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黄延红

作品数:29 被引量:3H指数:1
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信化学工程环境科学与工程更多>>

文献类型

  • 23篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 16篇探测器
  • 14篇光探测
  • 14篇光探测器
  • 13篇光生
  • 11篇氧化物
  • 11篇飞秒
  • 11篇快响应
  • 10篇激光
  • 9篇异质结
  • 8篇频段
  • 8篇宽频
  • 8篇宽频段
  • 8篇激光探测
  • 8篇激光探测器
  • 7篇钛酸
  • 7篇钛酸锶
  • 7篇钙钛矿
  • 7篇钙钛矿氧化物
  • 7篇衬底
  • 6篇多层膜

机构

  • 29篇中国科学院
  • 1篇聊城大学

作者

  • 29篇黄延红
  • 28篇吕惠宾
  • 28篇杨国桢
  • 28篇何萌
  • 28篇金奎娟
  • 27篇陈正豪
  • 27篇周岳亮
  • 15篇程波林
  • 6篇郭海中
  • 5篇戴守愚
  • 5篇相文峰
  • 4篇刘立峰
  • 3篇邢杰
  • 3篇刘国珍
  • 3篇赵昆
  • 1篇田焕芳
  • 1篇李建奇

传媒

  • 2篇中国科学(G...
  • 1篇功能材料
  • 1篇中国稀土学报
  • 1篇第五届中国功...

年份

  • 1篇2010
  • 5篇2009
  • 5篇2008
  • 4篇2007
  • 9篇2006
  • 3篇2005
  • 2篇2004
29 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种具有超快响应紫外到近红外的激光探测器件
本发明涉及一种具有超快响应紫外到近红外的激光探测器件,包括:外壳、光响应层为生长在衬底上的R<Sub>1-x</Sub>A<Sub>x</Sub>MnO<Sub>3</Sub>组成的掺杂锰酸盐薄膜,其厚度为0.5nm~2...
赵昆吕惠宾黄延红何萌金奎娟陈正豪周岳亮程波林戴守愚杨国桢
文献传递
具有磁电阻特性的异质结材料
本发明涉及一种具有磁电阻特性的新型异质结材料,包括在衬底上生长有掺杂锰氧化物层,在所述的掺杂锰氧化物层上生长的辅助层;在辅助层面上生长有掺杂锰氧化物层,掺杂锰氧化物层再生长辅助层,依次进行叠层;制备两种材料异质结磁电阻材...
吕惠宾何萌赵昆黄延红金奎娟刘国珍邢杰陈正豪周岳亮杨国桢
文献传递
原子尺度控制全氧化物p-n结的制备和特性研究
2004年
采用替位掺杂的方法,使用激光分子束外延技术,成功地制备出钛酸锶、钛酸钡、钛酸锶/钛酸钡、YBCO/钛酸锶和钛酸锶/锰酸镧等全氧化物p-n结.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电镜(HRTEM)等测量分析结果均表明,p-n结构的表面与界面均达到原子尺度的光滑,p-n结的I-V曲线显示了很好的整流特性.首次观测到全氧化物p-n结电流和电压的磁调制特性与正的巨磁电阻效应,在290 K和255 K条件下,外磁场变化5398A/m时,磁电阻的最大灵敏度分别达到85Ω/79.6 A·m-1和246Ω/79.6A·m-1;在一个多层p-n结构上,磁电阻的变化率△R/R0达到517%.
吕惠宾戴守愚陈正豪周岳亮金奎娟程波林何萌郭海中刘立峰黄延红杨国桢
关键词:氧化物P-N结
用掺杂氧化物和硅异质结材料制的超快宽波段光探测器
本发明涉及利用掺杂氧化物和硅异质结材料制作的超快响应、宽频段、高灵敏度和抗辐射光探测器,包括:外壳,光传感器,第一电极,第二电极,两根电极引线,绝缘片,第一金属块,第二金属块和金属螺钉;所述的光传感器是由一个或多个串联的...
吕惠宾何萌黄延红赵昆金奎娟陈正豪周岳亮杨国桢
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钙钛矿氧化物p-n异质结的制备和特性研究
自从高温超导和庞磁电阻现象发现以来,世界范围内掀起了研究钙钛矿氧化物的热潮,无论是相关的基础研究还是相关的工艺与技术,都取得了巨大的进展。尤其是近年来人工控制原子尺度层状外延生长钙钛矿氧化物薄膜,引起了凝聚态物理和材料科...
黄延红
关键词:激光分子束外延钙钛矿氧化物高温超导庞磁电阻
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利用氧化物异质结材料制作的快响应宽频段激光探测器
本发明涉及利用氧化物异质结材料制作的快响应宽频段激光探测器,包括:一掺铌钛酸锶衬底上,和在其上外延生长的掺杂锰酸镧薄膜层,形成掺铌钛酸锶—掺杂锰酸镧氧化物异质结;或者在掺铌钛酸锶单晶衬底上外延生长一绝缘层,掺杂锰酸镧薄膜...
吕惠宾黄延红何萌刘立峰周岳亮金奎娟陈正豪程波林杨国桢
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利用氧化物多层膜材料制作的快响应宽频段激光探测器
本发明涉及利用氧化物多层膜材料制作的快响应宽频段激光探测器,包括:一由在氧化物单晶基片的衬底的一面上外延生长掺杂氧化物和光响应材料层作成的芯片,掺杂氧化物为外延生长在氧化物单晶衬底上的掺杂钛酸锶或掺杂钛酸钡;光响应层为掺...
吕惠宾黄延红何萌郭海中程波林金奎娟陈正豪周岳亮杨国桢
文献传递
一种利用掺杂锰酸盐异质结材料制作的光位置探测器
本发明涉及一种利用掺杂锰酸盐异质结制作的光位置探测器,包括在p型或n型衬底上相应外延生长一层n型或p型光响应薄膜层,所述的光响应薄膜层为R<Sub>1-x</Sub>A<Sub>x</Sub>MnO<Sub>3</Sub...
赵昆吕惠宾何萌黄延红金奎娟邢杰刘国珍陈正豪周岳亮杨国桢
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一种具有超快响应宽频段的激光探测器件
本发明涉及一种具有超快响应宽频段的激光探测器件,包括:外壳、光响应层为生长在衬底上的掺杂锰酸盐薄膜,其厚度为0.5nm~2μm;电极设置在光响应层上,两根电极通过电极引线之间连接一个电阻,将其安装在外壳内,用同轴电缆接头...
赵昆吕惠宾黄延红何萌金奎娟陈正豪周岳亮程波林戴守愚杨国桢
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在硅衬底上外延生长铝酸镧薄膜材料及制备方法
本发明涉及在硅衬底上外延生长铝酸镧薄膜材料及制备方法。该薄膜材料以n型或p型硅片为衬底,在其上直接外延生长铝酸镧LaAlO<Sub>3</Sub>薄膜材料层,其厚度为10nm~2μm。该制备方法采用把清洗干净后的硅片直接...
吕惠宾何萌相文峰黄延红陈正豪周岳亮程波林金奎娟杨国桢
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共3页<123>
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