夏冬林
- 作品数：98 被引量：416H指数：10
- 供职机构：武汉理工大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 一种锰掺杂氟钪化钠基质NaScF<Sub>4</Sub>:Yb<Sup>3+</Sup>,Er<Sup>3+</Sup>上转换发光材料及其制备方法
- 本发明涉及一种锰掺杂氟钪化钠基质NaScF<Sub>4</Sub>:Yb<Sup>3+</Sup>,Er<Sup>3+</Sup>上转换发光材料及其制备方法，其化学表达式为：NaSc<Sub>(1‑x‑y‑z)</Sub...
- 夏冬林周逸琛秦可李云峰
- 文献传递
- 非接触式红外测温的研究被引量：72
- 2001年
- 对非接触式红外测温作了综述 ,介绍了红外测温的意义、原理、方法 。
- 李军刘梅冬曾亦可李楚容郭明金黄焱球刘少波夏冬林
- 关键词：普朗克定律维恩位移定律
- 镧系稀土镱掺杂硫化银量子点及其制备方法和应用
- 本发明涉及一种镧系稀土镱掺杂硫化银量子点及其制备方法和应用；它是以硫化银量子点为基质，掺杂Yb<Sup>3+</Sup>为激活离子，在硫化银量子点表面生长异质硫层而得，化学式为：Ag<Sub>2</Sub>S：Yb<Su...
- 夏冬林李力秦可朱昊周斌李启东
- 文献传递
- 具有上转换层的铜锌锡硫硒类薄膜太阳能电池的制备方法
- 本发明涉及具有上转换层的铜锌锡硫硒类薄膜太阳能电池及其制备方法，包含：基板；背电极，形成于该基板上，通过磁控溅射的方法沉积所得；光电转换层，其为铜锌锡硫硒类薄膜；缓冲层，其为硫化镉薄膜，形成于该光电转换层之上；窗口层，形...
- 夏冬林周斌刘欣李乾王友法熊真敏
- 文献传递
- 一种孔隙可控的三维多孔NiS<Sub>2</Sub>微球及其制备方法和应用
- 本发明涉及一种孔隙可控的三维多孔NiS<Sub>2</Sub>微球及其制备方法和应用。该NiS<Sub>2</Sub>微球的直径为300‑700nm，NiS<Sub>2</Sub>微球由立方结构的NiS<Sub>2</S...
- 夏冬林李力朱昊赵书文周斌王友法
- 文献传递
- ZnO纳米棒水热法生长与表征被引量：5
- 2018年
- 采用两步法在FTO导电玻璃衬底上制备ZnO纳米棒,首先利用浸渍-提拉法在FTO导电玻璃衬底上制备ZnO晶种层,然后把有ZnO晶种层的FTO衬底放入盛有生长溶液的反应釜中利用水热法制备ZnO纳米棒。研究了生长溶液的浓度、生长温度和生长时间对所制备的对ZnO纳米棒阵列的微结构和光致发光性能的影响,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)研究了ZnO样品的结构、形貌和光学性质。实验结果表明:所制备的ZnO纳米棒呈现六方纤锌矿结构,沿(002)晶面择优取向生长,纳米棒的平均直径约为100 nm,长度约为2.5μm。所制备的ZnO纳米棒在390 nm附近具有很强的紫外发光峰和在550 nm附近有较弱的宽绿光发光峰。
- 夏冬林闫新政秦可李云峰
- 关键词：ZNO纳米棒水热法光致发光
- 温度相关的CsPbBr_(3)纳米晶瞬态光电导响应研究
- 2023年
- 近年来,全无机铯铅卤化钙钛矿CsPbX_(3)(X=Cl,Br,I)纳米晶(NCs)材料因具有长载流子寿命、强光吸收、低成本制造和带隙可调性等独特的性能已成为研究的热点,但专注于CsPbBr_(3)纳米晶瞬态光电导的相关研究却很少。本工作通过配体辅助再沉淀法制备了CsPbBr_(3)纳米晶体,并改进了光电导薄膜样品的制样方法和真空瞬态光电导测试装置,研究了不同温度和不同激发功率对CsPbBr_(3)纳米晶瞬态光电导的影响。不同温度的瞬态光电导实验结果表明,在133~273 K温度范围内,光生电流衰减速率随着温度增加而逐渐减小,而在273~373 K温度范围内,光生电流衰减速率随着温度升高而逐渐增大。不同激发功率的瞬态光电导实验表明,激发功率从200 mW逐渐增大到1000 mW时,光生电流衰减速率增大。本工作的研究方法为研究光激发光生载流子的动力学相关行为提供了一个的新思路。
- 樊家顺夏冬林刘保顺
- CZTS和CZTSSe纳米晶热注入法合成与性能研究被引量：1
- 2017年
- 采用热注入法制备Cu_2ZnSnS4(CZTS)和Cu_2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)纳米晶,研究了不同反应温度对所制备的CZTS和CZTSSe纳米晶的晶体结构、化学组分、形貌及光学性能的影响。实验结果表明:未掺杂Se元素的CZTS纳米晶,当反应温度为230℃时为锌黄锡矿结构,当反应温度在240~280℃范围变化时,锌黄锡矿和纤锌矿结构共存,纳米晶形貌由纳米颗粒和纳米棒组成,其禁带宽度在1.54~1.62eV之间变化。对于掺杂Se元素的CZTS纳米晶,当反应温度在230~260℃范围变化时,为锌黄锡矿结构,而当反应温度为270~280℃时,CZTSSe纳米晶由锌黄锡矿结构和少量纤锌矿结构组成,纳米晶形貌由纳米颗粒组成,其禁带宽度比CZTS的禁带宽度低,禁带宽度在1.41~1.46eV之间变化。
- 李云峰夏冬林秦可周逸琛
- 关键词：CZTS纳米晶
- 沉积功率对多晶硅薄膜结构和光学性质的影响被引量：3
- 2007年
- 采用等离子体化学汽相沉积（PECVD）方法在普通玻璃衬底上制备出多晶硅薄膜。研究了在不同沉积功率下的薄膜的沉积速率、晶相结构、吸收系数和光学禁带宽度。实验结果表明，沉积功率为140W时薄膜沉积速率最大，达到7．8nm／min。沉积功率为30W多晶硅薄膜的晶粒较大，平均尺寸200nm左右。沉积功率为100W薄膜有较高结晶度，晶化率达到68％。薄膜样品在波长为500nm的光吸收系数达到6×10^4cm^-1，在不同功率下样品的光学禁带宽度在1．70—1．85eV之间变化。
- 沈峰夏冬林李蔚赵修建
- 关键词：多晶硅薄膜沉积速率光学带隙
- 压电变压器在计算机高压电源上的应用研究被引量：12
- 2000年
- 介绍了计算机CRT单频单色显示器用压电陶瓷变压器高压电源的工作原理和基本特征 ,试验证明用压电陶瓷变压器替换传统逆程变压器时不仅能完全满足计算机单色显示器的技术要求 ,而且降低了成本 ,大大缩小了高压包的体积 ,提高了计算机显示器的可靠性 .
- 柴荔英夏冬林张向红周桃生邝安祥
- 关键词：压电陶瓷变压器高压电源稳定性计算机等效电路
