陈蕾
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- RF LDMOS功率器件研制被引量：1
- 2010年
- 基于ISE TCAD模拟软件对RF LDMOS器件的工艺流程和器件结构进行了优化设计,采用带栅极金属总线的版图结构降低栅电阻,同时简化了LDMOS器件的封装设计。通过实际流片和测试分析,重点讨论了漂移区注入剂量和漂移区长度对LDMOS器件的转移特性、击穿特性、截止频率及最大振荡频率的影响。测试结果表明该器件的阈值电压为1.8 V,击穿电压可达70 V,截止频率和最大振荡频率分别为9 GHz和12.6 GHz,并可提供0.7 W/mm的输出功率密度。
- 陈蕾王帅姜一波李科杜寰
- 关键词：击穿电压截止频率
- 基于SOI的射频LDMOS器件及对其进行注入的方法
- 本发明公开了一种具有低势垒体引出的射频SOI LDMOS器件，包括底层硅、隐埋氧化层、顶层硅、P<Sup>-</Sup>区、N<Sup>-</Sup>区、栅氧化层、多晶硅栅层、栅多晶硅化物层、栅电极、氮化硅侧墙、N<Su...
- 刘梦新陈蕾毕津顺刘刚韩郑生
- 基于SOI的射频LDMOS器件及对其进行注入的方法
- 本发明公开了一种具有低势垒体引出的射频SOI LDMOS器件，包括底层硅、隐埋氧化层、顶层硅、P<Sup>-</Sup>区、N<Sup>-</Sup>区、栅氧化层、多晶硅栅层、栅多晶硅化物层、栅电极、氮化硅侧墙、N<Su...
- 刘梦新陈蕾毕津顺刘刚韩郑生
- 文献传递
- 改进的RF-LDMOS小信号模型参数提取方法被引量：1
- 2012年
- 准确地提取RF-LDMOS小信号模型参数对LDMOS大信号模型建模十分重要,而且好的小信号模型能很好地反映微波器件的性能。针对LDMOS提出了一种改进的小信号模型参数提取方法,此方法增加了测试结构的建模和参数提取,极大地方便了S参数曲线的拟合,而且对于测试版图的研究有一定的指导意义。由此方法提取的小信号模型与实验测试数据在0.1～8 GHz拟合的很好,并且准确地预测了器件的特征频率。该模型和方法能够很好的适用于LDMOS的L,S波段小信号建模和参数提取。
- 王帅李科陈蕾姜一波龚鸿雁杜寰韩郑生
- 关键词：LDMOS小信号模型去嵌入
- LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法被引量：3
- 2009年
- 探讨了LDMOS器件在静电放电脉冲作用下的失效现象和机理,阐述了LDMOS器件受到静电放电脉冲冲击后出现的软击穿现象,和由于寄生npn管导通产生的大电流引起器件局部温度过高,导致金属接触孔熔融的器件二次击穿现象。分析对比了不同栅宽、不同LOCOS长度和埋层结构LDMOS器件的静电放电防护性能,证实了带埋层的深漏极注入双RESURF结构LDMOS器件在静电放电防护方面的显著优势。
- 陈蕾宋李梅刘梦新杜寰
- 关键词：击穿现象
