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喻颖

作品数：39 被引量：4H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇专利
  • 13篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 21篇量子
  • 17篇量子点
  • 12篇纳米
  • 11篇纳米线
  • 8篇光子
  • 8篇分子束
  • 8篇分子束外延
  • 7篇氧化硅
  • 7篇二氧化硅
  • 6篇淀积
  • 6篇势垒
  • 6篇光子源
  • 6篇半导体
  • 6篇GAAS
  • 5篇单光子
  • 5篇分子束外延生...
  • 5篇INAS量子...
  • 4篇电子束曝光
  • 4篇激光
  • 4篇激光器

机构

  • 39篇中国科学院
  • 1篇军械工程学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 39篇牛智川
  • 39篇喻颖
  • 38篇倪海桥
  • 25篇王莉娟
  • 22篇査国伟
  • 21篇李密锋
  • 20篇尚向军
  • 19篇徐建星
  • 11篇贺振宏
  • 9篇查国伟
  • 7篇李密峰
  • 7篇贺继方
  • 5篇徐应强
  • 5篇窦秀明
  • 5篇孙宝权
  • 4篇贺正宏
  • 4篇丁颖
  • 3篇徐建新
  • 3篇王国伟
  • 2篇邢军亮

传媒

  • 4篇第十届全国分...
  • 2篇物理学报
  • 1篇第三届全国纳...
  • 1篇中国真空学会...

年份

  • 1篇2018
  • 4篇2016
  • 4篇2015
  • 5篇2014
  • 19篇2013
  • 5篇2012
  • 1篇2011
共 39 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法
本发明公开了一种提高光栅均匀度的方法。该方法包括：在晶片上涂覆电子束胶；将涂覆电子束胶的晶片放在烘箱内进行前烘；利用版图设计工具在光栅结构周围排列梯形补偿图形；对晶片进行电子束曝光和显影，以完成包含梯形补偿图形的光栅结构...
王莉娟喻颖査国伟徐建星倪海桥牛智川
文献传递
制备微透镜阵列的方法
本发明提供了一种制备微透镜阵列的方法。该方法包括：在镓系半导体衬底上制备腐蚀掩模图形，该腐蚀掩模图形上分布若干的圆孔阵列，该圆孔阵列与待制备微透镜阵列在位置与形状上相对应；在低温下，将具有腐蚀掩模图形的镓系半导体衬底平放...
査国伟喻颖李密峰王莉娟倪海桥贺正宏牛智川
在衬底上生长异变缓冲层的方法
一种在衬底上生长异变缓冲层的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长异变缓冲层；步骤4：在异变缓冲层生长外延层，形成基片；步骤5：对基片进行降温处理，完成在衬底上生长异变缓...
贺继方尚向军倪海桥王海莉李密峰朱岩王莉娟喻颖贺正宏徐应强牛智川
文献传递
GaInAsSb低维材料分子束外延生长及器件研究1
本文利用分子束外延技术,开展了GaAs、GaSb基GaInAsSb量子点、量子阱、超晶格等多种低维结构的外延生长,及其单光子发射器件、红外激光器和探测器的制备研究.采用GenII分子束外延系统发展了一种原位临界参数控制技...
牛智川尚向军王国伟徐应强任正伟贺振宏倪海桥李密锋喻颖王娟王莉娟查国伟邢军亮徐建星向伟
关键词：超晶格半导体低维材料分子束外延生长元器件
文献传递
一种光纤与光电子器件垂直耦合的方法
本发明公开了一种光纤与光电子器件垂直耦合的方法，该方法包括：在光电子器件表面预涂一层光刻胶；利用光刻技术在光电子器件表面形成对准孔阵列；在光纤的端部剥去涂覆层露出光纤内芯；在显微镜及位移平台的辅助下将光纤端部露出的光纤内...
査国伟牛智川倪海桥李密锋喻颖王莉娟徐建星尚向军贺振宏
文献传递
基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法
本发明公开了一种基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法。该单光子发射器包括：GaAs衬底；在该GaAs衬底上制备的外延片，该外延片由下至上依次包括GaAs缓冲层(1)、DBR(4)和(6)、InAs量子点有...
王莉娟喻颖査国伟徐建星倪海桥牛智川
文献传递
一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法
本发明公开了一种低密度InAs量子点的生长方法，该方法包括：步骤1：生长InAs有源层量子点前插入InAs牺牲层量子点；步骤2：原位高温退火使InAs牺牲层量子点完全解吸附；步骤3：微调InAs牺牲层量子点二维到三维转化...
李密锋喻颖贺继方査国伟尚向军倪海桥贺振宏牛智川
自组织单量子点的定位方法及装置
本发明公开了一种自组织单量子点的定位装置和方法，其装置包括：激光器，其用于产生激发光，激发量子点样品中的量子点产生荧光光束；紫外光源装置，其用于产生紫外光，对单量子点微区光刻胶曝光；显微物镜，其用于汇聚所述激发光和紫外光...
尚向军倪海桥査国伟喻颖李密峰王莉娟徐建星牛智川
硅基半导体超短脉冲激光器
一种硅基半导体超短脉冲激光器，包括：一硅衬底、一缓冲层、一下光限制包层、一下势垒、一有源层、一上势垒、一上光限制包层和一欧姆接触层；其中该缓冲层、下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层依次制作在硅...
丁颖倪海桥李密锋喻颖查国伟徐建新王莉娟牛智川
文献传递
GaAs纳米线中量子环的分子束外延生长与表征
近年来,采用分子束外延生长Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其纳米光电器件研究成为新型纳米光电器件和量子物理研究领域的热点.其中一个重要的研究方向是把纳米线与三维量子限制结构如量子环[1]、量子点[2]等结合以期待获得新的光电和量子效应.
查国伟李密锋喻颖徐建星倪海桥牛智川
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