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第一性原理研究硫化镉高压相变及其电子结构与弹性性质被引量：12: 2013年; 采用第一性原理研究了CdS的六方纤锌矿(WZ),立方闪锌矿(ZB)和岩盐矿(RS)相在高压条件下的相稳定性、相变点、电子结构以及弹性性能.WZ相与RS相可以在相应的压强范围内稳定存在,而ZB相不能稳定存在.压强大于2.18GPa时,WZ相向RS相发生金属化相变.WZ相中S原子电负性大于Cd,且电负性差值小于1.7,CdS的WZ相为共价晶体.高压作用下,S原子半径被强烈压缩,有效核电荷增加,对层外电子吸引能力提高,电负性急剧增大,导致S与Cd的电负性差值大于1.7,CdS的RS相以离子晶体存在.WZ相的C44随压强增加呈下降趋势,导致WZ相力学不稳定,并向RS相转变.当压强大于2.18GPa时,RS相C11,C12随压强增加而增大,并且C44保持稳定,说明RS相具有良好的高压稳定性与力学性能.; 周平王新强周木夏川茴史玲娜胡成华; 关键词：第一性原理相变电子结构

液体粘滞系数测量仪器的研究被引量：11: 2011年; 粘滞系数的测量是大学物理基础实验,有三种测量方法,其中落球法实验仪器被多数高校实验室认同。针对目前高校实验室粘滞系数测量仪器在仪器维护、测量方法及数据处理等方面存在的问题进行设计。新仪器操作简单,维修快捷,测量结果准确,相对误差为0.13%。; 周木胡成华史玲娜; 关键词：粘滞系数落球法

基于LED光源的TIR透镜的优化设计被引量：4: 2012年; 为提高LED光能利用率,设计了一种自由曲面的全内反射(TIR)透镜。根据LED的光能分布特点,通过控制光线路径得到TIR透镜折射面和反射面轮廓曲线上的离散点,利用插值得到样条曲线,再经旋转360°得到TIR透镜的模型。利用Tracepro软件对经TIR透镜的光线进行追迹,根据光能利用率要求优化透镜结构,得到在保持透镜小尺寸的同时,光能利用率为95.26%,光束的发散角控制在±15°以内。; 胡成华史玲娜夏川茴周木; 关键词：光学设计大功率LED 光能利用率

酶免疫自动分析系统研究: 酶联免疫吸附测定(ELISA/EIA,简称"酶免")是目前医学临床检验最基本、最常规的检测项目。由于免疫临床标志物(抗原/抗体)具有无法替代的临床意义,以及酶免测定具有操作简便、技术可靠的特点,酶免分...; 周木祝连庆董明利; 关键词：酶免疫全自动多任务

极端条件下^6Li2O的热力学性能与电子结构被引量：1: 2011年; 采用密度泛函理论与准谐振德拜模型研究了面心立方相的6Li2O在极端条件下的热力学性质与电子结构。结果表明:6Li2O的热膨胀系数在任何温度下都随压强增加明显降低,但仅当压强较低(低于40GPa)时,温度对6Li2O的热膨胀系数的影响才明显;O原子半径随压强增大而迅速降低,而随温度的变化并不明显;在低压条件下(低于40 GPa),带隙随温度的升高缓慢降低;而在高压条件下(高于40 GPa),温度对带隙宽度的影响几乎可以忽略;无论在什么温度条件下,带隙宽度均随压强的增大而迅速增加。; 夏川茴胡成华梁建华周晓松姜涛郑洲刘显坤周平史玲娜周木王锋; 关键词：热力学性质热容

新型高精度炉温控制系统设计: 2016年; 针对普通电阻炉在高温区温度波动大、控制精度低的问题,开展高精度低成本温度控制系统的研究与开发工作。系统以只具有电阻加热功能的炉腔为基础,设计了新型高精度炉温控制系统。该系统以STC12C5A60S2单片机为控制核心,开发出了一种新的控制算法,实现了炉温的高精度控制(±2℃),完全抑制了温度的大幅波动。该系统的实现,大幅降低了电阻炉温控系统的设计成本,避开了时下PID温控技术中参数调节的困难,为电阻炉以及其它加热设备的温度控制,提供了一种简便、经济的设计方法。; 廖鸿滨杨立梅亚贤周木; 关键词：温度控制电阻炉

密度泛函理论研究高温高压下UO_2弹性与热力学性能被引量：1: 2013年; 采用第一性原理与准谐德拜模型研究UO2在高温高压条件下的弹性与热力学性能。UO2在高温高压下仍属离子型晶体,并且弹性性能计算表明,四角方向剪切常数在高温与高压下均保持稳定。高温下弹性常数C44没有明显变化,而高压下C44迅速增大。体积模量、剪切模量与杨氏模量均随压强增加而增大;高温条件下,体积模量、剪切模量与杨氏模量也未出现明显的降低,表明UO2在高温度高压下均可保持良好的力学性能。不同压强下,UO2定容热容均随温度迅速增大,并在1000K附近趋近于杜隆-佩蒂特极限。德拜温度则随温度降低,随压强升高。在低于室温条件下,热膨胀系数随温度急剧增加;温度继续增加,系数的增加趋势则逐渐变缓。计算结果还表明,UO2的热膨胀系数在相同条件下,远小于其他核材料。; 周木王锋郑洲刘显坤姜涛; 关键词：UO2 第一性原理准谐德拜模型热力学性能

过渡金属(Mn^(2+)、Ni^(2+)、Fe^(3+)、Cu^(2+))掺杂ZnO基稀磁半导体的制备及性质被引量：1: 2011年; 利用溶液腐蚀法制备了Mn2+、Ni2+、Fe3+、Cu2+离子掺杂的ZnO基稀磁半导体。XRD表明掺杂后的ZnO仍然保持单一的纤锌矿结构,没有任何杂质相产生。由紫外-可见光反射谱可知掺杂后吸收边发生了红移。掺杂前ZnO的带隙为3.20eV,对样品分别掺入Mn、Ni、Fe和Cu后的带隙分别为3.19eV、3.15eV、3.08eV和3.17eV。掺杂后样品的室温PL谱除了紫外发射峰外,对于Mn掺杂的样品还在蓝光区域出现了2个分别位于424nm和443nm的发射峰,Fe掺杂的样品出现了一个位于468nm的微弱发射峰,Cu掺杂的样品出现了位于469nm及535nm的很宽的发射峰。室温磁滞回线显示掺杂后样品有明显的铁磁性,掺入Mn、Ni、Fe和Cu样品的剩余磁化强度(Ms)分别为0.3902×10-3emu/cm3、0.454emu/cm3、0.372emu/cm3和0.962×10-3emu/cm3,矫顽力分别为47Oe、115.92Oe、99.33Oe和23Oe。经分析室温铁磁性来源于缺陷调制的Mn2+-Mn2+长程铁磁交换相互作用。; 夏川茴周木韩向宇殷鹏飞; 关键词：ZNO基稀磁半导体光学性质

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周木