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唐晓霞

作品数:7 被引量:8H指数:1
供职机构:南京化工学院更多>>
相关领域:电气工程化学工程自然科学总论更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 4篇电气工程
  • 3篇化学工程
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 5篇电容
  • 5篇电容器
  • 5篇晶界层
  • 5篇晶界层电容器
  • 5篇SRTIO
  • 3篇一次烧
  • 3篇一次烧成
  • 3篇烧成
  • 3篇钛酸
  • 3篇钛酸锶
  • 2篇SR
  • 1篇电热
  • 1篇电热元件
  • 1篇电阻
  • 1篇电阻器
  • 1篇性能指标
  • 1篇生产工艺
  • 1篇省电
  • 1篇陶瓷
  • 1篇气中

机构

  • 7篇南京化工学院

作者

  • 7篇范福康
  • 7篇唐晓霞
  • 2篇吕忆农
  • 2篇周洪庆
  • 1篇张旭苹

传媒

  • 2篇硅酸盐通报
  • 2篇南京化工学院...
  • 1篇南京工业大学...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 2篇1991
  • 3篇1990
  • 1篇1989
  • 1篇1986
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
Ti/Sr比对SrTiO_3晶界层电容器性能的影响
1990年
采用空气中一次烧成工艺,通过性能测定、SEM观察,研究了Ti/Sr与SrTiO_3晶界层电容器材料试样的烧结性能、半导化、显微结构及介电性能之间的关系。结果表明,Sr过量试样的烧结及半导化过程与Ti过量的均有很大差异,这主要与烧成过程中液相量的变化规律有关。Ti/Sr比及烧成温度对试样的显微结构有明显影响,因而也影响了试样的介电性能。关键词:SrTiO_3;晶界层电容器;Ti/Sr比;一次烧成。
范福康唐晓霞
关键词:钛酸锶晶界层电容器
Ti/Sr比对SrTiO_3晶界层电容器性能的影响被引量:1
1989年
采用空气中一次烧成工艺,通过性能测定、SEM观察,研究了Ti/Sr比与SrTiO_3晶界层电容器材料试样的烧结性能、半导化、显微结构及介电性能之间的关系。结果表明,Sr过量试样的烧结及半导化过程与Ti过量的均有很大差异,这主要与烧成过程中液相量的变化规律有关。Ti/Sr比及烧成温度对试样的显微结构有明显影响,因而也影响了试样的介电性能。
范福康唐晓霞
关键词:晶界层电容器一次烧成
多功能加热保温器
多功能加热保温器,由电源、导线、盒体、盒体内电极、电热元件、绝缘层、加热面组成,电热元件采用PTC热敏电阻器,具有升温快、自动恒温等特点,结构简单,形体小巧,既可用于热饭菜及保温、熨烫衣物,又可用于暖手、暖被、暖鞋等,安...
张旭苹范福康唐晓霞张笔珍周洪庆
文献传递
氧化温度对空气中一次烧成SrTiO_(3)晶界层电容器的显微结构及电性能的影响被引量:6
1991年
采用空气中的一次烧成工艺,研究了氧化温度对SrTiO_3.晶界层电容器试样的介电常数ε、绝缘电阻率p及介质损耗tgδ的影响;借助于TEM及STEM对试样进行了分析,观察到试样中有直线型和锯齿型两种不同类型的晶界及存在于多个晶粒交汇处的Ti_nO_(2n-1)第二晶相;提出了不同氧化温度下的晶界结构模型,较好地解释了试样介电常数随氧化温度的降低而单调增大的变化规律.
唐晓霞范福康吕忆农
关键词:晶界层电容器一次烧成显微结构
微波陶瓷材料进展
唐晓霞范福康
关键词:陶瓷生产工艺性能指标微波陶瓷
氧化温度对SrTiO_3晶界层电容器性能的影响
1990年
采用空气中一次烧成工艺,研究了氧化温度对SrTiO_3晶界层电容器试样的介电常数ε,绝缘电阻率ρ及介质损耗tgδ的影响;对试样进行了TEM分析,直接观察到存在于多个晶粒交汇处的Ti_nO_(2n-1)第二相;提出了不同氧化温度下的晶界结构模型,较好地解释了试样介电常数随氧化温度的降低而单调增大的变化规律。
唐晓霞范福康吕忆农
关键词:晶界层电容器一次烧成钛酸锶
掺杂物对SrTiO_3基半导瓷晶界层电容器影响的研究被引量:1
1990年
选择La_2O_3、V_2O_5掺杂SrTiO_3、控制合适的Ti/Sr比、添加适量CuO和AS以及调节最佳工艺参数,系统地研究了它们对SrTiO_3试样的还原烧结行为、显微结构和介电性能的影响。实验结果表明:V_2O_5作为施主掺杂物能较大幅度地降低SrTiO_3的还原烧结温度;三价离子掺杂大于五价离子掺杂所需的Ti/Sr比;添加适量的CuO、AS能形成厚度适当的高阻绝缘晶界层。通过实验,我们获得了1300℃还原烧成温度下综合性能佳、复现性好的V_2O_5掺杂SrTiO_3 GBBLC。
范福康周洪庆蒋曙生唐晓霞张聿珍
关键词:化学计量晶界层电容器钛酸锶
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