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吴燕红

作品数：36 被引量：11H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 31篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 17篇传感
  • 16篇感器
  • 16篇传感器
  • 11篇电极
  • 8篇封装
  • 8篇硅
  • 7篇应力传感
  • 7篇应力传感器
  • 7篇力传感器
  • 6篇多晶
  • 6篇多晶硅
  • 6篇芯片
  • 6篇空间电荷区
  • 6篇互连
  • 4篇电容式
  • 4篇电学
  • 4篇压焊
  • 4篇引线
  • 4篇引线键合
  • 4篇敏感膜

机构

  • 36篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 36篇吴燕红
  • 31篇杨恒
  • 23篇李昕欣
  • 17篇豆传国
  • 14篇王跃林
  • 9篇戈肖鸿
  • 8篇成海涛
  • 8篇戴斌
  • 4篇徐高卫
  • 4篇吴紫阳
  • 4篇罗乐
  • 2篇丁萃
  • 2篇周健
  • 2篇陆荣
  • 1篇王东平
  • 1篇徐德辉
  • 1篇李铁
  • 1篇熊斌
  • 1篇王翊
  • 1篇车录锋

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 3篇2020
  • 3篇2019
  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 4篇2012
  • 3篇2011
  • 4篇2009
  • 5篇2008
  • 1篇2007
共 36 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
利用阶梯形电极实现纳米梁驱动与压阻检测结构及方法
本发明涉及利用阶梯形电极实现纳米梁驱动与压阻检测结构及方法。其特征在于纳米梁上部的金属电极为阶梯形，电极两端与纳米梁间的间隙小于100纳米，而中间部分的电极间隙在1－2微米。所述的阶梯形电极两端与纳米梁形成MIS电容结构...
杨恒吴燕红成海涛戴斌李昕欣王跃林
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一种用于硅基MEMS电容式传感器的防静电结构
本发明提供一种用于硅基MEMS电容式传感器的防静电结构，该传感器具有固定的第一敏感电极和可动的第二敏感电极，其中，所述防静电结构包括分别连接在所述第一敏感电极与一地电极之间、所述地电极与一输出电极之间、所述输出电极与所述...
豆传国杨恒孙珂戈肖鸿吴燕红李昕欣
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基于正面结构的MEMS传感器
王跃林熊斌李铁徐德辉刘理天车录锋王东平王翊刘延祥周宏吴燕红戈肖鸿马颖蕾
该项目属MEMS（微机电系统）领域。针对中国MEMS传感器性价比不高，缺乏市场竞争力的状况，该发明想方设法使传感器的结构仅需正面加工，从而简化制造工艺，适合在集成电路工厂规模生产，大幅降低生产成本；此外，还可实现全硅结构...
关键词：
关键词：封装
一种多晶硅应力传感器及其制作方法
本发明提供一种多晶硅应力传感器及其制作方法，所述多晶硅应力传感器至少包括：硅衬底；硅孔结构，形成于所述硅衬底中；第一阻挡层，覆盖于所述硅衬底正表面及所述硅孔结构的上部侧壁；多晶硅层，形成于所述第一阻挡层表面、及所述硅孔结...
豆传国杨恒吴燕红李昕欣
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一种用于圆片级封装应力测量的应力传感器转移方法
本发明涉及一种用于圆片级封装应力测量的应力传感器转移方法，包括以下步骤：SOI硅片的顶层硅上制作应力传感器；利用有机胶膜将应力传感器面对面地贴装到与待封装圆片相同尺寸的测试圆片上；腐蚀去除应力传感器衬底硅，将应力传感器芯...
杨恒豆传国吴燕红李昕欣王跃林
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一种硅通孔互连的制作工艺、由此形成的硅通孔互连结构及其应用
本发明涉及一种硅通孔互连的制作工艺，包括以下步骤：S1，在硅圆片的盲孔中形成多晶硅填充结构，在多晶硅填充结构的第一表面形成阻挡层结构；S2，减薄该硅圆片，使得该盲孔形成为硅通孔结构；S3，在多晶硅填充结构的与第一表面相对...
豆传国杨恒孙珂戈肖鸿吴燕红李昕欣
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用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法
本发明提供一种用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法，包括以下步骤：1）提供硅片衬底，在硅片衬底内形成环形深槽；2）在硅片衬底表面及环形深槽侧壁形成第一绝缘层；3）在环形深槽内形成多晶硅电阻，并在环形深槽内及硅...
杨恒豆传国戈肖鸿吴燕红李昕欣
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可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法
本发明提出一种可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法，用于基于梁结构的谐振式痕量质量传感器。该结构包括梁结构、设置于梁结构上的若干微型柱状电极、设置于微型柱状电极上的<111>晶向占优的金膜、...
杨恒吴燕红成海涛戴斌吴紫阳
可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法
本发明提出一种可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法，用于基于梁结构的谐振式痕量质量传感器。该结构包括梁结构、设置于梁结构上的若干微型柱状电极、设置于微型柱状电极上的<111>晶向占优的金膜、...
杨恒吴燕红成海涛戴斌吴紫阳
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硅基电容式声发射传感器及其制备方法
本发明提供一种硅基电容式声发射传感器及其制备方法，包括：声发射敏感膜；停靠环，位于声发射敏感膜的下表面；边框，位于声发射敏感膜外围，且与声发射敏感膜相隔一定的间距；边框的上表面设有上电极，下表面设有第一绝缘层；支撑膜，位...
杨恒王小飞豆传国孙珂吴燕红李昕欣
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共4页<1234>
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