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孙剑

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇晶体管
  • 1篇非晶硅
  • 1篇薄膜晶体
  • 1篇薄膜晶体管
  • 1篇A-SI
  • 1篇A-SI:H
  • 1篇X

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇钟伯强
  • 1篇孙剑
  • 1篇胡宇飞
  • 1篇潘惠英

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇1996
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
薄膜晶体管a－Si：H／a－SiN_x界面研究被引量：3
1996年
对比ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＮｘ界面附近ａ－Ｓｉ：Ｈ和体材料ａ－Ｓｉ：Ｈ的光致发光谱（ＰＬ）发现：随着ＳｉＮｘ中ｘ的增大，ＰＬ峰值向低能方向移动，相对发光强度减小。这是因为由于氮含量的增加，界面晶格不匹配加剧，导致悬挂键密度增多和深能级隙态密度增加。该观点得到Ｃ－Ｖ测试结果的证实。
胡宇飞孙剑钟伯强黄慈祥潘惠英
关键词：薄膜晶体管非晶硅氮化硅
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