刘绪伟
- 作品数：13 被引量：35H指数：3
- 供职机构：郑州大学物理工程学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金河南省教育厅自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 衬底温度对微晶硅薄膜微结构的影响被引量：6
- 2006年
- 采用等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在不同衬底温度Ts下沉积了氢化微晶硅(μc-S i:H)薄膜,并深入研究了衬底温度对微晶硅薄膜微结构的影响。研究结果表明随着衬底温度的升高,表征μc-S i:H薄膜微结构的晶化率和平均晶粒尺寸均呈现了相似的变化规律,其临界温度点随着硅烷浓度的增加向高温方向移动。该实验结果可通过“表面扩散模型”得到合理解释。
- 赵剑涛郜小勇刘绪伟陈永生杨仕娥卢景霄
- 关键词：衬底温度晶化率
- PECVD生长掺磷纳晶硅薄膜的电导特性研究被引量：2
- 2008年
- 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征纳晶硅(nc-Si:H)薄膜和掺磷纳晶硅(nc-Si(P):H)薄膜。通过拉曼散射谱和XRD衍射谱分别研究了PH3浓度对nc-Si(P):H薄膜的晶化率(Xc)和晶格微观畸变(Ls)的影响,结果显示随着PH3浓度的增加,Xc和Ls均呈现了先增加后减小的相似趋势,暗示二者之间存在紧密的关联;利用四探针法测量了nc-Si(P):H薄膜的电导率(σ),结果表明,nc-Si(P):H薄膜的σ比nc-Si:H薄膜提高了约5个数量级,且随着PH3浓度的增大而单调增大。该变化可以从Xc、Ls的角度得到合理解释。
- 刘玉芬郜小勇刘绪伟赵剑涛卢景霄
- 关键词：晶化率电导率晶格畸变
- 掺磷微晶硅薄膜的微结构及光学性质的研究被引量：7
- 2008年
- 本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在普通玻璃上制备了本征和掺磷的氢化微晶硅(μc-Si∶H)薄膜。利用Raman散射谱,计算了表征其薄膜微结构的晶化率(Xc)和平均晶粒尺寸(d)。结果表明随着磷烷(PH3)浓度的增加,其Xc和d均呈现了先增加后减小的相似趋势;利用测得的透射谱和反射谱,并利用Tauc公式拟合了μc-Si∶H薄膜的光学带隙(Egopt)。研究表明,μc-Si∶H薄膜的Egopt与Xc具有相反的变化趋势。该结果可利用Kronig-Penney模型和表征函数F(x)作出合理解释。
- 刘玉芬郜小勇刘绪伟赵剑涛卢景霄
- 关键词：氢化微晶硅薄膜晶化率平均晶粒尺寸
- 硅烷浓度对微晶硅薄膜微结构及电学性质的影响被引量：2
- 2008年
- 采用RF-PECVD技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质微晶硅薄膜,并深入研究了硅烷浓度对微晶硅薄膜微结构及电学性质的影响。研究结果表明,微晶硅薄膜的沉积速率、平均晶粒尺寸、晶化率和电导率均呈现相似的变化规律,而谱中出现的拐点由硅烷浓度决定。该变化规律可通过相应的薄膜生长的微观理论得到合理的解释。
- 赵剑涛郜小勇刘绪伟杨根陈永生杨仕娥卢景霄
- 关键词：微晶硅薄膜晶化率
- 德拜晶格热容的局限性分析及修正
- 2007年
- 在对德拜晶格热容局限性分析的基础上,提出晶格热容应考虑晶格中所有声学波和光学波的贡献,而不能简单地将晶格看成各向同性的弹性介质.修正过的晶格热容不但是温度的函数,而且与晶格的体积相关.
- 郜小勇刘绪伟赵剑涛
- 关键词：德拜模型
- 可见光波段的一维光子晶体的理论设计被引量：8
- 2006年
- 利用传输矩阵,计算了Si/KCl、Si/TiO2、TiO2/MgF2三种典型的具有λ/4波片堆结构的可见光波段的一维光子晶体的反射率,并且研究了折射率比、周期数和入射角对一维光子晶体特性的影响。结果表明,可见光波段的一维光子晶体的周期的增大会使禁带中心红移、绝对带宽和相对带宽扩展;相对带宽随着折射率比的增大而增大,但依靠提高折射率比来提高一维光子晶体的相对带宽有限。该研究结果对可见光波段的一维光子晶体的实用制备具有理论指导意义。
- 郜小勇董晓慧刘绪伟赵剑涛
- 关键词：传输矩阵光子晶体相对带宽
- 蓝宝石衬底上GaN薄膜的结构和光学特性表征被引量：3
- 2006年
- 采用低压金属有机化学气相沉积(LPMOCVD)法,成功地在(0001)晶向的蓝宝石(A l2O3)衬底上制备了高质量的GaN薄膜。并利用X射线衍射(XRD)谱和椭圆偏振光谱(SE)对其结构和光学特性作了表征。XRD谱中,在34.5°和72.9°附近出现了两个尖锐的衍射峰,分析表明这两个衍射峰分别对应纤锌矿(W urtzite)结构GaN薄膜的(0002)和(0004)晶向。其中GaN(0002)晶向衍射峰的半高宽(FWHM)很窄,只有0.1°左右,并且GaN(0004)晶向衍射峰强度很强,二者均证实了采用LPMOCVD法制备的GaN薄膜具有高的质量。在介电函数和反射谱中,GaN高的透明性(<3.44 eV)诱导了强的干涉振荡。室温下拟合出的表征带间跃迁的光学带隙约为3.44 eV。
- 郜小勇赵剑涛刘绪伟
- 关键词：氮化镓椭圆偏振光谱
- 掺磷氢化纳晶硅薄膜的晶粒尺寸和晶格畸变的研究被引量：2
- 2010年
- 采用等离子增强化学气相沉积在玻璃衬底上制备了掺磷氢化纳晶硅薄膜,并利用X射线衍射谱(XRD)和拉曼散射谱研究了PH3浓度(GFR=[PH3]/[Si H4])对薄膜平均晶粒尺寸和晶格畸变的影响.结果显示磷弱掺杂有利于晶化,而重掺杂抑制晶化.随着GFR的增大,Si(111)方向上的平均晶粒尺寸呈现出先减小后增大的趋势,而对应的晶格畸变则呈现了相反的变化趋势,小的晶粒尺寸诱导了大的晶格畸变.该结果可归结于与平均晶粒尺寸相关的表面增强效应.在掺磷氢化纳晶硅薄膜的制备过程中,PH起了关键的有效掺杂作用.
- 郜小勇刘绪伟冯红亮卢景霄
- 关键词：晶格畸变平均晶粒尺寸
- 磁控反应法制备氧化银薄膜的研究
- 2006年
- 采用磁控反应溅射法,分别在室温和90℃条件下制备了两个系列的氧化银薄膜,其中氧氩比从1:4变化到2:1。SEM表明薄膜中的氧化银纳米颗粒尺寸均小于30nm。XRD表明随制备温度的提高AgO衍射峰减弱,Ag2O衍射峰增强,揭示了在成膜过程中,温度提高引起AgO热分解为Ag2O。分光光度计测量的反射谱和吸收谱表明氧化银的吸收边在400 nm附近,计算的氧化银禁带宽度约为3.1 eV。通过对银的特征峰(312nm处)向短波方向的移动和消失分析证实氧氩比增大的确有助于银的完全氧化,并且氧氩比2:1条件下制备的样品质量较佳。
- 刘绪伟郜小勇赵剑涛吴芳王子健
- 关键词：磁控溅射氧化银热分解
- 电子束蒸发制备ZnO∶Al透明导电膜及其性能研究被引量：1
- 2006年
- 在本实验中我们利用电子束蒸发方法在玻璃衬底上制备了ZnO:A l透明导电膜,并对所得样品在400℃下进行了退火处理。利用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌,利用分光光度计分析了样品的光学性质,结果表明所得样品在可见光范围具有较好的透光性。利用四探针对其进行了电学性质的测量,表明衬底温度为200℃时制备的样品电阻率可达6×10-3Ω.cm。
- 王子健王海燕郜小勇吴芳李红菊杨根刘绪伟卢景霄
- 关键词：电子束蒸发ZNO衬底温度
