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吴传贵: 作品数：190 被引量：47H指数：3; 供职机构：电子科技大学更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金工业与信息化部工业与信息化部电子信息产业发展基金更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>

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不同波形电压刺激下单晶LiNbO_(3)薄膜忆阻器的电阻可塑性研究: 2023年; 随着人工智能在物联网中的应用,对于传感器端的高性能神经网络边缘计算需求日益迫切。忆阻器被认为是传感器端神经网络边缘计算应用中最具潜力的核心器件。由于传感器的输出信号具有不同的电压波形,故设计了不同的脉冲方案模拟不同的传感信号,基于单晶LiNbO_(3)薄膜忆阻器,研究了不同波形的电压刺激(方波、正弦波、三角波)对电阻可塑性的变化范围、线性度等的影响规律。在保持电压幅值和积分面积相同的情况下,研究了在三种不同波形电压刺激下的增强和抑制过程。在增强过程中,方波刺激下的电导变化幅度最大,在幅值为6 V的电压刺激下可达72 nS,正弦波次之,三角波最小(在幅值为6 V的电压刺激下仅为42 nS);而三角波刺激下的线性度最高,正弦波次之,方波的最低。测试分析可知这些差异主要是由三种波形超过特定阈值的积分面积不同所引起的。而在抑制过程中均观察到了电导突变现象,研究中通过幅值渐变的脉冲序列对电导突变进行了抑制。; 颜昊潘忻强谢琴罗文博吴传贵; 关键词：传感器电压波形

图形化单晶薄膜制备方法、图形化单晶薄膜及谐振器: 本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种图形化单晶薄膜制备方法、图形化单晶薄膜及谐振器；包括如下步骤：从压电单晶晶圆下表面注入高能量离子，形成损伤层，得到损伤的压电单晶晶圆；在损伤的压电单晶晶圆的下表面对单晶薄膜层...; 罗文博简珂吴传贵帅垚; 文献传递

基于混合气体活化的硅基钽酸锂晶圆键合研究被引量：2: 2023年; 集成在硅基衬底上的钽酸锂薄膜在新型声学器件上具有重要应用,等离子体活化键合是其主要的集成方式,相关研究报道众多但仍缺乏对等离子体活化工艺的深入研究。本文研究了LT和Si衬底晶圆在不同活化气氛、频率和时间下的亲水性接触角变化情况,探索了一套可以显著提高键合强度的活化参数。研究结果发现,对晶圆表面采用N_(2)加O_(2)混合活化60 s后,LT和Si衬底晶圆亲水性接触角达到最小值,分别为4.244°和3.859°。键合后用SEM扫描了样片的横截面,发现键合质量良好。最后对比了用O_(2)、N_(2)和Ar活化60 s,以及N_(2)加O_(2)混合活化60 s后键合片的键合强度,发现混合气体活化后键合强度最大,达到了9.05 MPa。; 刘等等帅垚黄诗田吴传贵张万里; 关键词：活化钽酸锂硅基键合强度

金属氧化物薄膜的制备方法: 金属氧化物薄膜的制备方法，涉及材料技术，特别涉及超导带材氧化物过渡层薄膜的制备技术。采用本发明，能够快速生长具有良好的织构和高的表面平整度的氧化物薄膜。本发明包括以下步骤：1)在具有织构特性的金属基片上沉积金属薄膜，沉积...; 李言荣陶伯万陈寅刘兴钊朱俊吴传贵吴健; 文献传递

一种薄膜体声波谐振器: 本发明目的在于提供一种薄膜体声波谐振器，通过键合层制备结合布拉格反射层和空腔结构的体声波谐振器，以解决薄膜体声波谐振器难以同时获得较大的结构强度和较好声学反射效果的技术问题；其结构包括：自上而下依次设置的上电极、压电层和...; 帅垚王晓学吴传贵罗文博; 文献传递

拼接式小尺寸单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器: 本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种拼接式小尺寸单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器；包括制备步骤：选择至少两个小尺寸单晶晶圆，在各小尺寸单晶晶圆的下表面注入高能量离子；在衬底的上表面划分出与各小尺寸单晶晶圆匹...; 罗文博吴传贵帅垚; 文献传递

利用动态法测量相变热释电材料的热释电系数: 2006年; 用动态法测量了相变热释电材料(Ba_(0.65)Sr_(0.35))TiO_3薄膜的热释电系数,并对相变热释电系数的计算进行了理论分析。先测量了传统热释电材料 LiTaO_3单晶薄片的热释电系数,温度信号和热释电电压存在90°相位差,热释电系数为2.1×10^(-8)C cm^(-2)K^(-1),与文献测量值、理论计算一致,说明测试系统真实可靠。用动态法测量了工作在1.5 V 偏压下的(Ba_(0.65)Sr_(0.35))TiO_3薄膜,输出电压由 DC 电压和 AC 电压构成,前者由(Ba_(0.65)Sr_(0.35))TiO_3薄膜的漏电流引起,后者为热释电响应电压。热释电响应电压与正弦温度信号同相位,其振幅与正弦温度信号的振幅成正比。理论计算表明,动态法测量相变热释电材料时,热释电响应电压与温度信号同相位变化是由相变热释电材料的电容随温度信号的变化引起的。; 姚金城吴传贵普朝光张万里李言荣朱俊; 关键词：BST薄膜非制冷红外探测器

利用Ba_(0.65)Ru_(0.35)TiO_3缓冲层制备高热释电系数的Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3薄膜: 2006年; 采用射频溅射,在 Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3(BST)薄膜和 Pt/Ti/SiO_2/Si 衬底之间制备10 nm 的 Ba_(0.65)Ru_(0.35)RuO_3(BSR)缓冲层,研究了 BSR 缓冲层对 BST 薄膜结构和性能的影响。与没有 BSR 缓冲层的 BST 薄膜相比,BSR 缓冲层可使 BST 薄膜呈高度 a 轴择优取向生长,改善了薄膜的介电常数,降低了薄膜的漏电流密度,使其热释电系数达到7.45×10^(-7)C cm^(-2)K^(-1)。表明利用 BSR 缓冲层可以制备高热释电性能的 BST 薄膜。; 刘祚麟吴传贵张万里刘兴钊李言荣; 关键词：钛酸锶钡薄膜热释电系数缓冲层

一种离子注入剥离单晶薄膜的表面处理方法: 本发明属于单晶薄膜的工艺领域，具体涉及一种离子注入剥离单晶薄膜的表面处理方法。本发明的离子注入剥离单晶薄膜的表面处理方法，针对离子注入剥离技术制备的单晶薄膜，选择氩离子刻蚀精准去除表面的损伤层；此外，针对去除损伤层后薄膜...; 罗文博方远苹帅垚吴传贵张万里; 文献传递

钛酸锶钡热释电薄膜及其非制冷红外探测器研究: 开展了钛酸锶钡(BST)热释电薄膜材料制备工艺研究,及其在单元器件和焦平面器件中的应用研究。在 Pt/Ti/SiO/Si 衬底上,用倒筒靶射频溅射方法制备了 BST 热释电薄膜。通过低温缓冲层技术和调控自偏压的方法,降低...; 李言荣吴传贵张万里刘祚麟赵强; 关键词：钛酸锶钡热释电红外探测器; 文献传递