廖伟
- 作品数：9 被引量：22H指数：3
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学哲学宗教冶金工程更多>>
- 6H-SiC MOS结构界面物理性质和辐照特性研究
- 近年来新兴的碳化硅(SiC)半导体材料是第三代宽禁带化合物半导体材料的代表之一。它是唯一能够直接热氧化生长氧化层的化合物半导体，因此其器件工艺能够与现有的Si平面工艺相兼容，这使得SiC在制造高温、高频、高功率、高压和抗...
- 廖伟
- 关键词：半导体材料物理性质辐照特性
- 文献传递
- 氧等离子体处理条件对poly-SiO_2/Si结构平带电压的影响被引量：1
- 2002年
- 氧等离子体处理高阻P型、〈10 0〉硅片上的聚硅烷涂层 ,制备了SiO2 /Si结构。用C V技术测量其MOS结构平带电压 ,结果表明平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压和射频功率等条件的改变而变化。平带电压最小可达 - 0 .5 5～ - 0 .88V ,比同一环境热氧化法制备的SiO2
- 向少华谢茂浓张明高廖伟
- 关键词：平带电压
- 作为方法的整体视域与海德格尔的技术哲学
- 海德格尔的哲学被称为是“一种能够在哲学史上引起转变的事业”，而技术则日益成为人类反思现代社会的重要课题之一，因此，海德格尔的技术哲学得以在双重意义上成为当今学术界关注的焦点。本文认为，海德格尔技术哲学内容之“新”，源于其...
- 廖伟
- 关键词：技术哲学《存在与时间》
- 文献传递
- 通过改变费米能级钉扎效应制备6H-SiC欧姆接触的特性研究被引量：6
- 2002年
- 作者通过氧化、刻蚀和沸水处理的方法 ,在n型 6H SiC的C面上制备了线性较好的欧姆接触 .作者对C面和Si面的欧姆接触的退火特性进行了比较和研究 ;并对形成欧姆接触的物理机理进行了讨论 ,研究了这种欧姆接触在大密度电流下的特性 .
- 洪根深廖勇明廖伟丁元力邬瑞彬刘洪军龚敏
- 关键词：6H-SIC欧姆接触
- 直接光CVD类金刚石碳膜的初期成膜结构被引量：11
- 1999年
- 以微波激励氙（Ｘｅ） 发射的真空紫外光（ＶＵＶ） 作光源，乙炔（Ｃ２Ｈ２） 作反应气体，采用直接光化学汽相淀积（ＣＶＤ） 工艺，在硅（Ｓｉ） 、钼（ Ｍｏ） 及玻璃衬底上，１２０ ℃的低温下进行了类金刚石碳（ＤＬＣ） 膜的试生长。用Ｘ 射线光电子能谱（ＸＰＳ） 、扫描电子显微镜（ＳＥＭ） 等手段进行了初期成膜结构的测试分析。测试结果表明，在所有三种衬底上均能淀积生成ＤＬＣ 膜。其中Ｃ１ｓ 态原子的含量在６９ ．９８ ％ ～７４ ．６０ ％ 之间，相应的键合能为２８５ ．０ ～２８５ ．６ ｅＶ。淀积膜是以ＳＰ２ 键结构为主的ＤＬＣ膜。实验结果也表明，氧在成膜过程中是影响最大的因素。
- 杜开瑛石瑞英谢茂浓廖伟张敏
- 关键词：类金刚石膜X射线光电子能谱扫描电子显微镜
- 氧等离子体处理条件对聚硅烷制备SiO_2/Si结构平带电压的影响
- 2001年
- 氧等离子体处理高阻Ｐ型（１００）硅片上的聚硅烷涂层制备ＳｉＯ_２／Ｓｉ结构。其ＭＯＳ结构平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压、射频功率等条件的改变而变化，平带电压最小可达－０．５５～－０．８８Ｖ，比同一环境热氧化制备的ＳｉＯ_２／Ｓｉ结构平带电压小得多。
- 向少华谢茂浓张明高廖伟彭志坚傅鹤鉴
- 关键词：平带电压
- SiO_2/6H-SiC界面的物理性质及其辐照特性的研究被引量：3
- 2001年
- 在p型及n型 6H -SiC外延衬底上成功地制备了MOS电容 ,通过高频C～V测试 ,研究了SiO2 /SiC系统的物理性质和电学性质 .发现在SiO2 /p -SiC界面存在大量的施主型界面态 ,在p -SiC热氧化生成的SiO2 中有净的正电荷中心 ,而在n -SiC热氧化生成的SiO2 中有净的负电荷中心 .对n -SiC和SiMOS电容进行了γ辐照对比实验 ,证实了n -SiCMOS电容器具有优异的抗辐照性能 .
- 廖伟罗小蓉廖勇明洪根深龚敏
- 关键词：6H-SICMOS电容Γ辐照
- p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性的研究被引量：2
- 2001年
- 作者研究了p型Al/6H -SiC肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数 .采用电流 -电压法 (I～V) ,测试了肖特基二极管的理想因子n和肖特基势垒高度b.对其基本电学参数n和b 的温度特性进行了研究 .分析了串联电阻对I～V特性的影响 .
- 罗小蓉廖伟廖勇明洪根深龚敏
- 关键词：肖特基二极管宽禁带半导体
- 自多金属硫化矿中分离银
- 廖伟
