝石CMP工艺
- 化学机械抛光(CMP)过程中抛光盘温度控制的分析研究被引量：5
- 2011年
- 在化学机械抛光(CMP)过程中,温度是影响晶片最终抛光效果的主要因素之一,采用合理的温度控制方法,把温度控制在一定的范围内才能满足化学机械抛光的工艺要求。通过化学机械抛光机理分析阐述了抛光过程中热量产生的根源,介绍了一种温度控制系统的设计原理,并通过抛光实验验证并说明了温度控制的必要性。
- 孙振杰刘涛费玖海
- 关键词：温度控制
- 蓝宝石抛光去除率试验的正交设计方法
- 2012年
- 影响蓝宝石抛光去除率的因子有很多,为了得到最佳工艺流程和工艺参数组合,实际工作中需要在诸多影响因素中找出对去除率影响最显著的因子,并以拟合方程的形式来建立数学模型。探讨了运用正交试验的方法,通过MINITAB软件对试验数据进行分析,从而了解各抛光参数对抛光去除率的影响,最终确定一组最优的工艺参数。
- 孙振杰费玖海刘涛
- 关键词：正交试验去除率
- 抛光盘、抛光头转速比对化学机械抛光效果的影响分析被引量：2
- 2011年
- 针对化学机械抛光(CMP)过程中,抛光盘、抛光头转速比不同,其晶片的抛光效果不同的现象,从运动学角度详细分析了CMP过程中晶片上任一点的去除速度和运动轨迹,并通过Matlab进行仿真,找出转速比与去除速度和运动轨迹的函数关系。
- 高慧莹费玖海
- 关键词：化学机械抛光
