刘式墉 作品数:327 被引量:591 H指数:12 供职机构: 吉林大学 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 国家重点基础研究发展计划 国家高技术研究发展计划 更多>> 相关领域: 电子电信 理学 电气工程 机械工程 更多>>
用于有机电致发光镀膜机的坩锅式蒸发源 本实用新型涉及一种应用于有机电致发光镀膜机的坩锅式蒸发源。坩锅式蒸发源由支座、热电偶测温系统、加热体炉子及坩锅组成。炉子由上、下两个95#陶瓷圆环片(9)、金属钼炉丝(8)、位于上下两个陶瓷圆环片(9)间的筒状石英玻璃内... 侯晶莹 刘立宁 赵毅 李传南 高强 高文宝 程刚 刘式墉文献传递 低阈值量子结构激光器的优化结构设计 被引量:1 1999年 针对低阈值半导体量子结构激光器(简称量子结构激光器),包括量子阱、量子线和量子点结构,给出了一个完整简便的方法用以优化设计最低阈值条件所需要的有源区结构。以对数形式给出了量子结构激光器材料增益和注入载流子浓度的关系,并且以InGaAs(P)/InP量子阱激光器和InAs/GaAs自组装量子点结构激光器为例,分别计算了为得到最低阈值电流所需要的量子阱阱数和自组装量子点的面密度以及激光器的腔长。 彭宇恒 高强 李军 王本忠 陈维友 刘式墉关键词:自组装量子点 激光器 低阈值大功率半导体激光器的研制 1990年 近几年来,针对光盘的信息处理、激光印刷和长距离通信等实际应用的需要,稳定的单模大功率半导体激光器的研究取得了很大进展.对于GaAlAs/GaAs激光器,限制输出功率增加的主要原因之一是腔面的光学灾变损伤,利用扩大近场束斑尺寸来减少腔面的光子流密度或使腔面变成对光不吸收的透明区都是提高功率输出的重要途径。 李玉东 朱东海 刘式墉 苏士昌 张淑芝关键词:激光器 半导体 阈值 有机高亮度黄光发光二极管 被引量:8 2000年 用有机小分子制备的高亮度黄光电致发光器件,在19V 下器件亮度可达40000cd/m 2,外量子效率达3.4% . 黄劲松 谢志元 杨开霞 李传南 侯晶莹 刘式墉 南金 戴国瑞关键词:发光二极管 高亮度 有机物 染料掺杂的聚合物波导膜的制备及电光性质的研究 被引量:1 1993年 用溶液沉积的方法制备了染料分散红掺杂的聚苯乙烯膜,并用电场取向的方法对膜中的染料极性分子进行了取向。对取向膜进行的电光测试结果表明取向膜的电光系数r_(33)≈35pm/V较无机晶体要大。 马于光 刘式墉 朱江 沈家骢关键词:电光效应 掺杂 一种用于堆叠结构有机发光二极管的新的电荷生成层 被引量:2 2011年 本文报道了一种用于堆叠结构有机电致发光器件的新的电荷生成层:LiF/Al/V2O5,采用这种电荷生成层的堆叠器件的两个发光单元互相独立,不受影响.说明在外加电场下,这种电荷生成层具有向邻近的发光单元注入电子空穴的能力.而堆叠了两个相同发光单元的器件的电流效率在相同的电流密度下约为普通单层结构的1.7倍.同时这种电荷生成层避免了溅射indium tin oxide(ITO)和金属、有机物共掺,只需要热蒸发,生长工艺简单. 陈平 赵理 段羽 程刚 赵毅 刘式墉关键词:有机电致发光器件 1.55μm InGaAsP/InP应变量子阱激光器的LP-MOCVD生长 1994年 本文首次报导了生长温度为550℃,以三甲基镓(TMGa)和三甲基铟(TMIn)为Ⅲ族源,用低压金属有机物气相沉积(LFMOCVD〕技术,高质量1.62um和1.3umInGaAsP及In0.57Ga0.43As0.98P0.04/In0.73Ga0.27As0.6P0.4量子阶结构的生长,并给出了1.55umGaAsP/InP分别限制应变量子阱结构激光器的生长条件,激光器于室温下脉冲激射,其阈值电流密度为2.4kA/cm2。 祝进田 李玉东 胡礼中 陈松岩 胡朝辉 刘式墉关键词:激光器 化学汽相沉积 应变多量子阱激光器的结构稳定性 1999年 通过计算应变多量子阱中的净应力和应变弛豫,讨论了激光器结构中应变多量子阱的稳定性。净应力是失配位错增殖的驱动力,是应变多量子阱稳定的重要判据。因此,用单结点模型计算了应变多量子阱结构中的净应力。计算结果表明,净应力的最大值在应变多量子阱结构中的位置与阱层和垒层的厚度以及阱层的失配有关,非应变垒层和盖层能在一定程度上稀释净应力。在此基础上,利用动力学模型计算了应变多量子阱的应变弛豫。 金智 杨树人 安海岩 刘式墉关键词:应变多量子阱 应变弛豫 高面指数GaAs衬底上自组织生长应变In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs量子线阵列 2001年 利用分子束外延(MBE)技术在高面指数(553)B GaAs衬底上自组织生长了应变Ga0.85In0.15As/GaAs量子线阵列结构。通过原子力显微镜(AFM)对 Ga0.85In0.15As外延层的表面形貌进行了观测。测试结果表明量子线的密度高达4×10~5/cm。研究了量子线阵列样品的低温偏振光致发光谱(PPL),发现其发光峰半高宽(FWHM)最小为 9.2 MeV,最大偏振度可达0.22,这些测试结果表明制各出了高密度、高均匀性及特性良好的一维量子线阵列结构。 闫发旺 张文俊 张荣桂 崔立奇 梁春广 刘式墉关键词:分子束外延 砷化镓 自组织生长 InGaAs/InGaAsP分别限制应变量子阱激光器的研制及其特性研究 1995年 报道了利用LP-MOVPE技术生长高质量的InGaAs/InGaAsP分别限制应变量子阱激光器结构材料、激光器制作和结果.宽而激光器实现了室温脉冲受激发射.激射波长为1.49μm,在腔长为2000μm时,最低阈值电流密度为0.30kAcm-2.最大脉冲光输出峰值功率达500mW以上.同时,从理论和实验上研究了阙值电流及阙值电流密度随激光器腔长的变化关系,并与LP-MOVPE生长制作的宽面双异质结构激光器进行了比较. 安海岩 杨树人 李玉东 胡礼中 刘式墉关键词:量子阱激光器 INGAAS INGAASP 激光器