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代广珍: 作品数：43 被引量：43H指数：3; 供职机构：安徽工程大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金安徽省高校省级自然科学研究项目国家科技重大专项更多>>; 相关领域：自动化与计算机技术电子电信电气工程理学更多>>

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改进的一阶1 bit Sigma-Delta调制器研究被引量：1: 2014年; 为了改善量化噪声,提出了一种新的一阶1 bit Sigma-Delta调制器结构。通过对标准的一阶1 bit SigmaDelta调制器进行研究,指出了其量化噪声是非加性的,并且把输入和输出之差作为Sigma-Delta调制器的输入,进一步实现了输入信号的调制。理论推导得出新结构对正弦信号调制的信噪比比传统结构高6 dB,MATLAB Simulink仿真结果显示新结构带内噪声功率减小,为高性能的Sigma-Delta调制器提出了一种新的设计方法。; 代广珍徐太龙孟坚徐会芳徐超陈军宁; 关键词：SIGMA-DELTA调制器噪声整形过采样信噪比

一种自动开关的室内吊扇: 本实用新型提供一种自动开关的室内吊扇，包括：热释电传感器、控制电路、热敏电阻电路，所述热释电传感器电连接于控制电路，控制电路电连接于热敏电阻电路，热敏电阻电路与控制电路之间设有开关，热敏电阻电路电连接于风扇控制开关。本实...; 代广珍蔡勇冯紫妍郑刘康万滟秋姚玲王暑; 文献传递

基于忆阻器和CMOS晶体管的全加电路、高进位电路及加法器: 本发明公开的基于忆阻器和CMOS晶体管的加法器，包括：m个全加电路，以及m个高进位电路；其中，第i个全加电路的非门1、非门2及非门3的输出端分别连接第i个高进位电路的两输入或非门1及两输入或非门2、两输入或非门1及两输入...; 韩名君代广珍赵振宇宋兴文吴道华倪天明

一种面向三维集成电路中TSV的容错架构: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种面向三维集成电路中TSV的容错架构，该冗余结构由N层环形结构组成，通过六条射线将N层环形结构等分成六个区域，每层环形结构上设有三个RTSV，三个RTSV均匀的分布在六条射线上，相邻层...; 倪天明束月鲁麟代广珍韩名君高文根瞿成明朱世东; 文献传递

一种基于物联网的人工智能控制装置: 本发明公开了一种基于物联网的人工智能控制装置，其结构包括警示灯、操控按钮、外支架、控制主机、底座，警示灯固定安装在控制主机顶部并且电连接，通过拉动操控面板，底部的滑动轴在导向滑轨内部进行滑动，通过电磁板能够对滑动轴起到磁...; 吴道华代广珍

一种多功能电子罗盘: 本实用新型提供一种多功能电子罗盘，包括：主控电路、时钟电路、三轴磁场传感器、显示器，所述时钟电路、三轴磁场传感器电连接于主控电路，主控电路上连接有显示器，所述主控电路上还连接有输入按键、蜂鸣器。＝本实新型做成具体产品后就...; 代广珍蔡勇张曙光陈德芳丁浩李婷婷汪林; 文献传递

一种低功耗系统芯片的可测试性设计方案: 2014年; 低功耗技术,如多电源多电压和电源关断等的应用,给现代超大规模系统芯片可测试性设计带来诸多问题。为此,采用工业界认可的电子设计自动化工具和常用的测试方法,构建实现可测试性设计的高效平台。基于该平台,提出一种包括扫描链设计、嵌入式存储器内建自测试和边界扫描设计的可测性设计实现方案。实验结果表明,该方案能高效、方便和准确地完成低功耗系统芯片的可测性设计,并成功地在自动测试仪上完成各种测试,组合逻辑和时序逻辑的扫描链测试覆盏率为98.2%。; 徐太龙鲁世斌代广珍孟坚陈军宁; 关键词：可测试性设计低功耗系统芯片内建自测试扫描链

基于半解析法的FinFET三维电势和阈值电压模型: 2021年; 随着集成电路工艺进入亚30 nm,鳍形场效应晶体管已经成为主流工艺结构,但是由于计算的复杂性其体硅结构的三维模型未有人给出过明确的解析式.本文提出体硅FinFET中沟道和氧化层的三维亚阈值电势、阈值电压的半解析模型,并考虑量子效应的影响,最后将模型与TCAD仿真结果进行比较.仿真结果表明,模型能够对沟道内不同坐标下的电势进行精确的模拟;对漏致势垒降低效应和短沟道效应以及不同Fin宽度下的电势变化,都能够进行精确的拟合;并且能够准确提取阈值电压.研究表明,半解析模型既有明确的解析表达式同时又有计算结果精度高的优点,相比数值模型又有较低的时间复杂度.; 韩名君代广珍倪天明; 关键词：FINFET 半解析法阈值电压量子效应

电子技术教学中理论仿真实验综合教学研究: 2013年; 针对目前理工类高等院校的传统教学模式的不足,以及以笔试作为主要考核手段存在的弊端,加之我国当前高校招生现状造成的必然后果,综合学生预习并模拟设计、教师课堂理论教学加针对性讲解、实验和实践检验进行教学,引起并激发学生的学习兴趣,收到了很好的教学效果。; 代广珍高文根赵秀华崔祎; 关键词：PROTEUS 计数器电子技术

密度泛函理论研究氧空位对HfO2晶格结构和电学特性影响被引量：3: 2015年; HfO2因高k值、热稳定性良好和相对Si导带偏移良好等特点,作为电荷俘获型存储器栅介质材料得到了广泛研究.为了明确高k俘获层提高CTM电荷俘获效率的原因,运用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了氧空位引起HfO2的晶格变化及其影响计算结果显示优化后氧空位最近邻氧原子间距明显减小,次近邻O与Hf间距变化稍小.优化后氧空位明显改变局部晶格,而对较远晶格影响逐渐减弱,即引起了局部晶格变化深能级和导带电子态密度主要是Hf原子贡献,而价带则是O原子贡献.优化后各元素局部电子态密度和总电子态密度都明显大于未优化体系,局部电子态密度之和比总电子态密度小.优化后俘获电荷主要在氧空位周围和相邻氧原子上,而未优化时电荷遍布整个体系.优化后缺陷体系电荷局域能增大,电荷量增加时未优化体系电荷局域能明显减小,即晶格变化无饱和特性对电荷局域影响大.说明晶格变化对电荷的俘获能力较强,有利于改善存储器特性.; 代广珍蒋先伟徐太龙刘琦陈军宁代月花; 关键词：密度泛函理论第一性原理氧空位