您的位置： 专家智库 > >

陈万平

作品数：16 被引量：21H指数：3
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电气工程电子电信一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇电气工程
  • 3篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 10篇陶瓷
  • 9篇镀镍
  • 6篇电镀
  • 6篇片式元件
  • 5篇端电极
  • 5篇化学镀
  • 5篇化学镀镍
  • 4篇电容
  • 4篇电容器
  • 4篇陶瓷电容
  • 4篇陶瓷电容器
  • 3篇导体
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体陶瓷
  • 3篇PTCR
  • 3篇PTC效应
  • 3篇BATIO
  • 3篇MLC
  • 3篇表面安装技术
  • 2篇电镀镍

机构

  • 16篇清华大学

作者

  • 16篇陈万平
  • 13篇李龙土
  • 12篇桂治轮
  • 8篇齐建全
  • 4篇曾智强
  • 3篇周济
  • 2篇王德君
  • 1篇王雨
  • 1篇黄明军
  • 1篇曹江利
  • 1篇王永力

传媒

  • 3篇功能材料
  • 3篇压电与声光
  • 2篇上海微电子技...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2001
  • 3篇2000
  • 1篇1999
  • 4篇1998
  • 7篇1997
共 16 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
化学镀镍溶液渗透对多孔PTC陶瓷影响的机理研究
1998年
通过对比实验研究了化学镀镍溶液渗透对多孔PTC陶瓷影响的机理。结果表明，这种影响是由溶液中的还原剂引起的，镀液中的其它物质的渗透对PTC陶瓷的性能没有影响或者影响很小。提出了化学镀镍溶液中的还原剂对PTC陶瓷的晶界产生还原从而影响PTC效应的观点。化学镀镍溶液渗透造成的这种影响可以通过一定温度下的氧化热处理而消除。
陈万平李龙土齐建全桂治轮
关键词：化学镀陶瓷PTC效应半导体陶瓷
铁电陶瓷基片式元件三层镀失效机理研究
陈万平
关键词：铁电材料铁电陶瓷电镀
化学镀镍在MLC三层端电极中的应用
1997年
本文通过置换反应在ＭＬＣ端头银电极上沉积出金属钯，在钯的催化作用下，在ＭＬＣ银砂上可以通过化学镀镍形成一层厚度均匀而且致密的镍磷合金。与电镀相比，化学镀镍工艺简单，对于ＭＬＣ性能的影响较小。
陈万平黄明军
关键词：化学镀片式元件表面安装技术
钛酸钡基陶瓷材料晶界掺杂与PTCR效应被引量：5
1999年
“晶界掺杂”是一个全新的概念，它针对的是陶瓷晶界。在钛酸钡材料中，晶界掺杂能明显地改变ＰＴＣＲ效应。在晶界上，施主杂质同某些受主杂质一样，也可以明显提高材料的ＰＴＣＲ效应。通过晶界掺杂引入的Ｐｂ２＋则对ＰＴＣＲ效应有明显的损害。
齐建全桂治轮李龙土陈万平
关键词：晶界掺杂钛酸钡PTCR陶瓷材料
Bi_2O_3蒸汽掺杂的Ba_(1-x)Si_xTiO_3半导化陶瓷的PTCR效应被引量：3
1998年
施主掺杂的钛酸钡陶瓷的ＰＴＣＲ效应来源于晶界上的钡空位。在Ｂｉ２Ｏ３蒸汽两次掺杂的样品中发现了大于８个量级的ＰＴＣＲ效应。在烧成过程中的Ｂｉ２Ｏ３蒸汽掺杂时，高氧分压下可以产生更高的钡空位浓度，因而样品具有更高的ＰＴＣＲ效应。
齐建全桂治轮李龙土陈万平
关键词：PTCR半导体陶瓷
铅系多层陶瓷电容器(MLCCS)三层镀失效机理的研究
从电化学的角度，解释了铅系多层陶瓷电容器(MLCCS)三层镀后低压失效的机理。通过SEM、EDS等分析手段，分析了三层镀过程中氢的析出对于铅基陶瓷的还原作用。实验结果表明，电镀过程析出的活性很高的氢原子能够很容易地穿透疏...
王永力李龙土陈万平齐建全曹江利
关键词：多层陶瓷电容器
文献传递网络资源链接
化学镀镍对BaTiO_3基陶瓷PTC效应影响的机理研究
1997年
本文通过对比实验，研究了化学镀镍对于PTC效应影响的机理．结果表明，对于某些致密的PTC半导体陶瓷，化学镀镍后其室温电阻变小、升阻比下降不是由于镀液的渗透，而是与镀镍过程中发生的化学反应有关．首次提出了化学镀过程中产生的初生态氢原子影响PTC效应的观点．
陈万平李龙土桂治轮齐建全王德君
关键词：化学镀陶瓷PTC效应镀镍钛酸钡陶瓷
电镀后性能可恢复的片式元件的端电极的制备方法
本发明涉及一种电镀后性能可恢复的片式元件的端电极，该端电极包括内层的银层和中间的镍层，还包括外层的金属层，该金属层为银、金、铂、钯中的任何一种。其制备方法是首先在烧有银层的电极上电镀镍，再在镍层上电镀银、金、铂、钯中的任...
李龙土陈万平曾智强周济桂治轮
文献传递
晶界杂质和缺陷行为与BaTiO_3基陶瓷的PTCR效应被引量：9
2000年
钛酸钡陶瓷中，高温下晶格失氧使晶粒内部氧匮乏。在氧化气氛中烧成，晶界则是富氧环境。缺陷或杂 质在晶界上进一步氧化，产生晶粒中并不存在的缺陷种类。杂质和缺陷在晶界上与晶粒内部有不同的行为。某些在 晶界上被氧化成高价态的缺陷和杂质，在晶粒中不能存在，而在晶界上以亚稳态形式存在。它们在铁电相变点跃迁 回低价稳态，产生电子陷阱，使材料电阻率迅速增大，形成ＰＴＣＲ效应。
齐建全桂治轮陈万平李龙土
关键词：晶界PTCR陶瓷
一种片式元件的端电极及其制备方法
本发明涉及一种片式元件的端电极及其制备方法，该端电极由紧接元件端的银层、中间的镍层和最外层的银层组成。其制备方法是在已烧有银层的片式元件的端部，用滚镀等方法镀镍，然后在镍层外烧银，烧银的温度为400℃～800℃，高温保温...
李龙土陈万平桂治轮
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0