廖武刚
- 作品数：14 被引量：20H指数：2
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- 相关领域：电气工程理学电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种基于二硫化钼的肖特基异质结太阳能电池及其制备方法
- 本发明公开了一种基于二硫化钼的肖特基太阳电池的制备方法，利用金属钯与二硫化钼形成肖特基异质结，在石英衬底上制备薄膜太阳能电池。纳米层状二硫化钼薄膜的制备采用化学气相沉积法实现，金属钯薄膜采用磁控溅射法实现，钯薄膜作为背电...
- 曾祥斌文杨阳文西兴廖武刚王文照徐素娥李寒剑郭富城
- 硅量子点双势垒存储结构及其编程机制的研究
- 2015年
- 采用等离子体化学气相沉积(PECVD)及热退火方法制备了含硅量子点的Si Cx薄膜.透射电子显微镜(TEM)观测表明Si Cx薄膜中生长了大量硅量子点.制备了含Si Cx薄膜包裹硅量子点的双势垒存储器结构.TEM观测表明,采用上述工艺成功制备了Si3N4/Si Cx薄膜/Si-QDs/Si Cx薄膜/Si O2双势垒结构的存储器结构.利用硅量子点的库伦阻塞效应及量子限域效应,从理论上分析了双势垒硅量子点存储器的编程机制,建立了双势垒存储结构阈值电压漂移模型,模拟仿真表明双势垒存储器的阈值电压漂移要大于单势垒存储器,编程速度更快.存储结构C-V特性测试表明,样品在扫描栅压为±12 V时有10 V左右的存储窗口,证明双势垒存储结构具有良好载流子存储效应.
- 郑文俊曾祥斌文西兴廖武刚冯枫黄诗涵
- 关键词：双势垒硅量子点编程机制存储器
- 含硅量子点氮化硅薄膜的发光特性及载流子输运机理研究
- 硅量子点由于其独特的量子限域效应特性在发光二极管和太阳能电池等领域具备巨大潜力。特别地，含硅量子点氮化硅薄膜由于其良好的光学特性，且制备方式与现行成熟的互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺相兼容等优势成为极具潜力的硅基光...
- 廖武刚
- 关键词：硅量子点氮化硅薄膜光致发光性能载流子输运
- nc-Si/c-Si异质结太阳电池优化设计分析被引量：3
- 2014年
- 分析影响p+(nc-Si)/i(a-Si)/n(c-Si)异质结太阳电池性能的主要因素,获得纳米硅薄膜杂质浓度、本征层厚度以及背场对电池性能的影响规律。结果表明,当纳米硅薄膜中掺杂浓度增大时,该层大部分区域电场强度变大,短路电流和开路电压增大,有利于提高电池转换效率。优化的掺杂浓度应大于1×1018cm-3。当i层厚度大于30 nm时,电池转换效率η和电池填充因子FF急剧下降,优化的最佳厚度为10 nm。研究加入非晶硅背场提高电池效率的新途径,当引入厚10 nm的a-Si∶H(n+)背面场后,电池转换效率由21.677%提高到24.163%。
- 曾祥斌鲜映霞文西兴廖武刚
- 关键词：纳米硅薄膜异质结太阳电池AMPS优化设计
- 包含硅量子点的富硅SiN_x薄膜结构与发光特性被引量：17
- 2013年
- 采用等离子体增强化学气相沉积法,以NH3与SiH4为反应气体,n型单晶硅为衬底,低温(220°C)沉积了富硅氮化硅(SiNx)薄膜.在N2氛围中,于500—1100C范围内对样品进行了热退火处理.采用Raman光谱技术分析了薄膜内硅量子点的结晶情况,结果表明,当退火温度低于950°C时,样品的晶化率低于18%,而当退火温度升为1100°C,晶化率增加至53%,说明大部分硅量子点都由非晶态转变为晶态.实验通过Fourier变换红外吸收(FTIR)光谱检测了样品中各键的键合结构演变,发现Si—N键和Si—H键随退火温度升高向高波数方向移动,说明了薄膜内近化学计量比的氮化硅逐渐形成.实验还通过光致发光(PL)光谱分析了各样品的发光特性,发现各样品中均有5个发光峰,讨论了它们的发光来源,结合Raman光谱与FTIR光谱表明波长位于500—560nm的绿光来源于硅量子点,其他峰则来源于薄膜内的缺陷态.研究了硅量子点的分布和尺寸对发光带移动的影响,并根据PL峰位计算了硅量子点的尺寸,其大小为1.6—3nm,具有良好的限域效应.
- 廖武刚曾祥斌文国知曹陈晨马昆鹏郑雅娟
- 关键词：硅量子点氮化硅薄膜光致发光
- 一种二硫化钼/硅异质结太阳能电池及其制备方法
- 本发明公开了一种二硫化钼/硅异质结太阳能电池及其制备方法，化学气相沉积（CVD）方法可制得大面积、均匀、高结晶的二硫化钼膜，该材料具有较高的载流子迁移率且带隙可调控，制备的二硫化钼/硅异质结太阳电池具有常温制备、工艺简单...
- 曾祥斌陈晓晓文西兴廖武刚王文照徐素娥丁佳
- 文献传递
- 一种具有量子点结构的柔性薄膜太阳能电池及其制备方法
- 本发明提供了一种具有量子点结构的柔性薄膜太阳能电池及其制备方法，依次在柔性衬底上制备SiN薄膜绝缘层、ZnO薄膜缓冲层、Al背电极、NIP型薄膜、AZO薄膜和Al前电极，其中NIP型薄膜中的N层为微晶硅薄膜，I层为含量子...
- 曾祥斌郑雅娟文国知廖武刚马昆鹏陈晓琴
- 文献传递
- 一种掺杂硅量子点发光二极管器件及其制备方法
- 本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含掺杂硅量子点的SiN<Sub>x</Sub>薄膜，透明导电薄膜AZO层以及Si<Sub>3</Sub>N<...
- 曾祥斌廖武刚文西兴郑文俊冯枫文杨阳黄诗涵
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- 基于SiC<Sub>x</Sub>织构的硅量子点浮栅非易失性存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种基于SiC<Sub>x</Sub>织构的硅量子点浮栅非易失性半导体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化层、电荷存储层、控制...
- 曾祥斌文西兴文国知郑文俊廖武刚冯枫曹陈晨
- 文献传递
- 一种二硫化钼/ 硅异质结太阳能电池及其制备方法
- 本发明公开了一种二硫化钼/ 硅异质结太阳能电池及其制备方法，化学气相沉积（CVD）方法可制得大面积、均匀、高结晶的二硫化钼膜，该材料具有较高的载流子迁移率且带隙可调控，制备的二硫化钼/ 硅异质结太阳电池具有常温制备、工艺...
- 曾祥斌陈晓晓文西兴廖武刚王文照徐素娥丁佳
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